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联盟动态

扩展缺陷对4H-SiC功率器件良率和性能的影响
扩展缺陷对4H-SiC功率器件良率和性能的影响
*Vol.46报告主题:扩展缺陷对4H-SiC功率器件良率和性能的影响报告作者:Holger Schlichting(Fraunhofer IISB)报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)简介:4H-SiC功率器件的良率、性能和可靠性对4H-SiC功 ...
2022-6-6 16:44
英飞凌+纬湃科技,直指SiC汽车功率市场
英飞凌+纬湃科技,直指SiC汽车功率市场
5月31日,德国大陆集团下属动力总成公司纬湃科技(Vitesco Technologies)宣布再次与英飞凌达成战略合作,剑指SiC电动汽车功率市场。据介绍,纬湃科技与英飞凌早在硅领域达成合作关系,在此基础上,双方进一步深化合 ...
2022-6-2 17:56
迎接碳化硅8英寸时代
迎接碳化硅8英寸时代
近年来,国际各大碳化硅生产厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。碳化硅龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂,预计明年上半年将有显著营收。法国Soitec半导体公司发布首款8英寸SmartSiC晶圆。晶圆代工大厂联 ...
2022-6-2 17:55
SiC产品和Si产品的两点比较
SiC产品和Si产品的两点比较
01 SiC肖特基势垒二极管的特征,及与Si二极管的比较我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极 ...
2022-6-2 17:53
规模化上车机遇不等人 SiC衬底的8英寸晋级之路
规模化上车机遇不等人 SiC衬底的8英寸晋级之路
作为SiC产业链中技术壁垒最高的环节,无论是今后的降本还是大规模产业化推进,SiC衬底的核心作用都无可替代。而在市场强烈需求驱动之下,SiC衬底正在进入新一轮技术升级周期中。作者|李延 校对|爱集微(爱集微报道 ...
2022-6-1 15:14
先进碳化硅技术,助力简化半导体设备设计
先进碳化硅技术,助力简化半导体设备设计
半导体制造和组装厂遍布全球,其运行电网电压多种多样。为服务于全球市场,针对此类应用销售专业设备的 OEM 需要在其设备上设置多个输入电压选项。正因如此,Astrodyne TDI(ATDI)为其新型 Kodiak 电源平台选择了 W ...
2022-6-1 15:13
蓉矽半导体:1200V车规级碳化硅二极管 成功量产
蓉矽半导体:1200V车规级碳化硅二极管 成功量产
据成都蓉矽半导体有限公司官方发布消息,具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC®EJBS™”系列已经量产,蓉矽半导体通过器件结构与工艺优化,获得了有超低漏电(2μA)且抗浪涌电流能力等同MPS ...
2022-6-1 15:12
西线无战事,碳化硅五巨头的硝烟(下)
西线无战事,碳化硅五巨头的硝烟(下)
Wolfspeed 8英寸碳化硅衬底的结构质量和化学机械抛光(CMP)工艺后的表面质量都表现出色(来源:wolfspeed)罗姆 Rohm罗姆作为一家在东京证卷交易所上市的科技企业,其投资者关系网站上提供的英文资料有限。但是从能 ...
2022-5-31 11:54
碳化硅器件封装进展综述及展望
碳化硅器件封装进展综述及展望
摘 要碳化硅 (SiC) 具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配 SiC 器件的快速开关特性,同时高温工况下封装可靠性大幅降低,为充 ...
2022-5-31 11:52
西线无战事,碳化硅五巨头的硝烟(上)
西线无战事,碳化硅五巨头的硝烟(上)
毋庸置疑,碳化硅已经成为了半导体行业,特别是功率半导体细分市场的那个“远方”。行业老对手和新玩家纷纷涌入,加倍下注(double down)这个新兴市场。其中不但有射频大厂Qorvo跨界收购UnitedSiC,还有三安、露笑 ...
2022-5-31 11:52
创新GaN工艺:有望实现低成本、大规模生产
创新GaN工艺:有望实现低成本、大规模生产
日本东北大学开发出了一种新型GaN衬底制备工艺,实现了多项创新。5月26日,日本东北大学对作为GaN(氮化镓)衬底的量产法而开发的“低压酸性单热(LPAAT)法”的实际应用进行了研究,明确了所使用的种子衬底的质量对 ...
2022-5-31 11:51
北方华创:SiC长晶设备预计出货超500台,8吋长晶炉已完成研发
北方华创:SiC长晶设备预计出货超500台,8吋长晶炉已完成研发
5月26日,在北方华创2021年度业绩说明会上,北方华创董事、执行委员会副主席、总裁陶海虹称,公司目前碳化硅长晶设备订单饱满,预计今年出货将超500台,已成为国内主流客户的首选。同时,今日华创在投资者平台上回复 ...
2022-5-30 19:08
基于SiC的6.6kW双向OBC电路方案
基于SiC的6.6kW双向OBC电路方案
基于SiC的6.6kW双向OBC电路方案—designing 6.6kw bidirectionalon-board-chargers来源:电力电子技术与新能源
2022-5-30 19:07
8.4亿!碳化硅充电桩项目开建
8.4亿!碳化硅充电桩项目开建
前段时间,Wolfspeed宣布将为 Rhombus 充电设施提供SiC MOSFET(链接);近日,美国又一碳化硅充电桩项目开建,还获得吉利、SK集团等投资。FreeWire 募资8.4亿加速 SiC 充电桩部署4月29日,美国超快电动汽车充电和能 ...
2022-5-30 19:07
中国科大龙世兵教授课题组在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
中国科大龙世兵教授课题组在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
近日,中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD,全称为:IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)。ISPSD是功率半导体器件 ...
2022-5-30 19:06

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