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市场推广机会，了解一下｜第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 国际会议 x 行业展览会员优享，折扣多多SPONSOR距离APCSCRM2022还剩不到2个月啦快来看看有哪些市场推广机会让你的企业展风采赢商机01 赞助套餐精选套餐满足多样需求最大优惠福利一年一次名额有限，预订从速- 展位布 ...; 分类: 公告通知 2022-5-27 10:28

昭和电工（SDK）实施8英寸碳化硅晶圆技术开发9年计划: 5月23日, 昭和电工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月，昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。2020 年10 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-27 10:27

「一图GET」一图搞懂碳化硅——晶圆制造篇: 来源：碳化硅芯观察; 分类: 联盟动态 2022-5-27 10:27

华中科技大学｜宽禁带半导体封装集成技术研究: 来源：碳化硅芯观察; 分类: 联盟动态 2022-5-27 10:25

第三代半导体未来之星——碳化硅: 半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞2.3eV）特性的新兴半导体材料。碳化硅是目前发展最成熟的第三代 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-26 11:45

碳化硅技术在并网型应用中的优势: 碳化硅 (SiC) 元件能够为电力输送系统实现更高的效率和可靠性，尤其是对并网型且几乎全天候运行的逆变器和有源整流器。由于行业正在寻找更环保的解决方案，例如太阳能和电动汽车 (EV) 充电领域，对于更高效率和更可 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-26 11:44

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展（下）: 2． 3 金刚石与 GaN 间的界面热阻除了在 GaN 表面外延的金刚石质量会影响散热效率外，金刚石和氮化镓材料间的界面热阻( TBＲ) 也是一项重要的参数。界面热阻又称边界热阻，出现在不同介质之间的界面处，会阻碍热流的 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-26 11:42

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展（上）: 摘要:氮化镓( GaN) 高电子迁移率晶体管( high electron mobility transistor，HEMT) 以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中，但其高功率密度和高频特性给 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-26 11:37

在光伏储能领域，第三代半导体发展如何？: 01第三代半导体技术的加速导入，将助力光伏储能系统进一步提效降本随着全球环境不断恶化与化石能源耗尽，世界各国都纷纷找寻适合人类生存发展的新型能源，建设光伏储能项目是当下实行能源转型的重要措施。第三代半导 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-26 11:36

芯塔电子推出1200V SiC MOSFET，计划车规级模块封装线建设: 5月23日，国产碳化硅器件设计公司芯塔电子在官网发布了芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试情况，同时表示SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域， ...; 分类: 联盟动态 2022-5-25 16:26

全球碳化硅专利竞赛中的本土力量: Knowmade近日发布了一份新的碳化硅（SiC）知识产权（IP）报告，分析师选择并分析了500多个不同实体提交的13,700多个专利族（发明），从专利格局的角度对碳化硅的竞争、技术发展和进行了全面分析，涵盖碳化硅晶锭和外 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-25 16:26

征稿！快来！|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 征稿通知APCSCRM 2022- Call for paper -01【征稿简介】为促进宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装、器件模块应用和标准化等领域理论和技术的学习与交流，会议将开展论文交流活动，欢迎国内外高校、科研院所和企事 ...; 分类: 公告通知 2022-5-25 16:25

【公开课】“砥砺五十年”线上学术讲堂丨陈小龙：碳化硅晶体生长和产业化: 第一讲碳化硅晶体生长和产业化内容要点：报告主要讲述碳化硅晶体材料的制备，包括单晶和外延材料，物性和缺陷表征以及面临的挑战等，简要介绍碳化硅器件特性和应用，以及未来发展趋势。主讲嘉宾：陈小龙研究员中国科 ...; 分类: 公告通知 2022-5-24 14:57

8英寸仅5200元！？日本OXIDE公司推动液相法制备SiC技术走向量产: 日本公司突破液相法制备碳化硅技术5月18日，日本OXIDE公司官网宣布于2022年2月投资4亿日元（约合2100万人民币），用于建设专注于高质量8英寸碳化硅衬底材料研制的工厂。据悉，日本OXIDE公司此次投资扩产活动主要目的 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-24 14:54

国产化：半导体设备、晶圆厂（下）: 分类: 联盟动态 2022-5-24 14:53

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