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苏州晶湛发布新型多沟道异质结构外延片产品
近日,苏州晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片产品,在保持高电子迁移率的同时,将载流子浓度提高了4倍以上。基于苏州晶湛提供的该新型外延材料,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)在多沟道高电 ...
分类:    2021-4-22 18:06
清华大学成立“集成电路学院”,致力于破解“卡脖子”难题
在清华大学110周年校庆来临之际又传来令人振奋的消息!清华大学集成电路学院今天正式成立!作为我国集成电路人才培养的重要基地学院致力于破解当前“卡脖子”难题同时让未来不再被“卡脖子”网友们表示:“芯片学院 ...
分类:    2021-4-22 18:05
意法半导体、三安、泰科天润、纳微、瀚薪…最新发布
在慕尼黑电子展中,三安、意法半导体、泰科天润、纳微、瀚薪、基本、瑞能等企业集中展示最新产品,具体情况如下:意法半导体:MasterGaN4功率封装三安:碳化硅650V/1200V SBD产品系列泰科天润:碳化硅单管系列、碳化 ...
分类:    2021-4-21 09:48
基于SiC的高效率22kW双向电动汽车车载充电机 @ PCIM Europe
PCIM Europe 是全球领先展会,专注于电力电子、智能运动、可再生能源与能源管理等领域。PCIM Europe Digital Days 将于 2021 年 5 月召开。Cree | Wolfspeed SiC 应用工程高级经理魏晨先生将于 5 月 5 日致特邀报告 ...
分类:    2021-4-21 09:47
碳化硅对氮化镓的晶格失配较低
来源:rad聊碳化硅之前有提到在碳化硅衬底上生长氮化镓的有一种优势是晶格失配度较低。晶格失配度低,表示层1和层2的晶格相互匹配,匹配得越好,产生的缺陷越少,器件的性能和寿命越好。晶格失配度越高,表示产生缺 ...
分类:    2021-4-21 09:47
这种晶体管有望取代MOSFET?
━━━ ━━━1976年9月,在冷战中期,一名心怀不满的苏联飞行员——维克多•伊万诺维奇•别连科在西伯利亚上空的一次飞行训练中,驾驶着他的米格-25狐蝠式战斗机偏离了航道,低空快速飞越了日本海,降落 ...
分类:    2021-4-21 09:47
II-VI在中国扩大SiC生产规模
新的导电SiC衬底的后端处理线在中国福州拥有超过50,000平方英尺的新洁净室空间II-VI扩大了其在中国的SiC衬底制造处理生产基地,以服务于这个全球最大的电动汽车(EV)和清洁能源应用市场。在降低温室气体排放的法规 ...
分类:    2021-4-21 09:46
GaN 解决方案:小型封装应对大型雷达挑战
GaN 解决方案:小型封装应对大型雷达挑战X-波段(8 GHz 到 12 GHz)雷达是适用于商业导航的一个关键设备。航空是大量采用 X-波段雷达设备的一大主要领域,同时该设备还广泛部署于众多应用领域,包括无人机、海上船舶 ...
分类:    2021-4-20 10:49
三安集成长沙碳化硅制造基地下半年启动投产
近日,三安集成透露其长沙碳化硅制造基地最新进展。三安集成着眼于2025年的电动智能汽车市场,提前布局碳化硅产能,于湖南长沙投资建设千亩制造基地,一期工程已于2021年1月全面封顶,机台将于5月陆续进厂调试,下半 ...
分类:    2021-4-20 10:48
如何用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器以实现97%能效?
作者:Power ElectronicsEET电子工程专辑原创随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用,更好的电流控制成为一种趋势。而双向DC/DC转换器可以保持电池健康,并延长其使用寿命。简介电池供电的便携式设备越来越多,在 ...
分类:    2021-4-20 10:44
碳化硅功率半导体在中压配电网中的应用
分类:    2021-4-20 10:43
「项目征集」2021科创中国·中关村科技创新创业大赛全面开启
2021科创中国·中关村科技创新创业大赛是中关村管委会和中关村科学城管委会支持指导、中关村产业技术联盟联合会联合中关村海外人才创业园协会主办,多家单位协办的全国性创新创业大赛。赛事围绕新一代信息技术、生物 ...
分类:    2021-4-19 09:30
什么是第三代半导体?一文看懂车用、通信、充电通吃的杀手级应用
第三代半导体是目前高科技领域最热门的话题,不只中国大陆想要这个技术,从欧洲、美国到中国台湾,所有人都在快速结盟,想在这个机会里分一杯羹。为什么第三代半导体这么火热?它的应用与商机在哪里?过去30年,台积 ...
分类:    2021-4-19 09:29
基本半导体推出PD快充用碳化硅二极管,极致小尺寸国内首创
2020年,当大部分快充电源厂商还在探索65W氮化镓快充市场时,倍思开创性地推出了业界首款120W氮化镓+碳化硅快充充电器。也正是这款产品,第一次将“碳化硅快充”从设想变为现实,开启了碳化硅在快充领域商用的大门。 ...
分类:    2021-4-19 09:28
浅谈氧化镓功率半导体器件仿真技术的难点
目前,以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、临界电场高和电子饱和漂移速度快等优势,突破了硅与传统化合物材料(GaAs、InP等)技术发展的瓶颈,被广泛地应用在光电、电力电子、射频微波等领域,展现 ...
分类:    2021-4-19 09:27

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