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「沟槽」的SiC 战场: *来源：PGC Consultancy Ltd 作者：Peter Gammon 编译：吴晰目前，SiC 行业出现了两极分化：一方面是选择保守、安全的平面 MOSFET 设计，另一方面是大力发展高效、紧凑的沟槽 MOSFET 设计。虽然目前平面设计似乎占据 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-26 09:19

美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于SiC晶圆生产: 今天，美国能源部（DOE）贷款计划办公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS， LLC提供5.44亿美元的有条件贷款，以扩大美国电动汽车（EV）电力电子设备用高质量碳化硅（SiC）晶圆的生产。碳化硅半导体专为高压应用而设计， ...; 分类: 新闻通知 2024-2-26 09:16

氧化镓，进展如何？: 摘要在美国，电能占一次能源使用总量的 40%，而且随着电动汽车、可再生能源发电和能源存储的出现，预计电能的使用量还将迅速增长，因此，电力电子产品正变得越来越重要。由于硅材料已达到极限，因此需要更适合大功率 ...; 分类: 联盟动态 2024-2-23 11:24

半导体器件为什么需要“外延层”: 外延片的名字来源首先，先普及一个小概念：晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-23 09:40

第三代半导体外延材料的产业化应用之路: 手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料，这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示，到2026年，全球氮化镓电子和光电 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-23 09:25

南京邮电大学：mist-CVD生长Sn:Ga₂O₃的方法进行了深入研究: 雾化化学气相沉积（mist-CVD）技术是一种被广泛应用于Ga2O3薄膜生长的方法。这一技术的突出特点包括无需真空、低成本和易操作，同时由于采用有机镓源与氧源反应沉积Ga2O3，与主流的金属有机化学气相沉积（MOCVD）技 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-22 09:52

带隙对决：GaN和SiC，哪个会占上风: 电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。随着氮化镓（GaN）在照明领域应用的兴起，电力电子封装技术的进步也同样重要。氮化镓和碳化硅（SiC）的采用需要创新方法来管理增加的功率能力。散热器技术的最新发展尤其 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-22 09:44

【成员风采】中机新材获过亿元 A 轮融资: 中机新材完成过亿元A轮融资北拓资本官方于2月20日发布消息称，深圳中机新材料有限公司（以下简称：中机新材）日前完成过亿元A轮融资。本轮融资由元禾璞华、毅达资本领投，中金战新、元禾控股、深圳中小担、立湾创投 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-22 09:40

宽禁带科技论|MIS终端物理模型开发助力高性能GaN SBD的研制: 在导体功率器件建模仿真过程中，在折中考虑高的击穿电压和优异的正向特性的情况下，也需要考虑制备过程中引入的表面缺陷，它会对器件正反向特性及可靠性产生影响。近期，河北工业大学、广东工业大学和南京大学联合开 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-21 11:22

芯三代半导体、先导电子启动A股IPO辅导: 2月18日，证监会披露了首次公开发行股票并上市公司辅导备案的公示。新辅导公司：芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司、先导电子科技股份有限公司在列。芯三代拟A股IPO，已进行上市辅导备案2月18日，证监会披露了关 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-21 11:19

onsemi | 电动汽车直流快速充电器中的宽禁带半导体: 本文整合自2023 年 12 月 PowerUP 虚拟博览会期间，onsemi 电源解决方案集团高级产品线经理 Pramod Patil 发表的演讲。电动汽车中的宽带隙 (WBG) 半导体自本世纪初以来，许多因素推动了汽车中半导体的使用增加。电子 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-21 11:15

横评：碳化硅五巨头业绩出炉，亮点各不相同: 随着全球能源结构的转型和新能源汽车市场的迅猛增长，功率半导体行业正迎来前所未有的发展机遇。作为电子设备的核心元件之一，功率半导体在电动汽车、风电、太阳能发电等领域扮演着至关重要的角色。根据Yole数据，20 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-21 11:14

碳化硅电驱动总成设计与测试: 作者：陈登峰,宋君峰,位超群(上海汽车电驱动有限公司，上海汽车电驱动工程技术研究中心)摘要：基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-20 10:49

GaN晶体和晶圆制造的难点在哪里？: 本期主题：The Status and Challenges of rnaking GaN Crystals and Wafers and characterization of device relevant issues报告作者：Elke Meissner (Fraunhofer IISB)GaN晶体和晶圆制造的难点在哪里？2024-02-20 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-20 10:44

科普报告丨金刚石能揽芯片活吗: 分类: 新闻通知 2024-2-20 10:35

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