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纳微半导体：GaN双向IC：推动电力电子领域的范式变革: 功率半导体的发展，始终源于对无限接近理想开关器件性能的不懈追求。多年以来，设计工程师们一直构想这样一种技术：它既能有效阻断反向电压，又能以近乎零损耗的状态实现双向电流导通。如今，随着GaN（氮化镓）技术 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-29 09:18

新加坡迎来一条8英寸碳化硅产线，亚洲第三代半导体竞赛再升级: 近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布启动全球首条200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工业级开放研发生产线。图片来源：A-STAR图为A-STAR首席执行官 Beh Kian Teik该生产线由ASTAR微电子研究所（IME）运营，整合了从材 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:44

十年磨一剑！丰田发布SiC插混车型: 日前，丰田汽车首次向全球发布第六代丰田RAV4。其中，新RAV4的插电混动车型首次采用SiC，在实现系统体积更小巧的同时，动力更强、油耗更低。十年前，丰田将SiC搭载在插电式混合动力车Prius的试制车上进行测试；十年 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:43

动力总成功率半导体解析 | IGBT, SiC Mosfet, GaN HEMT半导体工作原理: 导言：Si基IGBT在电力电子应用行业占据主导地位，比如不间断电源、工业电机驱动、有轨电车以及电动汽车(EV)等；市场对更小型化产品的需求，使得碳化硅(SiC)MOSFET, GaN HEMT等将会成为这些应用中受欢迎的替代品；同 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:41

氨热法 GaN 单晶生长的位错密度演变研究: 摘要：氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:20

北京科技大学李成明教授：CVD金刚石膜应力的产生、抑制和应用: 金刚石具有优异的性能，在光学、电子器件热管理领域及宽禁带半导体领域有着广阔的应用前景，被誉为终代半导体。作为光学窗口需要大尺寸、厚度2 mm以上的CVD金刚石自支撑厚膜；在半导体散热中，则需要4英寸以上、100 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:18

株洲中车8英寸SiC产线披露最新进展: 5月21日，#株洲中车董事长李东林在“先进轨道交通行业专场”说明会上透露了公司在碳化硅（SiC）产业的最新进展。株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设，其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动，计划2025年5月完 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:14

小米SiC新车型亮相，有望搭载多家国产碳化硅？: 5月22日晚，小米举行战略新品发布会，并发布多款新品。会上，小米集团董事长雷军携小米首款SUV车型 YU7 正式亮相，该车型全系采用800V碳化硅高压平台，将于今年7月正式上市。会上，雷军还透露了小米su7的交付情况， ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:12

深圳平湖实验室刘妍博士在Journal of Applied Physics发表科研成果: 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties of β-(AlGa)2O3/Ga2O3 quantum cascade structure”的文章。 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:08

北大-中启芯金刚石芯片联合实验室成立: 5月20日，内蒙古中启芯材料有限公司开机庆典暨北大-中启芯金刚石芯片联合实验室挂牌仪式在金山国家高新区新能源产业园区举行。据了解，此次中启芯与北京大学合作将围绕金刚石半导体材料与器件集成、金刚石先进功率电 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:39

深圳平湖实验室自主设计超宽禁带半导体材料和器件综合表征系统: 【成员风采】集智攀登，聚力创芯——深圳平湖实验室自主设计超宽禁带半导体材料和器件综合表征系统填补领域空白深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的实体运营单位，其第四代半导体材料与器件课 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:36

住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统: 住友化学（Sumitomo Chemical）开发出一种可大规模生产的无石英氢化物气相外延（QF-HVPE）系统，能够制造出据称在室温和低温下均创下迁移率纪录的氮化镓（GaN）材料。该材料已在 4 英寸独立式氮化镓衬底和 6 英寸蓝 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:28

宽禁带科技论|北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件: 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:26

国产机器人再次采用氮化镓！有何突破？: “GaN的临界点已来！”此前，EPC公司CEO及创始人Alex Lidow在公开文章中直言，并进一步表示，GaN的应用临界点之一的“人形机器人”具有重要意义。近日，一国产人形机器人关节模组成功采用GaN，不仅为国产机器人核心 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:50

英飞凌宣布两项合作，助力电能突破: 近期，媒体报道#英飞凌两项电源领域合作。5月20日，英飞凌公司表示，将与#英伟达合作开发下一代电源系统，以革新未来人工智能数据中心所需的电力传输架构。英飞凌表示，该全新系统架构能显著提升数据中心内电能分 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:48

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