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SiC功率器件的商业化:现状和需要克服的障碍
SiC功率器件的商业化:现状和需要克服的障碍
报告主题:SiC功率器件的商业化:现状和需要克服的障碍报告作者:Dr. Victor Veliadis报告内容详细内容:参考来源:SiC power device commercialization: status and barriers to overcome报告作者:Dr. Victor Veli ...
2022-7-21 10:45
II-VI在收购后更名为“Coherent”
II-VI在收购后更名为“Coherent”
I-VI完成了对Coherent的收购,创建了一家材料、网络和激光公司,以应对650亿美元的市场II-VI Incorporated成功完成了对Coherent, Inc的收购,组建了一家材料、网络和激光公司。合并后的公司将服务于工业、通信、电子 ...
2022-7-21 10:41
GaN射频应用优势明显,功率玩家厚积薄发
GaN射频应用优势明显,功率玩家厚积薄发
GaN中游我们可以将其分为器件设计、晶圆制造、封装测试三个部分。作为化合物半导体的一类,与SiC类似,全球产能普遍集中在IDM厂商上,不过相比于SiC,GaN在设计和制造环节正在往垂直分工的模式转变,不少专注GaN器件 ...
2022-7-20 15:25
签约!它也成100亿SiC订单供应商
签约!它也成100亿SiC订单供应商
今天,又有2家国际SiC企业达成合作——罗姆宣布为赛米控提供碳化硅器件。此前,赛米控的碳化硅功率模块曾获得车企超100亿元订单。有意思的是,赛米控不久前还与意法半导体达成合作,众所周知,罗姆和意法半导体的SiC ...
2022-7-20 15:24
特斯拉加速碳化硅应用,产业链即将推动8吋碳化硅量产
特斯拉加速碳化硅应用,产业链即将推动8吋碳化硅量产
7月18日消息,近年来,在电动汽车大厂特斯拉(Tesla)的带动下,第三代半导体碳化硅(SiC)在电动汽车市场的应用正在加速。整体观察,全球碳化硅产业由美、日、欧等少数具全产业链生产能力大厂主导,为降低成本,8 ...
2022-7-20 15:23
碳化硅材料和功率器件
碳化硅材料和功率器件
2022-7-20 15:21
耀眼的GaN在CS国际会议上占据C位
耀眼的GaN在CS国际会议上占据C位
CS国际会议的演讲者强调了GaN器件现在如何将更高的阻断电压与卓越的效率相结合,在RF中提供令人难以置信的高功率密度,并以microLED的形式覆盖所有可见光谱为了加强其良好的信誉,CS国际会议继续报道化合物半导体行 ...
2022-7-19 13:48
ASM 收购LPE,SiC外延江湖中的隐形王者
ASM 收购LPE,SiC外延江湖中的隐形王者
7月18日消息,ASM International N.V.(ASM)今天宣布达成一项协议,根据该协议,ASM 将收购位于意大利的碳化硅 (SiC) 和硅外延设备制造商 LPE S.p.A. 的所有流通股。在电动汽车市场迅速扩大的推动下,碳化硅器件正 ...
2022-7-19 13:47
2022中国半导体新材料发展(太原)大会顺利召开
7月14日-15日,2022中国半导体新材料发展(太原)大会在龙城太原成功举办。来自400多家单位的近800名专家、学者、行业精英齐聚一堂,共同探讨半导体新材料的未来发展之路。本届大会以“凝聚新材料,洞见新机遇”为主 ...
2022-7-19 13:46
碳化硅的采用进入下一阶段,专注于器件可靠性
碳化硅的采用进入下一阶段,专注于器件可靠性
碳化硅(SiC)技术最大程度地提升了当下功率系统的效率,同时缩减了尺寸、重量和成本。但SiC解决方案并非直接替代硅,二者并不完全相同。要实现SiC技术的预期前景,开发人员必须基于质量、供应和支持情况,对产品和 ...
2022-7-19 13:44
6英寸高品质GaN晶体最新进展
6英寸高品质GaN晶体最新进展
来源:第三代半导体产业GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域,随着全球碳中和的目标,GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望,因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底,以实现更高的 ...
2022-7-18 15:17
【论文合集】金刚石单晶生长与加工
【论文合集】金刚石单晶生长与加工
索引1. 单晶金刚石同质外延侧向生长的边缘多晶抑制和尺寸扩展2. 通过钨掺杂抑制单晶金刚石位错3. 用于小角度X射线散射原位加载测试的单晶金刚石4. 单晶金刚石的可见光辅助化学机械抛光5. 单晶金刚石的100和110的紫外 ...
2022-7-18 15:16
南方电网采用碳化硅,充电桩投资达100亿
南方电网采用碳化硅,充电桩投资达100亿
最近,南方电网推出了基于碳化硅的汽车充电桩,可将能耗降低11%,20个桩就可以节省2.5万度电/年。今年,超充采用碳化硅越来越频繁,碳化硅有望在该领域实现大规模应用。据安森美首席执行官Hassane El-Khoury介绍,未 ...
2022-7-15 11:43
一定要做沟槽型SiC MOSFET吗?(下)
一定要做沟槽型SiC MOSFET吗?(下)
安森美的下一代技术平台M4则会从平面结构升级为沟槽结构,目前已积累了大约20份相关专利。与初代碳化硅技术相比,在相同载电流的要求下可以减少相当的芯片面积。安森美的碳化硅技术持续进步,功率密度、散热能力和成 ...
2022-7-15 11:36
一定要做沟槽型SiC MOSFET吗?(上)
一定要做沟槽型SiC MOSFET吗?(上)
日前,在南沙举行的行业会议上,基本半导体董事长汪之涵发表了题为《未来已来:功率半导体的碳化硅时代》的主题演讲。其中提到,SIC MOSFET的发展趋势有四个方向:更小的元胞尺寸,更低的比导通阻,更低的开关损耗, ...
2022-7-15 11:33

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