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下级分类:  公告通知|联盟动态
一周晶体前沿——宽禁带半导体
一周晶体前沿——宽禁带半导体
面向科技前沿,聚焦人工晶体,汇集研究新进展!一周晶体前沿,一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览,我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ...
分类:    2024-1-11 09:47
宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开
宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开
2024年1月10日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)第六批团体标准送审稿评审会顺利召开,本次评审会采取线上评审的形式,分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级 ...
分类:    2024-1-11 09:31
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究
摘要:金刚石在应用于高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件方面具有显著优势,被业界誉为“终极半导体”。本研究使用微射流激光技术对单晶金刚石晶体进行切片加工,并采用亚纳米级白光干测仪进行材料形貌分析,当 ...
分类:    2024-1-10 11:15
比亚迪、蔚来改变SiC路线!它将成主流?
比亚迪、蔚来改变SiC路线!它将成主流?
最近小米汽车SU7正式亮相,细心注意的人会发现,他们主驱电控的SiC功率模块并没有采用常规的HPD三相全桥模块,而是采用了SiC半桥模块。据调研,除了小米外,比亚迪、蔚来、北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在转向Si ...
分类:    2024-1-10 09:29
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件,耐压能力大 ...
攻克氮化镓功率器件近30年难题:北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件,耐压能力大 ...
近期,北京大学团队研发增强型 p 型栅氮化镓(GaN)晶体管,并首次在高达 4500V 工作电压下实现低动态电阻工作能力。研究人员在 GaN 功率器件的表面引入新型有源钝化结构,在蓝宝石衬底成功制备具有该结构的新型器件 ...
分类:    2024-1-10 09:24
理想汽车与安森美续签长期订单!SiC加速上车
理想汽车与安森美续签长期订单!SiC加速上车
1月9日,安森美正式宣布与理想汽车续签长期供货协议。source:安森美据悉,理想汽车已在其增程式电动车型(EREV)中采用安森美成熟的800万像素图像传感器,而在此次协议签订后,理想汽车将在其下一代800V高压纯电车 ...
分类:    2024-1-10 09:18
SiC · 十二月大事记|SiC月刊
SiC · 十二月大事记|SiC月刊
分类:    2024-1-9 09:48
开个好年!SiC领域新增4起合作
开个好年!SiC领域新增4起合作
2024年开年,多家企业宣布就SiC达成合作,力争“开个好年”:●芯塔电子中科海奥:达成战略合作,推动SiC技术在光储的应用;●清软微视:国产SiC 检测设备成功中标高校研究院,已签订采购合同;●乾晶半导体中宜创芯 ...
分类:    2024-1-9 09:33
重要里程碑→碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯
重要里程碑→碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯
1月4日,据科技日报报道,天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题,在保证石墨烯优良特性的前提下,打开了石墨烯带隙,成为开启石墨烯芯片制造领域 ...
分类:    2024-1-9 09:11
西安交通大学实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
西安交通大学实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产
金刚石半导体具有超宽禁带(5.45eV),高击穿场强(10MV/cm)、高载流子饱和漂移速度、高热导率(22W/cmK)等材料特性,以及优异的器件品质因子(Johnson、Keyes、Baliga),采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率 ...
分类:    2024-1-8 10:05
天科合达:碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述
天科合达:碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述
全文速览目前常见的SiC外延技术有化学气相沉积(CVD)、液相外延生长(LPE)、分子束外延生长(MBE)等,当前,CVD是主流技术,具备较高生长速率、能够实现可控掺杂调控等优点。CVD外延生长通常使用硅烷和碳氢化合物作为反 ...
分类:    2024-1-8 09:22
观点 | Victor Veliadis:碳化硅晶圆大小的成本与降价逻辑;硅基芯片从IDM到Fabless之 ...
观点 | Victor Veliadis:碳化硅晶圆大小的成本与降价逻辑;硅基芯片从IDM到Fabless之 ...
Victor Veliadis:PowerAmerica常务董事兼首席技术官。IEEE国际宽禁带半导体技术路线图委员会(ITRW)主席、美国北卡罗莱纳州立大学教授、国际电气和电子工程师协会会士(IEEE Fellow)。拥有约翰霍普斯金大学电气工程博 ...
分类:    2024-1-5 09:20
Yole:到2029年全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计达58亿美元
Yole:到2029年全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计达58亿美元
Yole Intelligence推出《2024年化合物半导体行业现状报告》,全面分析市场动态、生态系统演变和技术趋势,重点关注CS衬底和外延晶圆。在功率和光子学应用强劲扩张的推动下,到2029年,全球化合物半导体衬底和外延晶 ...
分类:    2024-1-5 09:19
宽禁带科技论 | 研究不同工艺参数对 200mm SiC 单晶生长位错密度的影响
宽禁带科技论 | 研究不同工艺参数对 200mm SiC 单晶生长位错密度的影响
宽禁带科技论"宽禁带科技论"将介绍宽禁带半导体行业内的最新科技论文,为读者提供行业内前沿科技信息。碳化硅(SiC)单晶由于具有高击穿场强、高导热性和高载流子饱和迁移率等优异的性能,是一种理想的宽禁带半导 ...
分类:    2024-1-5 09:10
1.7亿元!该GaN企业聚能创芯完成新一轮增资
1.7亿元!该GaN企业聚能创芯完成新一轮增资
近日,赛微电子官微宣布,聚能创芯已完成1.7亿元人民币A轮融资,以专注硅基氮化镓(GaN)的研发、设计、生产和销售。据赛微电子公告,湖州中金启合股权投资合伙企业(有限合伙)、湖州市人才创新股权投资基金合伙企 ...
分类:    2024-1-4 09:23

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