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P型碳化硅衬底与IGBT
P型碳化硅衬底一般用于制作功率器件，比如绝缘栅双极型晶体管（IGBT，Insulate-Gate Bipolar Transistor）。IGBT= MOSFET+BJT，是一个非通即断的开关。MOSFET=IGFET(金属氧化物半导体场效应管，或者绝缘栅型场效应晶 ...
分类:    2021-1-29 17:00
第三代半导体行业“拐点”已至，上海瀚薪独创整合型碳化硅JMOSFET结构技术 | 专访
第三代半导体主要指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，它具有宽禁带、耐高压、耐高温、大电流、导热好、高频率等独特性能和优势。第三代半导体目前主要应用于电力电子器件、光电子器件、射频电子器件领域， ...
分类:    2021-1-29 16:58
Cree将改名Wolfspeed，全面拥抱SiC
今天早上，Cree在其官方微信号表示：“我们预计将于 2021 年底正式更名为Wolfspeed。我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅 SiC 产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性 ...
分类:    2021-1-29 16:57
比华为、中芯国际被制裁更深层的威胁？SEMI致信拜登政府究竟是好事还是坏事？
近两年来，在中美贸易战的大背景下，中兴、华为、中芯国际、海康威视、大华等中国各科技行业领先企业先后被美国政府制裁，给中国相关产业的发展造成巨大影响。但今天有一则消息被一些中国媒体认为将让中国芯片产业迎 ...
分类:    2021-1-28 10:19
创新纪录！纳微半导体宣布氮化镓芯片出货量超1300万颗，迅速扩张抢占200亿美金硅功率 ...
纳微氮化镓充电器获CES创新大奖，迅速扩张，抢占200亿美金硅功率半导体市场1月26日，纳微半导体（ Navitas Semiconductor ）正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC，实 ...
分类:    2021-1-28 10:18
氮化镓（GaN）的前世今生
目前第三代半导体材料主要有三族化合物半导体材料、碳化硅和氧化物半导体材料，其中三族化合物半导体常见的有氮化镓和氮化铝；氧化物半导体材料主要有氧化锌、氧化镓和钙钛矿等。第三代半导体材料禁带宽度大，具有击 ...
分类:    2021-1-28 10:18
Yole：半导体市场将在2021年强势复苏
自COVID-19爆发以来，这个病毒已经在全造成超过200万人死亡和巨大的经济损失，半导体行业也在的在世界范围内也受到严重影响。那么半导体行业的经济活动和市场需要多长时间才能恢复？国际货币基金组织（IMF）于2020年 ...
分类:    2021-1-27 11:57
新能源汽车的续航问题靠什么来拯救
向新能源方向靠拢已经成为了汽车行业发展的重要趋势之一。但新能源汽车的续航问题一直被市场所诟病，这也成为了新能源汽车发展的阻力。电动汽车电池管理系统(BMS)对于新能源车来说是重要的一个系统，他是用来连接车 ...
分类:    2021-1-26 17:24
硅的8倍？利用蓝宝石生长氧化镓制备出超宽禁带半导体
1月8日的科学进展（ScienceAdvances）期刊发布了康奈尔大学的一项合作发现，利用蓝宝石生长氧化镓，生成α-铝镓氧化物超宽禁带半导体，其带隙扩展到几乎是硅的8倍。在蓝宝石衬底上生长的α-铝-镓氧化物的示意图这篇 ...
分类:    2021-1-26 17:23
湖南三安第三代半导体芯片厂房封顶，预计今年6月试投产
1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶，该栋厂房占地面积2.36 万平方米、建筑面积5.23 万平方米，钢构大屋面面积为1.65 万平方米。此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项 ...
分类:    2021-1-25 10:46
英诺赛科与ASML签署合作协议，批量采购ASML光刻机
英诺赛科与ASML签署合作协议2021年1月21日，中国珠海-英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。全球领先的硅基氮化镓集成器件制造商英诺赛科 ...
分类:    2021-1-25 10:37
Wolfspeed WolfPACK模块 - 应用及市场概况
电动汽车 (EV) 的发展正不断推动电力电子市场的创新，而许多国家和地区都在为电动汽车的使用提供补贴，电力电子行业的发展必将呈现蒸蒸日上的态势。这种电动汽车接受度和使用度上的急剧提升，对充电基础设施等相关产 ...
分类:    2021-1-22 11:05
北京：加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程
2021年1月20日上午，国务院新闻办公室举行新闻发布会，介绍落实五中全会精神，加快推进北京国际科技创新中心建设的有关情况。会上，北京市副市长、秘书长靳伟表示，到2025年，北京国际科技创新中心基本形成。到2035 ...
分类:    2021-1-22 11:05
一个特斯拉吃掉全球SiC总产能！碳化硅产业瓶颈待破
日本半导体制造商罗姆在ROHM Apollo Co.，Ltd.（总部位于日本福冈县）筑后工厂投建的新厂房于近日完工，并将于本月开始安装生产设备，以满足电动车等用途的碳化硅（SiC）电源控制芯片产能。Source：罗姆罗姆相关负责 ...
分类:    2021-1-21 17:52
青铜剑第三代半导体产业基地开工打造车规级碳化硅功率器件封装线
1月18日上午，深圳青铜剑科技股份有限公司投资的“青铜剑第三代半导体产业基地”奠基仪式在深圳坪山隆重举行。据悉，青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市2020年重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角 ...
分类:    2021-1-21 17:51
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