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下级分类:  公告通知|联盟动态
基于SIC功率模块的200kW车载逆变控制器介绍
基于SIC功率模块的200kW车载逆变控制器介绍
在电动汽车驱动控制器中,逆变控制器是实现能量交直流转化的关键部件,用于电机的驱动或制动时的能量回收或是提供交流电源。市场对于逆变控制器的能量传输效率、功率密度、价格等方面的要求越来越高。而功率模块又是 ...
分类:    2023-5-16 10:02
APEC 2023会议GaN技术回顾
APEC 2023会议GaN技术回顾
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被广泛认为是能源转换的未来,是佛罗里达州奥兰多举行的APEC 2023会议的突出亮点。根据纳微半导体在演讲中提供的数据,预计到2027年,这两种半导体技术将赢得每年220亿美元的硅功率市场 ...
分类:    2023-5-16 10:00
中关村“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班成功举办
中关村“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班成功举办
5月10日-11日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办,北京中关村信息谷资产管理有限责任公司、济南中关村领创空间科技服务有限责任公司承办,淄博经开区管委会协办的中关村“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级 ...
分类:    2023-5-16 09:53
浅谈碳化硅寿命中的挑战
浅谈碳化硅寿命中的挑战
引言功率半导体作为电力电子行业的驱动力之一,在过去几十年里硅(Si)基半导体器件以其不断优化的技术和成本优势主导了整个电力电子行业,但它也正在接近其理论极限,难以满足系统对高效率、高功率密度的需求。而当下 ...
分类:    2023-5-15 09:48
垂直GaN新进展!成本有望与硅基相当?
垂直GaN新进展!成本有望与硅基相当?
目前市面上大多数GaN器件都是横向型——在硅衬底上形成氮化镓活性层,这样就能以相对较低的成本获得GaN的高频特性,但硅基GaN器件的击穿电压通常很难达到650V或以上。与横向型相比,垂直GaN器件可同时实现更高的电压 ...
分类:    2023-5-15 09:42
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
5月9-11日,基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023,在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升,产品类型进一步丰富,助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工 ...
分类:    2023-5-15 09:40
粤升公司成功研发碳化硅外延设备
粤升公司成功研发碳化硅外延设备
广州粤升半导体设备有限公司专注于SiC外延设备、单晶设备的研发和生产,以客户需求为中心,立足于专业的技术团队,在设备研制、工艺开发、产品应用保障等方面全方位提供服务。“智”造发力,创新未来。粤升公司自主 ...
分类:    2023-5-15 09:27
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
在半导体产业的制造流程上,主要可分成IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。其中所谓的晶圆测试,就是对晶圆上的每颗晶粒进行电性特性检测,以检测和淘汰晶圆上的不合格晶粒。下面我们一起来了解一下半导 ...
分类:    2023-5-9 16:26
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
在半导体产业的制造流程上,主要可分成IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。其中所谓的晶圆测试,就是对晶圆上的每颗晶粒进行电性特性检测,以检测和淘汰晶圆上的不合格晶粒。下面我们一起来了解一下半导 ...
分类:    2023-5-9 16:26
对话:氮化镓来了!如何破解服务器电源高频损耗难题
对话:氮化镓来了!如何破解服务器电源高频损耗难题
编者按:以氮化镓为代表的第三代半导体材料可使得器件适用于高频高温的应用场景。氮化镓的特性成为超高频器件的极佳选择,主要应用在服务器电源、数据中心、5G基站等领域。当前,高频驱动下的第三代半导体电源芯片目 ...
分类:    2023-5-9 15:59
碳化硅产业 · 2023年04月刊
来源:芯TIP
分类:    2023-5-9 15:54
人才短缺,全球半导体的头等大事
人才短缺,全球半导体的头等大事
韩国芯片制造商在美国政府发起推动增加国内半导体制造的努力后投入数十亿美元后,在美国建设和扩大产能方面面临着诸多挑战。他们面临着在美国经营工厂和雇用工人的高昂成本,而通货膨胀只会使这一现实变得更糟。对熟 ...
分类:    2023-5-8 10:25
采用DFN8*8封装,芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
采用DFN8*8封装,芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
近日,据芯塔电子官微消息,芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布,产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证,并获得多家客户的意向订单。芯片方面,技术团队结合先进的晶圆 ...
分类:    2023-5-8 10:19
又有多起SiC合作!积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
又有多起SiC合作!积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
前两天,英飞凌分别与天科合达、天岳先进2家SiC衬底厂商达成合作;近日,SiC领域还有多起合作案,涉及企业包括麦格纳、Wolfspeed、意法半导体、采埃孚等。麦格纳:获SiC逆变器合同5月4日,据外媒消息,麦格纳于近日 ...
分类:    2023-5-8 10:16
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
当前世界上的半导体元件,绝大多数是以第一代半导体材料硅基半导体为主,约占95%的份额,但是随着电动汽车,5G通讯等新兴技术的发展,以氮化镓,碳化硅为代表新型基材越来越受到重视。第三代半导体,以碳化硅为代表 ...
分类:    2023-5-8 10:13

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