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碳化硅在车载领域的应用及制造过程: 前言：相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。本文主要介绍碳化硅产品的应用方向和生产过程 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-3 11:21

【报告发布】碳化硅半导体产业发展白皮书2021: (二)探索符合新形势新要求的国际合作新路径依托重大科技基础设施、大科学计划集聚国际顶尖创新资源。依托怀柔科学城，推动大科学装置面向全球开放共享，围绕物质科学、空间科学、生命科学等基础研究领域，发起国际联 ...; 分类: 公告通知 2022-3-1 16:54

巨头抢滩第三代半导体: 延续了一年的第三代半导体发展热潮并未止息，多家功率半导体国际巨头竞相在公布2022财报前后宣布了新建工厂计划。如Infineon（英飞凌）、STMicroelectronics（意法半导体）都表示将在全球不同国家建设碳化硅（SiC） ...; 分类: 联盟动态 2022-3-1 11:24

SiC整条产业链，华为投全了: 来源：半导体行业观察此前，我们报道过华为全面进攻功率器件，包括IGBT、SiC和GaN。而华为似乎尤其看好SiC，在SiC领域，华为可以说投资了一整条产业链，涵盖SiC衬底、SiC外延、SiC器件、SiC衬底制造设备。华为究竟在 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-1 11:23

GaN Systems公司：准备好量产: Rebecca Pool 报道称，GaN Systems公司将目光投向了电动汽车、设备充电器和数据中心，为大众市场做好了准备。对于总部位于加拿大的 GaN Systems公司的首席执行官 Jim Witham 来说，2021 年最大的成功案例之一就是电 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-1 11:22

【联盟动态】2022年2月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿: 2022年2月热点资讯汇编【新品发布】1.中镓半导体低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产近期，中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×10⁵cm⁻2到7×10⁵cm⁻2范围，并 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-1 11:22

意法半导体的宽禁带半导体实力: 因为媒体和厂商在过去几年的动作频频，大家对宽禁带半导体有了广泛的了解。诚然，因为拥有性能上的优势和匹配绿色能源发展的需求，以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体在功率和射频领域里发生了越来越重要的作用。以功率 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-1 11:21

氮化镓半导体材料研究与应用现状: 电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅（Si）器件已达到材料的物理极限，无法满足当前应用场景的需求。 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:57

湖南大学·长沙半导体技术与应用创新研究院正式开工: 2月22日，湖南岳麓山大学科技城集中签约活动举行。同时，长沙市十大科技创新标志性项目之一的湖南大学·长沙半导体技术与应用创新研究院正式开工。现场，大科城与6个重点产业园区就共同打造“飞地科创园区”签订框架 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:56

新品发布--用于12至48V GaN升压转换器的EPC演示板: 500W DC-DC 板演示了Renesas 80V 两相同步升压控制器和最新一代 EPC eGaN FETEPC 宣布推出 EPC9166，这是一款 500W DC-DC 演示板，可将 12V 输入转换为 48V 输出。该演示板展示了Renesas ISL81807 80 V 两相同步升压 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:56

SiC/GaN，海外巨头疯狂扩产: 近日，功率半导体龙头厂商英飞凌宣布，将投资超20亿欧元在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:52

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望: 0 引言近 20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度， ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:53

半导体2022年策略报告: 来源：半导体在线; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:52

干货分享 | 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析: 上周五，我们转载这篇文章（点这里）通过一篇文章回顾典型功率器件的基本概念，又引出碳化硅MOSFET的基本驱动电压要求，碳化硅MOSFET在驱动设计上和传统硅MOSFET及IGBT有很多不同之处，这篇文章我们重点讨论一下碳化 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:52

科研｜基于SiC逆变器的电动汽车永磁同步电机控制系统研究: 近年来，随着人们对环境问题的日益重视，电动汽车将逐渐取代燃油机汽车，成为人们最普遍的交通出行工具。电机驱动器作为电动汽车三大核心之一，其逐渐向着高能效、高功率密度、高可靠性的方向发展，逆变器中传统的硅 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:51

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