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年产2.6亿颗！又一硅/碳化硅半导体器件项目投产: 7月15日，据“温岭品质新城”官微消息，晶能微电子车规级半导体封测基地一期项目暨年产2.6亿颗功率半导体器件封装项目近日全线投产。source：温岭品质新城据悉，该项目通过对浙江益中封装技术有限公司（以下简称益中 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:09

三端GaN二极管可提升光电性能: 三端二极管的结构示意图及对应符号为发光或探测过程中利用外加电场控制载流子传输开启新的可能性从LED到探测器，光电二极管都是基本元件。然而，光电二极管需采用外部驱动电路，这一传统方法会阻碍信号传输速度、带 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:07

GaN极化理论重大更新，教科书要改写？: 近日，在美国密歇根大学研究团队的主导下，氮化镓极化理论从传统的极化概念更新为现代极化理论（MTP），为氮化镓的电子性能优化提供了新的理论基础。具体来看，美国密歇根大学的研究人员通过更新模型，重新审视了氮 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:35

达新半导体 | 张海涛：Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析: 日前，达新半导体副总经理张海涛发表了《Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析》主题演讲。演讲围绕三种功率器件的多个技术路线进行对比，包括器件参数与测试、材料与工艺、可靠性思考及器件应用、未来发展预期等多 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:33

SiC上车高光时刻，牵引逆变器成主战场: 以碳化硅（SiC）为核心的功率半导体，正以其优越的性能，在汽车电气化浪潮中迎来规模化发展。2018年，特斯拉Model 3主驱逆变器将SiC MOSFET替代传统的硅基IGBT，一举将SiC送上新能源汽车的舞台中心。此后，越来越多 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:23

【Sponsorship】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议火热招商！: -关于会议-About APCSCRM 2024亚太碳化硅及相关材料国际会议是亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平国际会议，会议围绕碳化硅等宽禁带半导体材料前沿技术研究、产业链合作发展，为参会企业和观众提供集产品展 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:19

7.8-7.12氮化镓（GaN）行业新闻: 一周新闻速览1.GaN市场正在被重塑2.氮化镓支持3倍快充3.GaN被应用于电源供应器4.美国关于镓基晶体管的发现5.GaN在加速电机驱动中的应用01GaN市场正在被重塑关于功率 GaN 市场，英飞凌科技以 8.3 亿美元收购 GaN Syst ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:55

Si+SiC+GaN混合方案，解决数据中心PSU高功率需求: AI浪潮下对数据中心的需求量激增，而功耗越来越高的AI算力芯片，需要数据中心PSU（电源供应单元）提供更高的功率，同时在体积上还要符合服务器机架内的尺寸。更高的PSU功率密度要求，让SiC、GaN等三代半器件进入数据 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:54

【成员风采】北方华创上半年业绩预增，设备市占率持续提升: 7月11日晚间，北方华创发布2024年半年度业绩预告。公告显示，北方华创预计2024年上半年实现营收114.1-131.4亿元，同比增长35.40%-55.93%；归母净利润25.7-29.6亿元，同比增长42.84%-64.51%；归母扣非净利润24.4-28.1 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:53

通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄(130um)晶圆片下线: 江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度的超薄SiC晶圆片。该设备可以实现6寸和8寸SiC晶锭的全自动 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:53

住友推出孔隙辅助自支撑GaN: 日本住友化学工业株式会社开发了一种孔隙辅助分离（PAS）法，用于制造自支撑氮化镓（GaN）衬底。研究人员评论道：“我们预计，所提出的方法将为实现具有良好生产率的更大尺寸自支撑GaN衬底开辟一条道路。”住友认为 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:52

GaN正在加速电机驱动中的应用: 无刷直流电机（BLDC）在机器人、电动工具、家电和无人机中的应用越来越多。这些应用要求设备具备轻便、小巧、低转矩脉动、低噪音和极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高频率运行，同时需要 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:18

8英寸SiC晶圆线或达30条，衬底磨抛有哪些痛点？: 今天，我们将聚焦8英寸碳化硅的切磨抛环节，并邀请到京创先进、惠丰钻石2家设备端材料端企业，为我们来解答8英寸时代加工难点与降本路径。究竟8英寸碳化硅会在切磨抛环节面临哪些问题？目前的工艺技术如何实现降本增 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:11

宽禁带科技论|北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德国不来梅市举行。本届ISPSD共收到论文投稿338篇，录用141篇，其中口头报告录用42篇。北京大学 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:06

SiC MOS新技术，沟道迁移率有望提升5倍: 众所周知，SiC MOSFET的研发重点之一就是提高栅氧界面（SiO2/SiC）的沟道迁移率，以及降低界面缺陷以提升器件可靠性。近日，业界又有一项新技术在这方面实现了新的突破。东京大学、三菱电机的研究人员在《AlP Advanc ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:40

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