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宽禁带科技论|西电郝跃院士、张进成教授团队揭示(110)晶面单晶金刚石扩大生长机理
宽禁带科技论|西电郝跃院士、张进成教授团队揭示(110)晶面单晶金刚石扩大生长机理
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表,因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性,成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中,(110)单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用 ...
分类:    2025-6-6 09:24
首个基于GaN HEMT的后处理金刚石
首个基于GaN HEMT的后处理金刚石
美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)宣称,首次在射频(RF)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)上集成了后处理金刚石 。研究人员认为这是“使用金刚石均热片对X波段GaN HEMT进行热管理的宝贵平台” ...
分类:    2025-6-4 09:09
金刚石晶体前沿
金刚石晶体前沿
面向科技前沿,聚焦人工晶体,汇集研究新进展!一周晶体前沿,一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览,我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院上海光学精密机械研究所赵呈春 ...
分类:    2025-6-4 09:07
GaN在电机驱动/逆变器设计中的优势
GaN在电机驱动/逆变器设计中的优势
本文详解GaN技术在3kW以内电机驱动与逆变器系统中的系统级优势,强调其在降低功耗、简化结构、减少BOM成本以及实现更高功率密度和更平稳控制方面的表现。Cambridge GaN Devices的ICeGaN产品以兼容传统驱动、集成电流 ...
分类:    2025-6-4 09:03
GaN,助力6G
GaN,助力6G
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合新的基于 GaN 的架构将使海量数据的通信和传输变得更加容易。布里斯托大学领导的研究可以通过使基于 GaN 的射频功率放大器更快、更强大、更可靠来增强 6G 传输。该项突破发 ...
分类:    2025-6-3 10:57
可实现碳中和的功率半导体
可实现碳中和的功率半导体
以宽禁带功率器件日益增长的应用为先导,半导体技术和电力电子技术的进展对于减少温室气体排放、在2050年之前构建碳中和能源系统至关重要。作者:香港大学YUHAO ZHANG过去十年间,以GaN和SiC为基础的宽禁带功率器件 ...
分类:    2025-6-3 10:20
季丰电子携手林众电子、瞻芯电子共建功率半导体联合实验室
季丰电子携手林众电子、瞻芯电子共建功率半导体联合实验室
近日,上海季丰电子股份有限公司(以下简称“季丰电子”)与上海林众电子科技有限公司(以下简称“林众电子”)、上海瞻芯电子科技股份有限公司(以下简称“瞻芯电子”)正式达成战略合作伙伴关系,三方将共建功率半 ...
分类:    2025-6-3 10:18
重磅首发!2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛首批嘉宾阵容揭晓!
重磅首发!2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛首批嘉宾阵容揭晓!
会议背景为推动宽禁带半导体产业的可持续发展,突破产业发展的瓶颈,探寻新的发展机遇,宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15 日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业 ...
分类:    2025-6-3 10:11
罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产
罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产
5月27日,罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应 ...
分类:    2025-5-30 09:15
长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线
长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线
2025年5月28日上午,湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地,察看碳化硅晶圆生产线,并见证基地首片晶圆生产下线。现场,随着首片晶圆从生产车间成功下线,总投资超200亿元的长飞先进武汉基 ...
分类:    2025-5-30 09:11
杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心
杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心
近期,杰平方半导体(上海)有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅(SiC)战略合作协议,并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。图片来源:杰平方半导体资料显示, #奥斯达克 作为车载电 ...
分类:    2025-5-30 09:09
1500V:GaN功率器件突破电压极限的关键是什么?
1500V:GaN功率器件突破电压极限的关键是什么?
横向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)目前在中低功率转换应用中呈现出强劲的增长态势。要将这种材料体系拓展到更高电压等级,必须在器件结构设计与衬底技术上进行创新。本文总结了台湾研究团队在开发1500V击穿电压GaN ...
分类:    2025-5-30 09:08
广州这个氧化镓外延项目即将投产
广州这个氧化镓外延项目即将投产
近日,由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学(广州)联合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用!该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套,具备批量化外延制备 ...
分类:    2025-5-29 09:26
近20家终端企业看好SiC,充电模块应用加速
近20家终端企业看好SiC,充电模块应用加速
如今,碳化硅在新能源领域应用速度不断加快,渗透率持续提高。其中,充电模块随着新能源汽车的快速发展,其市场规模不断扩大,对碳化硅功率器件的需求也与日俱增。值得关注的是,近日国内头部充电模块供应商优优绿能 ...
分类:    2025-5-29 09:23
港交所将迎中国碳化硅芯片首股,基本半导体第三代半导体资本竞速
港交所将迎中国碳化硅芯片首股,基本半导体第三代半导体资本竞速
5月27日,深圳基本半导体股份有限公司(简称“基本半导体”)正式向港交所递交上市申请,中信证券、国金证券(香港)及中银国际担任联席保荐人,这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。图片来源: ...
分类:    2025-5-29 09:21

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