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中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破: 近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-20 09:24

综述| 功率器件封装结构热设计综述: 来源 |中国电机工程学报，中国知网作者 |王磊1，魏晓光1*，唐新灵1，林仲康1，赵志斌2，李学宝2单位 |1. 北京智慧能源研究院；2. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室原位 |DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.2 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-19 09:49

斯达半导：自主车规级SiC MOSFET芯片预计今年在主驱市场批量供货: 4月17日，斯达半导举行了2022年度业绩说明会。会上，公司董秘张哲提到：“公司使用非自主芯片的车规级SiC MOSFET 2022年开始在高端新能源乘用汽车客户大批量装车应用。此外，公司的SiC芯片研发及产业化项目正在有序 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-19 09:43

芯片工业：弯道超车之“四杀器”: 据世界知识产权组织（WIPO）统计，中国的专利、商标等知识产权申请量连续多年居世界首位，发明专利、PCT专利申请数量优势显著，但专利布局质量普遍不高。基于此，笔者从半导体专利的全球比较入手，对集成电路产业的 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-19 09:37

半导体瞬态热测试技术的前世今生及未来: 应用半导体的 IV 曲线去测量半导体结温，是一项芯片结温测量技术，从半导体物理学的角度，我们知道在 PN 结上施加恒流源后，结电压随着温度的变化大约是 -1 mV/°C～-2 mV/°C。描绘二极管电压随着温度的变化特征可 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-19 09:30

金刚石功率半导体，电力损失为硅的5万分之1，期待用于人造卫星: 利用被称为“终极功率半导体”的金刚石开发电力控制用半导体的研究正在推进之中。与新一代功率半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，金刚石对高电压的耐久性等更加优异，电力损失能减少到硅产品的五万分之一。其 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-18 09:36

采用超薄势垒AlN/GaN异质结和三维栅结构实现高效率氮化镓增强型射频器件: 在一项最近发表的研究中（Jingshu Guo , Jiejie Zhu , Siyu Liu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(4): 590-593），西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心联合苏州晶湛半导体有限公司报道了具 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-18 09:23

氮化镓行业专题报告: 氮化镓行业专题报告2023-04-18 08:55·宽禁带联盟来源：半导体在线; 分类: 联盟动态 2023-4-18 09:16

中国工程院院士干勇：关注半导体材料发展国际趋势: 从国际半导体产业发展趋势来看，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体为代表的半导 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-18 09:14

碳化硅掀起电力电子革命: 几周前，笔者采访了 EV Open Platform MIH Consortium的首席执行官 Jack Cheng 。我们就他在电动汽车和整个电动汽车行业的历史一探究竟。2018 年，特斯拉在其新款 Model 3 电动汽车中采用了 ST Microelectronics 基 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-17 09:37

用钌钝化氮化镓: 使用钌溶液钝化GaN表面时，肖特基二极管的性能得到了改善来自印度的一个团队正在率先使用钌溶液来钝化GaN表面。有效的钝化对于优化GaN器件的性能至关重要，因为它消除了氧杂质和氮空位等缺陷，这些缺陷是高栅极泄漏 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-17 09:36

采埃孚与意法半导体就碳化硅器件签署多年供应协议: 4月13日，采埃孚官网宣布，将与意法半导体就碳化硅器件签署多年供应协议，从意法半导体采购碳化硅器件。根据这份多年期合同的条款，意法半导体将提供数量达数百万的碳化硅器件，这些器件将集成到采埃孚新的模块化逆 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-17 09:30

【思想盛宴+淄博小烧烤】“高精尖”研修班与您相约: 01 活动简介宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-17 09:25

技术 | 是否需要额外反并联SiC SBD?: 目前第三代宽禁带半导体越发火热，最近的所见所闻也都几乎与此相关，不断的涌现新的产品，新的封装。从一开始的全Si基模块，到结合SiC SBD的混合模块，再到全SiC模块。以SiC SBD代替Si基二极管的混合模块，在损耗和 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-14 11:20

【国际论文】SiC MOSFETs的超宽禁带Ga₂O₃: 近日，由宾夕法尼亚州立大学、加利福尼亚大学和俄亥俄州立大学等的研究人员于科学期刊《ACS Publications》发布了一篇名为Ultra-Wide Band Gap Ga2O3-on-SiC MOSFETs（SiC MOSFETs的超宽禁带Ga2O3）的氧化镓相关论文 ...; 分类: 联盟动态 2023-4-14 10:54

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