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宽禁带半导体，演进的方向: 近年来，SiC和GaN正在成为功率半导体行业发展重点。但与此同时，行业厂商正在加紧各方面的布局，例如正在探索金刚石，氧化镓和更多发展的方向。开发金刚石MOSFET互补功率逆变器2023 年 12 月，Power Diamond Systems ...; 分类: 新闻通知 2024-1-2 09:36

日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展: 早稻田大学和 Power Diamonds Systems (PDS) 开发了一种结构，其中金刚石表面覆盖有氧化硅终端（C-Si-O 终端），当栅极电压为 0V 时，该结构会关闭晶体管。为此他们宣布开发出一种“常关”钻石 MOSFET。该成果由Hiro ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:41

SiC投融资 | 清纯半导体：完成数亿元Pre-B轮融资: 近日，清纯半导体宣布完成数亿元Pre-B轮融资，这是清纯半导体继今年4月份完成数亿元A+轮融资以来的又一融资进展。本轮融资由美团龙珠领投，老股东由复容投资领衔，包括蔚来资本、鸿富资产和泽森资本等持续加注，本次 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:40

昕感科技重磅首发业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件: 近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO- ...; 分类: 新闻通知 2023-12-29 09:31

西安交通大学：SiC MOS 在有源功率因数校正电路中的应用: 文章来源：韩芬（西安交通大学城市学院）摘要：为了提高开关电源的工作频率，降低开关损耗，减少电磁污染等，采用第三代半导体功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS，同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:50

上海微系统所发布面向5G/Wi-Fi 6异质集成双模SAW射频滤波器技术: 近日，第69届国际电子器件大会（IEDM 2023）在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为“Miniaturized Dual-Mode SAW Filters using 6-inch LiNbO3-on-SiC for 5G NR and WiFi 6”的 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:40

蔚来发布自研自产1200V SiC功率模块汽车！: 12月23日，蔚来汽车在NIO Day上发布行政旗舰车型ET9，成为蔚来旗下又一款搭载碳化硅（SiC）功率模块的车型。source:蔚来据介绍，ET9采用蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包， ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:34

8吋SiC新技术！产能增40%，成本降80%: 最近，日本举办了“SEMICON Japan 2023”展览会，有一项可用于 6 8吋SiC晶锭切割的新技术引起了多家媒体报道，据称可以降低20%的SiC晶锭切割损耗，衬底片产出可以增加40%，并且由于不需要使用金刚石磨料，加工材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:33

「GaN初识-2」GaN功率器件的分类、集成、封装解决方案: 上一期「GaN初识」栏目我们从概述与发展方面简单地了解了一下氮化镓，神奇的「氮化镓」。本期我们从三个角度出发：◎氮化镓功率器件：分类和运行◎氮化镓结构的集成◎封装解决方案01.GaN功率器件：分类和运行基于GaN ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:16

「GaN初识-1」神奇的「氮化镓」: 导读在一些电力电子应用中，宽带隙材料已开始取代硅。目前，氮化镓（GaN）可能是电力电子领域最具挑战性的技术，它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:09

中科院物理所陈小龙研究员获2023年中国科学院“年度创新人物”: 12月23日，中国科学院在2024年度工作会议上颁发了2023年度中国科学院杰出科技成就奖、青年科学家奖，公布了2023年中国科学院年度人物和年度团队，以及科技促进发展奖获奖名单。其中中国科学院物理研究所陈小龙研究员 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 09:31

全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶: 全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶―为β型氧化镓基板的大口径、高品质做出贡献―Novel晶体科技有限公司在全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓（β-Ga2O3）单晶 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-26 09:35

南京国盛第一枚硅基氮化镓外延片正式下线: 12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势， ...; 分类: 新闻通知 2023-12-26 09:32

科技小饭局之“新芯向荣” 活动成功举办: 12月22日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟联合创客总部、小饭桌、机械工业出版社、中关村产业技术联盟联合会、中国地质大学（北京）材料学院校友会、零碳信息通信网络联合实验室共同组织的科技小饭局之“新芯向 ...; 分类: 联盟动态 2023-12-26 09:09

【深度报告】从沉积设备论半导体设备的国产化加速机遇: 来源：半导体在线*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2023-12-25 08:52

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