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华为布局SiC超充赛道！: 近期，#华为数字能源正式发布兆瓦级全液冷超充解决方案，透露该方案搭载自主研发的SiC芯片，能量密度是传统硅基器件的3倍。据悉，华为数字能源的兆瓦超充方案最大充电电流为2400安，最大功率达1.44兆瓦，每分钟可以 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:08

郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长，并刷新人眼安全波段金刚石拉曼激光 ...: 金刚石凭借其超高热导率、宽谱透光性以及卓越的物理化学稳定性，成为极端环境下光电器件的理想选择。同时，金刚石还具备出色的拉曼特性，如具有已知晶体中最大的拉曼频移（1332 cm-1）和极高的拉曼增益系数（~10 cm/ ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:06

宽禁带科技论|电子科大罗小蓉教授团队：p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 ...: 本篇文章由电子科技大学罗小蓉教授团队投稿。作者姓名：谢欣桐工作单位：电子科技大学联系方式：18981992416xtxie@std.uestc.edu.cn近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:03

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队---W/Au β-Ga₂O₃肖特基二极管 ...: 近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Micromachines发布了一篇名为 The Barrier Inhomogeneity and the Electrical Characteristics of W/Au β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes（W/Au β-Ga2O3 肖特基二极 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 10:30

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队---W/Au β-Ga₂O₃肖特基二极管 ...: 近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Micromachines发布了一篇名为 The Barrier Inhomogeneity and the Electrical Characteristics of W/Au β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes（W/Au β-Ga2O3 肖特基二极 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 10:30

荔园定律：氮化镓快充技术的发展定律: 深圳大学：钟智祥、吴雨桐、蒋冰；浙江大学：李京波；江南大学：敖金平；电子科技大学：朱仁强、张波；复旦大学：桑立雯；北京大学：魏进；西安电子科技大学：刘志宏，张春福；北京大学东莞光电研究院：王琦；湖南大 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:38

碳化硅赋予IGBT新生命: 本文回顾了硅基IGBT的发展历程，并聚焦碳化硅（SiC）材料赋能IGBT的最新研究进展，尤其是北卡州立大学团队对15kV SiC IGBT的实验验证，展示了其在中压智能电网和电能转换中的潜力，预示着IGBT在宽禁带材料支持下可拓 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:37

2025“科创中国”科技创新创效行动项目征集来啦！: 创新潮涌，科创未来！2025，“科创中国”科技创新创效大赛转型升级为“科创中国”科技创新创效行动，以全新姿态开启服务科技创新征程。行动立足现代化产业体系建设和发展新质生产力的最新要求，聚力打造产学研用深度 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:32

未来电力革命双引擎：GaN与SiC功率器件深度解析: 本文转自：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 71, NO. 3, MARCH 2024作者：M. Buffolo et al.本文由帕多瓦大学的G. Meneghesso教授和E. Zanoni教授等人合作撰写。本文针对当前及下一代电力电子领域中市售 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:30

聚焦SiC超充赛道，华为、中建、安世博等加速布局: 前不久，“行家说三代半”报道了今年一季度碳化硅在超充领域的应用情况。近期，我们发现又有多家企业集中发布应用碳化硅技术的新产品，与此同时，不少超充站建设也开始采用碳化硅，这意味着：采用碳化硅的企业持续增 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-15 09:28

涉及功率器件领域，英飞凌与美的集团深化合作！: 5月14日消息，英飞凌科技与美的集团近日签署战略合作协议。双方将深度整合各自优势资源，在智能家电、新能源以及全球供应等多维度加深合作。source：英飞凌长期以来，英飞凌与美的集团紧密合作，技术协同的深度与广 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-15 09:25

《宽禁带半导体大讲堂第五期如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发 ...: 5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑 ...; 分类: 联盟动态 2025-5-15 09:23

全球首个氮化镓量子光源芯片发布: 5月9日，电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强，正式发布了全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性成果标志着中国在量子科技领域迈出了重要一步，为量子互联网的发展提供了关键硬件支撑 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-14 09:32

比5G快10倍！第三代半导体材料在5G-A技术中的作用分析: 近日，据人民日报消息比5G快10倍的5G-A信号，出现在很多人的手机上，那么5G-A是什么？目前，各大运营商都在积极部署 5G-A 网络，并取得了显著进展：中国移动表示，今年将投资近百亿元，进一步扩大5G-A中的无线网络AI ...; 分类: 新闻通知 2025-5-14 09:30

中国工程院院士屠海令以创新引领材料领域突破，筑牢制造强国基石: 近日，中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有研科技委主任屠海令受邀参加“对话新国企·科技创新主力军”系列融媒体访谈，讲述在这条布满挑战的攀登之路上，中国科技工作者正以“十年磨一剑”的定力 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-12 10:25

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