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年终盘点:2021年第三代半导体产业大事件
年终盘点:2021年第三代半导体产业大事件
第三代半导体在2021年即将结束之际,宽禁带联盟总结了这一年中第三代半导体产业发展的大事记,和大家一起回顾这一年第三代半导体产业发生的大事件。01 扩产合作1苏州纳维科技第三代半导体产业基地奠基1月24日上午, ...
分类:    2022-1-4 10:42
这家厂商表示,SiC产能大增7倍,将进入八英寸
这家厂商表示,SiC产能大增7倍,将进入八英寸
来源:半导体行业观察据台媒钜亨网报道,中国台湾厂商汉磊 近日指出,目前 6 吋 SiC 需求持续畅旺、产能满载,3 年内则产能将扩充至 5000 片,而汉磊也首度表态将进入 8 吋 SiC 制程,预期 8 吋 SiC 基板成本将大幅 ...
分类:    2021-12-31 11:06
吉利、富士康合资成立芯片制造公司
吉利、富士康合资成立芯片制造公司
来自企查查的信息显示,吉利控股与富士康深圳子公司共同成立了一家汽车半导体制造公司——山东富吉康智能制造有限公司。山东富吉康智能制造有限公司于12月27日注册成立,注册资本1亿元。吉利控股和富泰华工业(深圳 ...
分类:    2021-12-31 11:05
10亿SiC项目开工;2个月新增7个项目
10亿SiC项目开工;2个月新增7个项目
最近,中科钢研投资超10亿元的碳化硅项目正式开工。据不完全统计,近两个月来,国内多家企业发布建设碳化硅新项目的消息,包括英唐智控、富康达及爱思威等。其中,爱思威将投资160亿元建第三代半导体产业园项目。中 ...
分类:    2021-12-31 11:05
国产碳化硅|基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线
国产碳化硅|基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线
12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。该基地将于2022年3月进行小批量试生产,年中实现量产交付,2022年产能为25万只模块,2025年之前将 ...
分类:    2021-12-31 11:04
江苏第三代半导体研究院:推动产业创新能力整体跃升
江苏第三代半导体研究院:推动产业创新能力整体跃升
导语:今年初,科技部印发《国家高新区绿色发展专项行动实施方案》,提出“国家高新区作为高质量发展先行区,理应在绿色发展方面走在前列,作出表率”。苏州工业园区自成立以来,始终坚持高起点、高标准、高水平谋划 ...
分类:    2021-12-31 11:03
全球功率巨头的碳化硅衬底产能争夺战
全球功率巨头的碳化硅衬底产能争夺战
01衬底,发展碳化硅产业的关键第三代半导体是以SiC及氮化镓(GaN)为主要材料,有别于第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为主要材料,及第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、铝砷化镓(AlGaAs)为主要材料 ...
分类:    2021-12-30 13:18
中镓半导体:低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产
中镓半导体:低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产
近期,中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范围,并且目前新产品已经开始量产销售。中镓半导体提供硅掺杂的2英寸高电导率氮化镓自支撑衬底,可用于制备半导体 ...
分类:    2021-12-30 13:17
全球首款!日本Novel成功开发出安培级1200V氧化镓SBD器件
全球首款!日本Novel成功开发出安培级1200V氧化镓SBD器件
作为日本NEDO“战略节能技术创新计划”中的重要成员,Novel Crystal Technology公司致力于氧化镓(β-Ga2O3)功率器件商业化开发,该公司近日宣布已成功开发出沟槽型安培级1200 V耐压“氧化镓肖特基势垒二极管 (SBD) ...
分类:    2021-12-30 13:17
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力下线
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力下线
12月26日,由中车时代电气C-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s,在中车电驱第10万台产品下线暨第二届中车电驱自主创新技术高峰论坛上正式发布。该产品是国内首款基于自主碳化硅(SiC)大功率电驱产品,系统效率 ...
分类:    2021-12-30 13:17
台积电的第三代半导体布局
台积电的第三代半导体布局
来源:半导体行业观察第三代半导体逐渐迎来爆发期,这就给相关代工带来了需求。虽然台积电方面认为,第三代半导体是个小市场。但这不影响台积电对碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等化合物半导体市场潜力的兴趣。尤其看 ...
分类:    2021-12-28 13:34
第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件
第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件
━━━━半导体材料体系的迭代更新一直紧密关联着高新技术的发展。第一代半导体材料主要为硅(Si)与锗(Ge),第二代半导体材料主要为砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP),第三代半导体材料主要为碳化硅(SiC)与氮化镓 ...
分类:    2021-12-28 13:33
GaN基功率器件的好搭档:金刚石散热衬底
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业,这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和 ...
分类:    2021-12-28 13:32
【政策】厦门市SiC外延重要材料降税
【政策】厦门市SiC外延重要材料降税
据厦门日报报道,日前,国务院关税税则委员会发布关于2022年关税调整方案的通知,自2022年1月1日起,我国将对954项商品实施低于最惠国税率的进口暂定税率。厦门日报记者昨日从市财政局获悉,此次厦门市提出的三项进 ...
分类:    2021-12-27 15:59
SiC扎根汽车领域
SiC扎根汽车领域
来源:汽车芯发现由于具备的多种属性,碳化硅(SiC)成为了电动车(EV)领域中重要的半导体技术,碳化硅器件的性能胜过传统硅(Si)器件。它的优势包括提高了电压额定值、功率转换效率出众和能处理更高温度。车载充 ...
分类:    2021-12-27 15:36

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