中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 › 新闻通知›联盟动态

联盟动态

技术分享 | 碳化硅晶圆划片技术: 碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键 ...; 2023-6-15 09:54

科研成果| 具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET: 近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉团队在氧化镓器件的续流能力方提出一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET，并以“Low Reverse Conduction Loss β-Ga2O3 Vertical FinFET with an Integrated Fin Di ...; 2023-6-15 09:38

奠基、开建、补贴！意法/安森美/Wofspeed SiC工厂新进展: 意法半导体：重庆SiC厂正式奠基近日，意法半导体和三安光电合资建设8英寸碳化硅器件工厂的消息引发了行业震动。6月8日，双方在重庆签署了三安意法碳化硅项目合作协议。该市委书记袁家军，市委副书记、市长胡衡华会见 ...; 2023-6-14 13:38

向8英寸进击，拿下SiC的天王山！: 6月7日，平地一声惊雷，一则合资建厂的消息震动整个SiC市场，三安光电和意法半导体两位主角宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，根据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的S ...; 2023-6-14 13:36

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应: 研究背景由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料最重要的器件之一，在功率器 ...; 2023-6-14 09:12

搭载国产SiC，这款车打破吉尼斯纪录: 三一：SiC重卡打破记录一天收获138台辆订单6月6日，三一集团的电动重卡“魔塔1165”启动了道路首航，从长沙出发，开往深圳，并全程直播记录，目标是“一次充电，征战800公里”。6月7日，魔塔1165驶入深圳园区，成功 ...; 2023-6-13 09:46

聚焦芯片研发！上汽通用五菱与电科芯片签署协议: 近日，上汽通用五菱与电科芯片举行战略合作协议签署仪式。上汽通用五菱官方消息显示，双方将以此次为战略合作协议签约为契机，基于用户使用场景，在芯片研发领域深入开展合作，以全面“2C”为导向，坚持走自主创新的 ...; 2023-6-13 09:41

金刚石半导体，全球首创: 以佐贺大学理工学部教授加须诚（半导体工学）为首的研究小组，在世界上首次成功开发出使用金刚石的半导体电源电路。证明了迄今为止被认为困难的高速开关和长时间运行是可能的。如果该电源电路能够投入实际使用，有望 ...; 2023-6-13 09:38

企业扩产、项目落地！为何纷纷斥资布局SiC市场？: 6月8日，意法半导体（ST）与三安光电同时官宣，将在重庆合资建厂大规模生产8英寸碳化硅（SiC）器件，投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元）。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套，预 ...; 2023-6-13 09:32

“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”落地！: 6月6日，在东南大学建校121周年纪念日上，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”。基于此研发中心，双方将在功率半导体领域（尤其是宽禁带功率器件领域） ...; 2023-6-12 09:52

基于全HVPE生长具有创纪录的高品质优值垂直GaN肖特基势垒二极管: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 截图近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical ...; 2023-6-12 09:47

自给率仅8％！车规功率器件千亿市场的国产替代机会: 中国作为全球最大的新能源汽车市场，其销量占全球比重已达53%。但在车规功率器件市场方面，一直以来却被国际巨头占据，国内自给率仅8%，存在巨大的供需缺口。可喜的是，在新能源汽车超预期发展、供应链安全、国产替 ...; 2023-6-12 09:37

QPT将GaN电力电子开关频率提升至20MHz: 剑桥初创公司将GaN推向高电压、高功率应用剑桥初创公司QPT声称自己是第一家创造出使GaN的工作频率远远超过当前100 kHz限制技术的公司。其专利方法将GaN扩展到20 MHz，使其适用于使用硬开关的高功率、高压应用，例如H ...; 2023-6-12 09:28

「5月刊」10+投融资动态，15+项目进展，10+产品动态...: 来源：芯TIP; 2023-6-9 09:48

四大潜力应用助力GaN市场腾飞，易用和可靠性是关键: 近几年碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体异常火热，国内外很多半导体企业都涌入其中。据Yole Développement统计，2021全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元，预计2021~2027年期间复合年增长率为59%，2027年全 ...; 2023-6-9 09:41

1 2 3 4 567 8 9 10 ... 144 / 144 页下一页

相关分类

• 公告通知
• 联盟动态

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部