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三菱将SiC产能提高五倍，大举发力功率器件: 三菱电机总裁兼首席执行官 Hiroshi Uruma 表示：“从 2023 年 4 月起，半导体和设备业务总部将由总裁直接控制。公司将通过稳定的供应来支持每个 BA（业务领域）的增长。与此同时，公司对功率器件的战略投资将推动半 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-31 11:07

蓉矽黑科技正式亮相：切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性: 5月26日，蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行。蓉矽半导体董事长戴茂州，副总裁、研发中心总经理高巍博士，副总裁、运营中心总经理廖运健，联讯仪器董事长胡海洋，销售总监张纪出席仪式。何为“WLTBI”系统 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-31 10:47

英飞凌碳化硅：目标、中国衬底和十八般兵器（一）: 前言结合英飞凌GIP（绿色工业能源）事业群总经理Peter Wawer博士和碳化硅负责人Peter Friedrichs博士在本月PCIM上的发言，笔者梳理这家公司在碳化硅产品、技术和供应链上的布局。目标与前景根据近期的一份研报，2022 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-30 10:26

碳化硅晶片的超精密抛光工艺: 摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-30 10:18

三菱电机与Coherent达成合作，SiC产能之争加速！: 5月26日，三菱电机官网宣布已与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。在未来Coherent将为三菱电机在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底，以满足新能源汽车对SiC ...; 分类: 联盟动态 2023-5-30 10:16

SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中？: 导读碳化硅（SiC）是一项至关重要的技术，因为高功率、高速的应用考验着传统硅的极限。下一代系统不仅继续突破性能和能力的界限，还颠覆和取代燃烧化石燃料的系统（如运输、发电、暖通空调），并使其转向清洁、高效 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-29 09:17

GaN 技术：挑战和未来展望: 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来，在电力电子领域占主导地位的硅几乎 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-29 09:14

会员福利！！！2023碳化硅器件应用及测试技术大会邀您参会: 2023碳化硅器件应用及测试技术大会将于6月15-16日在江苏·无锡举办，会议将分为两个应用专场展开，重点聚焦碳化硅产品在光储系统及车用主驱产品中当前的应用进展及技术要求、碳化硅模组工艺和测试技术交流。诚挚邀请 ...; 分类: 公告通知 2023-5-29 08:50

河南省：以重点突破带动超硬材料产业高质量发展: 　　5月25日，河南省委书记楼阳生主持召开超硬材料产业高质量发展座谈会，与相关企业、科研院所的专家学者一起，共同研究推动河南省超硬材料产业高质量发展。省工业和信息化厅汇报了河南省超硬材料产业磨具、珠宝、 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-29 08:46

蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除机理: 蓝宝石材料经过长晶、掏棒、切割、研磨、抛光等加工工艺后达到所需的表面效果，抛光是蓝宝石加工的最后一道工序，决定着抛光后的表面效果。目前化学机械抛光Chemical Mechanical Polishing (CMP)是主要的抛光方式之 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-26 09:06

【联盟动态】科技小饭局——抛光技术在化合物半导体制造的应用技术交流活动成功举办！: 在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中，磨抛是至关重要的部分，通过对磨抛工艺的合理化选择，我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。5月24日，由宽禁带半导体技术创新联盟和小饭桌创服 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-26 08:51

【立项决议】宽禁带联盟2023年度第二次团标评审会顺利召开: 2023年5月23日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第二次团体标准评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对《SiC器件功率循环试验方法》等6项团体标准立项申请进 ...; 分类: 公告通知 2023-5-25 09:54

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT: 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:50

牵头欧洲联合研究计划，英飞凌再发力GaN功率半导体！: 作为国际功率半导体龙头厂商之一，英飞凌的动态备受市场关注，在相关行业扮演着重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。今年3月，英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:29

做一粒好种子：SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...: 在半导体研究中我们经常看下面这个公式：理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，EC是所需耐压的临界 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:26

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