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1200V 13.5mΩ，瞻芯电子第三代碳化硅量产: 6月根据瞻芯电子官微消息，基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-25 09:06

研报 | 2023年SiC功率元件营收排名，ST以32.6%市占率稳居第一: 产业洞察据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-25 09:05

宽禁带联盟诚邀您参加 SEMI-e 2024深圳半导体展，附带展商名录: SEMI-e第六届深圳国际半导体展将于6月26-28日在深圳国际会展中心（宝安）4/6/8号馆盛大开幕！此次展会聚集815家半导体行业展商，50+企业代表现场精彩分享，创新成果与领先产品集中亮相，为半导体产业链的升阶发展搭 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-25 09:03

Mg插入GaN超晶格结构及在器件应用: Mg插入的氮化镓超晶格的结构，这里也称为MiGs（Mg-intercalated GaN superlattices structure），也属于GaN:2D -mg掺杂超晶格。1.实验方案首先使用传统的物理气蒸气沉积方法，如电子束蒸发或溅射，在单晶纤锌矿氮化 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-24 09:14

长电科技：车规级功率器件产线“跑出加速度”: 目前，长电科技（600584）在上海临港（600848）加速建设公司首座大规模生产车规级芯片成品的先进封装基地，以服务国内外汽车电子领域客户和行业合作伙伴。该项目作为专业的汽车芯片封测工厂，将配备高度自动化的汽车 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-24 09:11

论文推介丨AlN/β-Ga₂O₃ HEMT直流特性仿真: β-Ga2O3具有禁带宽度宽、击穿电场强度高、电子饱和速度大等优点，虽然β-Ga2O3的极性光学声子散射使其电子迁移率远远低于GaN的电子迁移率，但是β-Ga2O3的高击穿电场强度使其巴利伽优值较大，因此在大功率高频器件 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-24 09:05

恩智浦和采埃孚合作开发碳化硅逆变器: 恩智浦半导体宣布与采埃孚股份合作开发用于电动汽车的下一代基于SiC的800V牵引逆变器，采埃孚将使用恩智浦的GD316x高压隔离式栅极驱动器。随着牵引逆变器向基于碳化硅的设计迁移，碳化硅功率器件需要与高压隔离栅极 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-21 08:52

定制开发SiC芯片，清纯半导体与这家企业达成战略合作: 在SiC加速“上车”大趋势下，各大SiC相关企业纷纷加速SiC车载应用产品研发，近日，又有两家厂商加入其中。6月20日，据清纯半导体官微披露，清纯半导体日前与悉智科技在清纯半导体宁波总部签订车载电驱功率模块供电电 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-21 08:49

增资20亿美元，SiC功率器件龙头安森美扩产！: 为满足SiC功率器件不断增长的市场需求、提升企业竞争力，各大SiC功率器件厂商在投资扩产方面动作频频。作为头部玩家，onsemi（安森美）也在近日大手笔提升产能。6月19日，安森美宣布将在捷克共和国建造先进的垂直整 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-21 08:47

环球晶圆：预估今年碳化硅业务增幅将达50%: 半导体晶圆厂环球晶圆董事长徐秀兰今天表示，今年营运可望逐季成长，只是汽车、手机及工业市场需求疲弱影响，回升幅度较预期缓和，未能如原先预期出现「V型反弹」。环球晶圆今天召开股东常会，徐秀兰会后受访说，第1 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-20 08:48

超200亿！国内最大碳化硅基地长飞先进正式封顶: 长飞先进武汉基地正式封顶6月19日，据长飞先进官微消息显示，年产36万片SiC晶圆的长飞先进武汉基地日前正式完成主体结构封顶。source：长飞先进据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-20 08:46

给SiC“挖坑”，国产有机会吗？: 在Si IGBT和Si MOSFET时代，沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势。而到了SiC时代，这个祖传“挖坑”的手艺却开始有了风险。想要做出沟槽型SiC MOSFET，就要先克服各种难题。因此，现在SiC MOSFET在业界 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-20 08:44

【成员风采】士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工: 6月18日，士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。福建省委常委、厦门市委书记崔永辉宣布项目开工，厦门市委副书记、市长黄文辉，士兰微电子董事长陈向东，第三代半导体 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-20 08:42

龙微有光、季华恒一、SiCSem 3个SiC项目即将开建: 最近，SiC项目建设火热，据悉，国内龙微有光、及印度SiCSem均有相关动作。龙微有光：建设SiC模块封装项目据“驻马店广视网”消息，6月11日，河南驻马店市城乡一体化示范区与重庆龙微有光半导体科技有限公司以视频方 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-19 09:31

氮化镓功率集成电路技术: 作者：李思超、何俊蕾、李成果、叶刚、赵波、葛晓明、贾汉祥、卢双赞、潘磊、胡昌宇、王瑜璞，九峰山实验室从分立器件到集成电路相较于传统体硅材料制造的功率器件，以GaN、SiC为代表的第三代化合物半导体凭借其卓越 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-19 09:29

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