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清纯半导体 | 公司完成数亿元A+轮融资，蔚来资本、士兰、银杏谷、华登联合领投: 日前，清纯半导体（宁波）有限公司（以下简称“清纯半导体”）宣布完成数亿元A+轮融资。本轮融资由蔚来资本、士兰微及其战略基金、华登国际联合领投，老股东高瓴创投（GL Ventures）持续加注，同时获得宏微科技及多 ...; 2023-4-27 10:00

功率半导体“攀上”了汽车: 去年全球半导体行业景气度严重分化。前不久，斯达半导体和韦尔股份相继发布2022年年报，这两家备受关注的企业交出了自上市以来最好和最差的财报。无独有偶，北京君正、汇顶科技、卓胜微等主攻消费电子的企业，其净利 ...; 2023-4-26 09:34

开启“芯”征程！基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线！: 2023年4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区隆重举行。光明区领导及市区有关部门、上下游合作伙伴等百余人出席通线仪式，共同见证这一重要时刻。该产线的顺利通线，将全面提升粤港澳大湾 ...; 2023-4-26 09:28

中国SiC，“挖坑”了吗？: SiC这几年的发展速度几乎超出了所有人的意料。最近几年，在各家SiC厂商的努力下，SiC MOSFET器件已经有了大幅的改进，制造方法和缺陷筛查也有了一定的进步。SiC的商用化和上车之路已经明显加速。在SiC MOSFET的技术 ...; 2023-4-25 09:58

SiC粉料预处理对4H-SiC单晶生长的多型控制: 摘要:采用预处理工艺对源粉进行改性，成功生长出4H-SiC单晶，提高了SiC晶体的多型稳定性。为了提高SiC源粉中的C/Si比，将SiC源粉与液态碳源混合，然后在1200℃下预热，改性源粉生长的SiC单晶呈现完整的4H多型。用改 ...; 2023-4-25 09:47

碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究: 0 摘要空调压缩机是热泵空调系统的核心,选择合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率,从而提髙整个系统的效率｡这里使用了双脉冲测试电路,对1200V的碳化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLEC ...; 2023-4-24 10:24

采用MPS设计，Nexperia发布650 V碳化硅二极管: Nexperia开发了一种碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术，用于具有更高性能和更薄芯片的功率应用。Merged-Pin Schottky (MPS) 设计结合了一个肖特基二极管和一个并联的 P-N 二极管，更容易满足最新的能效标准。第一个使用 ...; 2023-4-24 10:14

【联盟动态】科技小饭局——化合物半导体器件的设计、制备与数据库开发技术交流活动成 ...: 近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导体迅猛发展，已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。随着半导体器件的尺寸不断 ...; 2023-4-24 10:12

特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进: 被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅未来使用的信心与前景。华为的碳化硅产业链布局近 ...; 2023-4-23 09:45

PVT法生长4H-SiC初始阶段晶格失配形成的贯穿位错的研究: 介绍碳化硅(SiC)是最具吸引力和发展前景的宽带隙半导体材料之一，具有优异的物理性能和巨大的电子应用潜力。目前150mm直径的SiC晶圆已经商业化，由于市场的扩大，投入了大量的精力和资源，晶圆的位错密度已经降低到5 ...; 2023-4-21 09:51

激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用: 摘要本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。碳化硅是一种性能优异的第三代 ...; 2023-4-21 09:36

宽禁带联盟2023年度第一次团标评审会顺利召开: 2023年4月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第一次团体标准评审会于线上会议顺利召开，此次会议旨在对《大尺寸碳化硅单晶抛光片》1项复审送审稿和《碳化硅晶片边缘轮廓检 ...; 2023-4-21 09:24

GaN，依然大有可为: 随着对带宽的需求持续增长和现有无线电频谱变得拥挤，电信行业正在寻找新技术来满足未来移动通信的需求。对更多带宽的追求与使用更高的无线电频率有着千丝万缕的联系，而更高的工作频率意味着更多的可用带宽。研究人 ...; 2023-4-20 09:26

中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破: 近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅 ...; 2023-4-20 09:24

综述| 功率器件封装结构热设计综述: 来源 |中国电机工程学报，中国知网作者 |王磊1，魏晓光1*，唐新灵1，林仲康1，赵志斌2，李学宝2单位 |1. 北京智慧能源研究院；2. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室原位 |DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.2 ...; 2023-4-19 09:49

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