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3C-SiC异质外延简介: 壹 3C-SiC的发展历The Development History of 3C SiC3C-SiC作为碳化硅的一个重要形态，其发展历程体现半导体材料科学的不断进步。上世纪80年代，Nishino等人首次通过化学气相沉积(CVD)在硅衬底上获得4um后的3C-SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-7-30 09:09

解密CMP抛光垫：表面结构如何决定抛光效果？: 在现代半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是至关重要的一步，它决定了晶圆表面平坦度和抛光质量，对最终产品性能有直接影响。而CMP工艺的核心之一便是抛光垫。抛光垫的表面结构及材料特性直接影响抛光效果，进而 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:07

论文推介丨浙大 · 半导体碳化硅衬底的湿法氧化: 半导体碳化硅（4H-SiC）材料具有宽禁带、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场、高热导率等优异性能，已在高频和高功率电子器件、新能源汽车、智能电网等领域展现出广阔的应用前景。随着4H-SiC应用的推进，人们对4H-S ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:06

融资2.6亿，Apro semi1200V氮化镓将量产落地: 近日，又有一家GaN企业宣布实现了1200V GaN器件的突破，并已将量产计划提上日程。7月24日，韩国半导体企业Apro semi宣布，他们成功开发了8英寸1200V级的氮化镓（GaN）外延片技术，现如今公司已成功吸引了大规模投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:03

宽禁带科技论|SiC功率器件封装互连用TLP技术（Cu-Sn全金属间化合物）: 摘要随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料，成为了制约行业发展的瓶颈。Cu-Sn全 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:02

东京工业大学等利用金刚石量子传感器，实现全球最高灵敏度的低频磁场测量: 近日，东京工业大学关口直太特任副教授、岩崎孝之副教授、波多野睦子教授等联合研究团队称，利用金刚石中的氮-空位中心开发出了金刚石量子传感器，在低频磁场下成功实现了9.4pT/√Hz的高灵敏度检测。该团队表示该技 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:28

GaN应用｜将GaN和液冷技术相结合，提升AI 数据中心能效: 实现解决方案的协同效应，自然减少功率损耗并提高投资回报率作者: 英飞凌战略营销副总裁Paul Wiener；应用业务开发总监Julian Styles由于生成式AI和其他新兴技术的激增，数据中心行业正处于十字路口，面临着前所未有 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:27

单晶SiC抛光液里都有什么？: 为第三代半导体材料，由于具备卓越的热导率、高硬度和宽禁带特性，被广泛应用于制造高效能的功率电子器件中，使其成为现代科技发展的关键材料之一。比如说碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由单晶SiC制 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:24

这个国产车规级碳化硅模块项目正式投产: 7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。source：悉智科技据介绍，此次下线的首批量产模块，是悉智科技自研的高端电驱碳化硅（SiC）塑封功率模块产品 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:21

韩国首个1200V 氧化镓SBD问世: 7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。source：Siegtronics据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:20

2条SiC线、年产60万只，该项目已投产: 7月23日，据“厦门市光电半导体行业协会”官微消息，协会会员单位——厦门三优光电股份有限公司投建的“厦门三优光电产业园”已于7月19日顺利投产。资料显示，该产业园位于厦门市同翔高新城同安片区，生产规模达5万 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:18

SiC和GaN功率半导体市场将从2024年的14.1亿美元增至2034年的110.8亿美元，复合年均增 ...: 据Fact.MR的报告预测，全球SiC和GaN功率半导体市场将以22.9%的复合年均增长率从2024年的14.1亿美元增长至2034年的110.8亿美元。SiC和GaN功率半导体具有适合高温和高频应用的特性，因此在汽车、可再生能源、工业和消 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:17

一文了解SiC MOSFET 鲁棒性原理: 在绝大多数电力电子应用中，功率器件主要用于导通和截止状态之间的切换，为了获得最佳效率，需要降低开关损耗，并且减少过冲情况。针对安全工作区（SOA）的功率器件工作状态示意图如图1所示。导通和截止状态之间的转 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:36

碳化钽技术突破，SiC外延污染减少75%？: 近日，德国研究所Fraunhofer IISB在碳化钽涂层技术的研发上取得了突破，开发了一种喷雾涂层方案，具有优于CVD沉积方案的灵活性及环保性，并且已实现商用。Fraunhofer IISB：开发全新TaC涂层技术3月5日，据媒体“Comp ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:27

半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件领域取得新进展 2024-07-24 08:46· ...: III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长，由于大的晶格失配和热失配，导致高密度穿透位错（108-1010），极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:25

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