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【邀您参会】共同探寻产业链协同发展的关键技术突破：2025宽禁带半导体先进技术创新与 ...: · 会议背景·回顾2024年，宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车，光储充，工业控制，大功率电源等行业，人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看，随着技术的不断 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-21 09:40

光储赛道热捧GaN！超10家终端玩家已布局: 5月12日，据外媒报道，在2025年慕尼黑Intersolar展会上，多家企业展示了太阳能与储能领域的最新突破。值得注意的是，古瑞瓦特（Growatt）推出的NEXA 2000阳台光伏系统创新性地采用了氮化镓逆变器技术，成为本届展会 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-20 09:43

SiC 牵引逆变器技术在地铁中的应用研究: 文章来源：轨道交通装备与技术作者：万金1 施浚珲1 戴琦2( 1．西安中车永电捷通电气有限公司陕西西安 710016;2．上海地铁维护保障有限公司车辆分公司上海 200235)摘要: 以 SiC 牵引逆变器为研究对象，比较了 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-20 09:42

英飞凌、安森美等3家SiC企业公布新动向: 近期，小编发现多家碳化硅企业公布了最新财报，并披露了碳化硅业务信息：英飞凌：推出首款SiC沟槽型超结产品，预计本财年SiC收入年增长率有所放缓。安森美：获得多个新车型SiC订单，其中大多数预计将于2025年末量产 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-20 09:37

宽禁带半导体研究前沿: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由哈尔滨工业大学宋波教授精心整理的关于宽 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-20 09:35

华为布局SiC超充赛道！: 近期，#华为数字能源正式发布兆瓦级全液冷超充解决方案，透露该方案搭载自主研发的SiC芯片，能量密度是传统硅基器件的3倍。据悉，华为数字能源的兆瓦超充方案最大充电电流为2400安，最大功率达1.44兆瓦，每分钟可以 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:08

郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长，并刷新人眼安全波段金刚石拉曼激光 ...: 金刚石凭借其超高热导率、宽谱透光性以及卓越的物理化学稳定性，成为极端环境下光电器件的理想选择。同时，金刚石还具备出色的拉曼特性，如具有已知晶体中最大的拉曼频移（1332 cm-1）和极高的拉曼增益系数（~10 cm/ ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:06

宽禁带科技论|电子科大罗小蓉教授团队：p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 ...: 本篇文章由电子科技大学罗小蓉教授团队投稿。作者姓名：谢欣桐工作单位：电子科技大学联系方式：18981992416xtxie@std.uestc.edu.cn近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-19 09:03

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队---W/Au β-Ga₂O₃肖特基二极管 ...: 近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Micromachines发布了一篇名为 The Barrier Inhomogeneity and the Electrical Characteristics of W/Au β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes（W/Au β-Ga2O3 肖特基二极 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 10:30

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队---W/Au β-Ga₂O₃肖特基二极管 ...: 近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Micromachines发布了一篇名为 The Barrier Inhomogeneity and the Electrical Characteristics of W/Au β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes（W/Au β-Ga2O3 肖特基二极 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 10:30

荔园定律：氮化镓快充技术的发展定律: 深圳大学：钟智祥、吴雨桐、蒋冰；浙江大学：李京波；江南大学：敖金平；电子科技大学：朱仁强、张波；复旦大学：桑立雯；北京大学：魏进；西安电子科技大学：刘志宏，张春福；北京大学东莞光电研究院：王琦；湖南大 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:38

碳化硅赋予IGBT新生命: 本文回顾了硅基IGBT的发展历程，并聚焦碳化硅（SiC）材料赋能IGBT的最新研究进展，尤其是北卡州立大学团队对15kV SiC IGBT的实验验证，展示了其在中压智能电网和电能转换中的潜力，预示着IGBT在宽禁带材料支持下可拓 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:37

2025“科创中国”科技创新创效行动项目征集来啦！: 创新潮涌，科创未来！2025，“科创中国”科技创新创效大赛转型升级为“科创中国”科技创新创效行动，以全新姿态开启服务科技创新征程。行动立足现代化产业体系建设和发展新质生产力的最新要求，聚力打造产学研用深度 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:32

未来电力革命双引擎：GaN与SiC功率器件深度解析: 本文转自：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 71, NO. 3, MARCH 2024作者：M. Buffolo et al.本文由帕多瓦大学的G. Meneghesso教授和E. Zanoni教授等人合作撰写。本文针对当前及下一代电力电子领域中市售 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-16 09:30

聚焦SiC超充赛道，华为、中建、安世博等加速布局: 前不久，“行家说三代半”报道了今年一季度碳化硅在超充领域的应用情况。近期，我们发现又有多家企业集中发布应用碳化硅技术的新产品，与此同时，不少超充站建设也开始采用碳化硅，这意味着：采用碳化硅的企业持续增 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-15 09:28

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