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浙大杭州科创中心研制出首批碳化硅晶圆: 科技创新的大潮，下一个风口会在哪里？今年两会，我国“十四五”规划《纲要》明确提出，要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体产业。近日，浙江大学杭州国际科创中心（以下简称科创中心）研制出首批碳化硅 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-27 09:31

国基南方SiC MOSFET电力电子器件入选十大国有企业数字技术成果: 4月25日，国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上举办国有企业数字化转型论坛。论坛上，首次集中发布了十大国有企业数字技术成果。其中，国基南方SiC MOSFET电力电子器件作为核心电子元器件类代表，成功入选并正式 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-27 09:29

广州十四五规划：集成电路被划重点，积极发展第三代半导体: 集微网消息，4月25日，广东省人民政府发布《广东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》（以下简称《十四五规划纲要》）。《十四五规划纲要》提出，广东省“十四五”时期经济社会发展努力实现 ...; 分类: 公告通知 2021-4-26 09:41

国内第三代半导体“新贵”交2020年成绩，营收净利双增长: 4月25日，浙江晶盛机电股份有限公司（以下简称“晶盛机电”）发布了2020年年度报告，报告中披露晶盛机电营业收入为381,067.97万元，同比增长22.54%；归属于上市公司股东的净利润85,815.99万元，同比增长34.64%。其中 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-26 09:41

深度探讨：5G真的更耗电吗？: 2020年，庚子年，“中国战疫”举世瞩目。这一年，5G元年，中国通信同样表现抢眼。根据最新的统计数据，中国完成5G基站建设超过70万座，5G终端连接数突破2亿。毫无疑问，中国通信人交出了一份令人满意的答卷，国内5G ...; 分类: 联盟动态 2021-4-26 09:40

一文了解氮化镓的应用: GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-26 09:39

华为卖车，谁坐不住了？: 有人说，华为在2021年的“汽车节奏”震动业界。2021上海车展，最热的必须是华为。4月17日，北汽新能源和华为联合发布的首款Huawei inside智能豪华纯电轿车北汽极狐品牌的阿尔法S（华为HI版）新车，在上海亮相，刮起 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-25 09:10

将碳化硅器件用于开关电源转换器？这些要注意: 行业效率标准和效率技术需求的双重作用，催生了对于构建更高效、更紧凑的电源解决方案的半导体产品的巨大需求。宽带隙（WBG）技术器件应运而生, 如 SiC MOSFET（碳化硅场效应管）能够提供更低的寄生参数，满足开关电 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-25 09:10

ST意法半导体推出三款半桥氮化镓单芯片: ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器，组成半桥器件，是一款先进的系统级功率封装，可输入逻辑电压信号轻松控制器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件，内置650V耐压 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-25 09:09

国产半导体设备迎“黄金时代”，北方华创募资85亿元扩产: 全球芯片紧缺问题蔓延至半导体设备领域，上游晶圆制造厂相继宣布大幅扩充产能，国产半导体设备厂商瞄准市场机遇，也开始启动扩产。4月21日，北方华创披露其2021年度非公开股票预案。北方华创定增募资85亿元预案显示 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-23 16:15

「PPT分享」什么是化合物半导体材料: 来源：半导体材料与工艺设备; 分类: 联盟动态 2021-4-23 16:14

江淮汽车与博世强强联手！聚焦碳化硅: 4月20日，安徽江淮汽车集团股份有限公司（下称“江淮汽车”）与博世动力总成系统中国区在上海签订战略合作框架协议。双方表示延续一直以来的紧密合作，并就面向后国六时代零排放的高效内燃机进行开发合作。就400V和8 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-23 16:13

SiC功率器件市场火热，关键技术是什么？: 功率器件行业发展到IGBT(绝缘栅双极晶体管)时期，硅基器件的性能已经接近极限，边际成本越来越高，而半导体器件产业仍对高功率、高频切换、高温操作、高功率密度等有着越来越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-23 16:13

硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究: 摘要：在 50.8 mm（2 英寸）硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积 100 nm厚度的氮化硅材料，然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-22 18:06

中科院院士：6G时代，宽禁带半导体市场潜力巨大: 在第十五届中国电子信息技术年会主论坛（4月18日）上，中国科学院院士、中国电子学会副理事长、西安电子科技大学教授郝跃表示，在未来新的6G通信领域，预计6G通信2030年或将会进入产业化，未来宽禁带半导体释放巨大 ...; 分类: 联盟动态 2021-4-22 18:06

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