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西线无战事，碳化硅五巨头的硝烟（下）: Wolfspeed 8英寸碳化硅衬底的结构质量和化学机械抛光（CMP）工艺后的表面质量都表现出色（来源：wolfspeed）罗姆 Rohm罗姆作为一家在东京证卷交易所上市的科技企业，其投资者关系网站上提供的英文资料有限。但是从能 ...; 2022-5-31 11:54

碳化硅器件封装进展综述及展望: 摘要碳化硅（SiC）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配 SiC 器件的快速开关特性，同时高温工况下封装可靠性大幅降低，为充 ...; 2022-5-31 11:52

西线无战事，碳化硅五巨头的硝烟（上）: 毋庸置疑，碳化硅已经成为了半导体行业，特别是功率半导体细分市场的那个“远方”。行业老对手和新玩家纷纷涌入，加倍下注（double down）这个新兴市场。其中不但有射频大厂Qorvo跨界收购UnitedSiC，还有三安、露笑 ...; 2022-5-31 11:52

创新GaN工艺：有望实现低成本、大规模生产: 日本东北大学开发出了一种新型GaN衬底制备工艺，实现了多项创新。5月26日，日本东北大学对作为GaN（氮化镓）衬底的量产法而开发的“低压酸性单热（LPAAT）法”的实际应用进行了研究，明确了所使用的种子衬底的质量对 ...; 2022-5-31 11:51

北方华创：SiC长晶设备预计出货超500台，8吋长晶炉已完成研发: 5月26日，在北方华创2021年度业绩说明会上，北方华创董事、执行委员会副主席、总裁陶海虹称，公司目前碳化硅长晶设备订单饱满，预计今年出货将超500台，已成为国内主流客户的首选。同时，今日华创在投资者平台上回复 ...; 2022-5-30 19:08

基于SiC的6.6kW双向OBC电路方案: 基于SiC的6.6kW双向OBC电路方案—designing 6.6kw bidirectionalon-board-chargers来源：电力电子技术与新能源; 2022-5-30 19:07

8.4亿！碳化硅充电桩项目开建: 前段时间，Wolfspeed宣布将为 Rhombus 充电设施提供SiC MOSFET（链接）；近日，美国又一碳化硅充电桩项目开建，还获得吉利、SK集团等投资。FreeWire 募资8.4亿加速 SiC 充电桩部署4月29日，美国超快电动汽车充电和能 ...; 2022-5-30 19:07

中国科大龙世兵教授课题组在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展: 近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件 ...; 2022-5-30 19:06

昭和电工（SDK）实施8英寸碳化硅晶圆技术开发9年计划: 5月23日, 昭和电工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月，昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。2020 年10 ...; 2022-5-27 10:27

「一图GET」一图搞懂碳化硅——晶圆制造篇: 来源：碳化硅芯观察; 2022-5-27 10:27

华中科技大学｜宽禁带半导体封装集成技术研究: 来源：碳化硅芯观察; 2022-5-27 10:25

第三代半导体未来之星——碳化硅: 半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料。碳化硅是目前发展最成熟的第三代 ...; 2022-5-26 11:45

碳化硅技术在并网型应用中的优势: 碳化硅 (SiC) 元件能够为电力输送系统实现更高的效率和可靠性，尤其是对并网型且几乎全天候运行的逆变器和有源整流器。由于行业正在寻找更环保的解决方案，例如太阳能和电动汽车 (EV) 充电领域，对于更高效率和更可 ...; 2022-5-26 11:44

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展（下）: 2． 3 金刚石与 GaN 间的界面热阻除了在 GaN 表面外延的金刚石质量会影响散热效率外，金刚石和氮化镓材料间的界面热阻( TBＲ) 也是一项重要的参数。界面热阻又称边界热阻，出现在不同介质之间的界面处，会阻碍热流的 ...; 2022-5-26 11:42

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展（上）: 摘要:氮化镓( GaN) 高电子迁移率晶体管( high electron mobility transistor，HEMT) 以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中，但其高功率密度和高频特性给 ...; 2022-5-26 11:37

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