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下级分类:  公告通知|联盟动态
SiC和GaN的一些技术对比:竞争还是互补?
到目前为止,半导体材料已经过了三个发展阶段,虽然这个领域并没有“后浪拍前浪,前浪死在沙滩上”的说法,不仅以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段,就连硅(Si)和砷化镓(GaAs ...
分类:    2020-12-2 17:32
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟诚信承诺书
为贯彻落实中央和北京市加强行业协会商会管理的有关要求,推进行业自律体系和社会信用体系建设,提高社会公信力,依法依规开展业务活动和规范收费行为,促进行业健康有序发展,本协会(商会)公开承诺:一、坚持中国 ...
分类:    2020-12-1 13:48
碳化硅功率器件的三大关键技术
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。功率器件行业发展到IGBT(绝缘栅双极晶体管)时期,硅基 ...
分类:    2020-12-1 09:37
一种基于物理的沟槽栅SiC MOSFET器件模型
一种基于物理的沟槽栅SiC MOSFET器件模型Takeshi Horiguchi1, Takashi Masuhara1,Katsutoshi Sugawara2, Yasushige Mukunoki11 三菱电机先端技术研究中心2 三菱电机功率器件制作所摘 要本文介绍了一种基于物理的沟槽 ...
分类:    2020-12-1 09:36
晶体生长及晶圆制备的那些事
半导体器件或者电路实在半导体材料晶圆表层形成的,用量最广的还是半导体硅,这些晶圆的杂质含量必须很低,必须是指定的晶体结构,必须是光学表面,并达到指定的电气性能和对应的相应规格要求。我们都知道Si在自然界 ...
分类:    2020-11-30 09:32
如何获得一块加工“完美”的碳化硅晶片?
目前全球95%以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代 ...
分类:    2020-11-30 09:29
碳化硅在能源转换中的价值
前言:臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2019年底,臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室,并签订战 ...
分类:    2020-11-27 10:50
充电桩向高效大功率化发展
力特电子在原有电路保护产品线基础上不断拓展边界,如今拥有电路保护、功率控制和传感器三大产品线,在充电桩应用中,这三条产品线都有非常好的解决方案,特别是充电桩的功率不断增加后,对于保护器件的要求也随之增 ...
分类:    2020-11-27 10:45
氮化镓:带来更高效率和更大功率密度——采访TI高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件 ...
氮化镓(GaN)具有更出色的开关性能,可实现更小、更轻、更高效的电源系统,为电力电子设备带来更稳定的性能,因此近年来受到广泛关注,正在成为新一代功率半导体的“新宠”。据Yole Dévelopement预测,到2023年全球 ...
分类:    2020-11-26 09:18
从新能源汽车产业发展规划看“十四五”时期发力点和五大应用场景
本文作者:赛迪智库工业经济研究所 赫荣亮导读研读《新能源汽车产业发展规划(2021—2035年)》,总结形成三个政策发力点,并认为“十四五”时期,在自动驾驶出租车和网约车、高速公路自动驾驶、燃料电池汽车、车载 ...
分类:    2020-11-25 11:50
8英寸晶圆到底有多缺?
最近半导体商似乎混进了一种新的“流行”,大家见面不再问“你,吃了吗?”,而是变成了“你,有8英寸晶圆吗?”。8英寸(200mm)晶圆到底有多缺?这一切还得从8英寸晶圆的前世今生说起:关于晶圆尺寸的演变,在业内 ...
分类:    2020-11-25 10:54
关于氮化镓器件,我们必须注意这些问题
氮化镓技术在系统应用时的实际考虑因素是什么?氮化镓技术部署的可靠性与失效模式又是什么?以下文章为您一一解答,并且为管理氮化镓的热设计问题提供一些建议。氮化镓的可靠性与失效模式与采用其他半导体技术工艺的 ...
分类:    2020-11-24 08:52
雄安新区推进集成电路基础材料优势提升工程高质量发展
为促进我省集成电路产业和软件产业高质量发展,增强信息产业创新能力和市场竞争力,推动数字经济加快发展,日前,省政府办公厅印发关于落实国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》的工作方 ...
分类:    2020-11-24 08:38
用碳化硅半绝缘衬底制造HEMT
之前,我们通过分析MOSFET,知道了通过控制PN结的变化,可以实现开关。实际上,通过另外一种结构,也可以实现开关——肖特基结。从结的概念出发,结:A和B两种材料的接触区域。PN结:P型半导体和N型半导体的接触区域 ...
分类:    2020-11-23 09:30
第三代半导体器件的测试挑战
第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新,基于其高速,小体积,低功耗的特点,越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到,传统的Si基IGBT或者MOSFET管 ...
分类:    2020-11-19 09:07

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