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纳芯微:高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级
纳芯微:高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级
今日,纳芯微功率器件总监高金萍在“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”上纳芯微功率器件总监高金萍以《高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级》为主题做了相关报告,以下为文字转录:本次报 ...
分类:    2024-7-1 09:05
韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术
韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术
在韩国文化体育观光部的支持下,韩国政府资助的非营利性电子通信研究院(ETRI)与韩国陶瓷工程技术研究所(KICET)合作,开发出了氧化镓(Ga2O3)功率半导体的核心材料和器件工艺技术,即韩国开发的首款3kV级氧化镓 ...
分类:    2024-7-1 09:04
论文推介丨重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
论文推介丨重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
SiC具有带隙宽、击穿电场强度高和热导率高等优异的物理性能,成为制备半导体功率器件和微波射频器件的理想材料。但是,SiC晶体中存在大量的位错,如穿透型螺位错(TSD)在外延时会产生Frank型堆垛层错或胡萝卜缺陷,大 ...
分类:    2024-7-1 09:03
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
SiC作为衬底材料,单晶SiC的表面粗糙度直接影响其在电子器元件中工作的效果与性能。为确保单晶SiC在半导体、衬底材料中的应用的稳定性,其表面粗糙度往往要达到纳米级或以下(工业要求Ra0.3nm)。众所周知,SiC很硬 ...
分类:    2024-6-28 09:55
氧化镓异质结界面
氧化镓异质结界面
金属、绝缘层和其他半导体等不同材料之间的各种类型的电接触是构建器件结构的基础。β-Ga2O3等材料之间的不同接触类型和界面质量充分发挥β-Ga2O3材料的优点,目前 β-GA2O3均匀PN结的实现仍然是一个很大的挑战,其 ...
分类:    2024-6-28 09:48
新增3个SiC项目,已获11+亿资助
新增3个SiC项目,已获11+亿资助
近期,欧盟、韩国均宣布拨款加码SiC产业化,资助金额合计超11亿人民币,法雷奥、贺利氏、SK siltron及DB Hitech等多家企业均已加入到这些资助项目中,详情请往下看。欧盟资助FastLane项目法雷奥、贺利氏已加入6月24 ...
分类:    2024-6-28 09:01
星驱科技郑富辉:基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术解析
星驱科技郑富辉:基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术解析
近日,无锡星驱动力科技有限公司用户体验总监郑富辉“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”上基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术,分享以下几点内容:1、无锡星驱科技有限公司介绍2、多合一跨域控制器 ...
分类:    2024-6-28 08:51
Wolfspeed宣布8英寸碳化硅晶圆工厂实现20%利用率
Wolfspeed宣布8英寸碳化硅晶圆工厂实现20%利用率
6月26日, Wolfspeed官微发布其碳化硅的两项进展。一是莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率,该工厂为8英寸碳化硅工厂。二是碳化硅材料工厂已经达成其 200mm 碳化硅衬底产能目标,将可以支持 MVF ...
分类:    2024-6-27 09:21
搭上AI快车,第三代半导体要起飞了?
搭上AI快车,第三代半导体要起飞了?
第三代半导体功率器件主要以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。其中,SiC功率器件应用领域广泛,新能源汽车已成为其主要应用市场之一。与硅基 ...
分类:    2024-6-27 09:19
碳化硅新应用,热电池转换效率创新高
碳化硅新应用,热电池转换效率创新高
长时间电网级储能将出现新的解方。美国密西根大学开发的热电池,其热能转换器效率达到44%,表现也优于常见的蒸汽涡轮机,其平均效率为35%。太阳能、风力发电成本虽然快速下跌,但是只有再生能源价格下降还不够,因为 ...
分类:    2024-6-27 09:15
芯联集成等启动2个SiC收购案
芯联集成等启动2个SiC收购案
近期,据发现,国内外新增了2起SiC收购案:芯联集成:拟收购控股子公司芯联越州剩余所有股权;Kymera:将收购收购SiC材料企业Fiven ASA。芯联集成:拟收购芯联越州股权6月21日,芯联集成发布公告称,公司拟通过发行 ...
分类:    2024-6-26 09:24
SiC MOSFET 短路检测与保护研究综述
SiC MOSFET 短路检测与保护研究综述
文章来源:电工技术学报作者:吴海富张建忠赵进张雅倩(江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学))摘要:随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET 被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重 ...
分类:    2024-6-26 09:21
NE时代韩家骅:应该关注混动系统对功率模块的带动作用
NE时代韩家骅:应该关注混动系统对功率模块的带动作用
2024年6月19日-20日,“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”在上海嘉定圆满召开。6月20日下午,NE时代研究院数据总监韩家骅带来了标题为“新能源汽车功率半导体的市场格局与机会探讨”的主题演讲,以下为演讲 ...
分类:    2024-6-26 09:13
GaN,“镓”驭全功率——高压大功率应用,氮化镓前景可期
GaN,“镓”驭全功率——高压大功率应用,氮化镓前景可期
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革,目前热门的宽禁带(WBG)功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓(GaN)功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展,EV的逆变器则率先采用了碳 ...
分类:    2024-6-26 09:10
碳化硅的起源
碳化硅的起源
早在特斯拉 Model 3搭载 SiC 逆变器下线 的几十年前,包括木本恒信 (Tsunenobu Kimoto) 在内的一小批研究人员就预见到了碳化硅技术的前景。他们在默默无闻中研究了这项技术,并改进了制造功率晶体管的技术,使其性能 ...
分类:    2024-6-25 09:08

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