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联盟动态

详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案: 当前世界上的半导体元件，绝大多数是以第一代半导体材料硅基半导体为主，约占95%的份额，但是随着电动汽车，5G通讯等新兴技术的发展，以氮化镓，碳化硅为代表新型基材越来越受到重视。第三代半导体，以碳化硅为代表 ...; 2023-5-8 10:13

功率半导体的机遇: 功率半导体概况功率半导体介绍及分类功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆 ...; 2023-5-6 10:05

富士经济预测，到2035年世界功率半导体市场规模将达到约6939亿元: 富士经济在4月10日发布了一份题为“2023年版新一代功率半导体＆功率电子相关设备市场的现状与未来展望”的对功率半导体市场调研的总结报告。据此报告，在2035年功率半导体市场将会比2022年多出5倍，达到6939亿元。仅 ...; 2023-5-6 10:01

基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC 同质外延技术进展: 摘要高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标，基于 4H-SiC 优异的材料特性，在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕 SiC MOSFET 器件对外延材料的需求，介绍了国内外主流的 ...; 2023-5-6 09:58

意大利LPE公司200mm碳化硅外延技术进展: 引言SiC在许多应用中都优于Si，因为它具有优异的电子性能，如高温稳定性、宽带隙、高击穿电场强度和高导热性。如今，由于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有更高的开关速度、更高的工作温度和更低的热阻 ...; 2023-5-5 10:30

硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展？: Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。晶能光电是大尺寸硅衬底氮化镓Micro LED工艺路线的坚定实践者。在2023集邦咨询新型显示产业研 ...; 2023-5-5 10:27

Wolfspeed 与采埃孚将在德国纽伦堡建立研发中心优化碳化硅半导体技术: Wolfspeed 与采埃孚将在德国纽伦堡建立研发中心优化碳化硅半导体技术碳化硅技术全球引领者 Wolfspeed, Inc. （美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）与致力于打造下一代出行的全球性技术公司采埃孚集团于近日宣布，计 ...; 2023-5-5 10:21

MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用: 作者：王传举，徐向明，Husam N. Alshareef，李晓航单位：沙特阿卜杜拉国王科技大学摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺 ...; 2023-5-4 09:32

为了SiC，博世买了一个晶圆厂: 德国巨头博世近日表示，将收购美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的资产，以扩大其碳化硅芯片 (SiC) 的半导体业务。博世还表示，收购完成后，未来几年将投资 15 亿美元升级 TSI 半导体在加利福尼亚州罗斯维尔的制造 ...; 2023-5-4 09:29

决战碳化硅：成败在于衬底大小与厚度？: 导语碳化硅商业应用的最大问题之一是成本，而成本居高不下的一个重要原因就是单位面积衬底生产的芯片比较少，进而影响了产能的扩大。为期10天的上海车展，油车几乎销声匿迹，而新能源汽车（电动汽车）对蕴含着庞大市 ...; 2023-5-4 09:28

为SiC生产保驾护航，KLA有妙招: 正如KLA LS—SWIFT特种半导体市场及技术经理Jeff Per在日前举办的制造年会上所说，半导体芯片现在是汽车的关键组成，有3000多个芯片控制着每台汽车的各个方面，且这些芯片的数量还在不断的增加当中。回看过去几年的 ...; 2023-4-28 13:07

特拉斯将建储能超级工厂；SiC渗透率有望达50%？: 最近，特斯拉宣布在上海新建第三个工厂——储能超级工厂，初期规划1万台，但特斯拉的长远目标是30TW，约为2022年底全球已投运的新型储能的700倍。SiC功率器件是特斯拉储能的关键技术，那么特斯拉储能对SiC产业的影响 ...; 2023-4-28 13:03

6英寸4H-SiC晶体冷却过程中籽晶与籽晶托粘附收缩分离方法: 介绍碳化硅是最具吸引力和发展前景的宽带隙半导体材料之一。商用SiC功率器件最近用生长在直径6英寸的n型4H-SiC衬底上的SiC外延层制成。然而，6英寸以上的大直径SiC晶圆的质量仍然是提高器件性能和器件良率的重要因素 ...; 2023-4-28 09:23

新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产: 导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC MOSFET量产后，蓉矽半导体再接再厉，1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性 ...; 2023-4-28 09:18

安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议: 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高 ...; 2023-4-27 10:03

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