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科普报告丨金刚石能揽芯片活吗: 分类: 新闻通知 2024-2-20 10:35

春节SiC大事：8吋SiC、4个项目、3大合作: 春节假期，碳化硅企业依旧动作频频，“不打烊、签合作、新突破”等成了他们的新年关键词：天科合达、中电化合物等春节碳化硅项目“不停工”● 天科合达二期项目将于8月投产：2月16日，据“金龙湖发布”官微消息，春 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-20 10:21

800V高压架构提升系统性能之SiC的到来: 一、背景我们知道为解决新能源汽车充电时间长的问题，当前在国内汽车行业中采取的较为一致的方案是，通过将整车高压平台由传统的400V提升到800V级别，进而在同等充电电流下提高对整车的充电功率，以此来降低所需的充 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-19 09:24

多达数十家，SiC关键设备企业图谱: 碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。以新能源汽车为例，当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新能源汽车中占据主导地位，但 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-19 09:20

同样是逆变器，储能的和光伏的有啥区别？: 作为光伏发电和储能系统的核心部件，逆变器大名鼎鼎在外。很多人看见它们名字相同、作用领域相同，就认为这两个是同一类产品，其实并不然。光伏、储能逆变器，二者既是“最佳拍档”，也在功能、使用率、收益等实际应 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-19 09:16

中国：半导体设备市场的救赎者？: 01市场方面据彭博社援引中国海关数据汇总显示，2023年，中国大陆用于芯片制造的半导体设备的进口总额达到了接近400亿美元，同比增长了14%，这也是自2015年有记录以来的第二大进口额。仅在光刻机方面，据荷兰阿斯麦AS ...; 分类: 新闻通知 2024-2-19 09:04

氮化镓功率器件外延技术的发展: 氮化镓（GaN）功率器件，例如高电子迁移率晶体管（HEMT），与硅（Si）功率器件相比具有多项优势。氮化镓的固有材料优势包括具有高临界电场的宽禁带、低固有载流子浓度和高载流子迁移率。器件的优点包括低寄生电容和 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-18 11:09

碳化硅产业链1月动态｜合作深化、项目进展、应用加快...: 来源：碳化硅芯观察; 分类: 新闻通知 2024-2-18 10:47

【成员风采】恭喜！天科合达荣膺芯联集成“2023年度优秀供应商”: 2024年1月18日，为表达对天科合达在2023年度优质碳化硅衬底供应方面的感谢，芯联集成将天科合达评为其"2023年度优秀供应商"。碳化硅衬底是制造碳化硅功率器件的重要支撑材料，在衬底上生长一层很薄的外延层，然 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-18 09:37

碳化硅，要卷疯了: 去年年初，特斯拉CEO马斯克表示：“将减少75%碳化硅（SiC）芯片用量”，导致国内外二级市场碳化硅产业链公司股价应声下跌。彼时，一句话实实在在地打击了碳化硅芯片市场。随后行业分析表明，特斯拉可能减少了一个器 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-7 10:04

宽禁带科技论|大幅度提高GaN功率器件短路安全能力，北大团队新型器件技术加速GaN进入 ...: 氮化镓（GaN）功率器件具有击穿电压高、导通损耗低等优异特性，有望成为下一代高密度、高频率电力系统的主流器件。由于其出色的高频性能，GaN功率器件在消费类电子产品中，如快充充电器，已经展示出明显的优势。然而 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-7 09:41

论文推介丨山东大学·原料颗粒度对AlN晶体生长的影响: 以氮化铝(AlN)为代表的超宽禁带半导体材料在紫外光电器件、5G射频器件、功率器件等领域具有广阔的应用前景。然而当前大尺寸和高质量单晶的缺乏，严重制约了AlN的商业化应用，大尺寸、高质量AlN晶体的制备已成为近年 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-6 09:52

陈小龙：35岁“从零开始”，他让外国再也“卡”不住我们: 陈小龙（前）和团队在做实验。物理所供图“要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些‘两不靠’的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-6 09:44

AQG324针对SiC新要求: 近期工作涉及到SiC模块测试相关工作，了解了一下AQG324针对SiC的新要求。从后面的视频中摘一些关键信息，方便查询。汽车功率模块的开发过程中有一个非常重要的测试标准，就是AQG324。它是欧洲电力电子中心（European ...; 分类: 新闻通知 2024-2-5 10:19

基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术: 01摘要利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管（DSRD）与雪崩整形二极管（DAS）全电路仿真模型，研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力，并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-5 10:11

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