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联盟动态

一种智能的碳化硅MOSFET驱动核
一种智能的碳化硅MOSFET驱动核
来源:国际电子商情近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度,良好散热特性,以及高可靠性等特点, ...
2018-9-13 08:40
美媒谈中美5G主导权之争:中国已领先 潜在回报巨大
来源:参考消息网参考消息网9月11日报道 美媒称,早期移动通信浪潮很大程度上是美国和欧洲公司推动的。随着下一个时代--5G时代的到来,人们使用互联网的方式势将再次转化,一场决定美国还是中国占主导地位的竞争正在 ...
2018-9-12 09:18
用SiC制作能够同时测量磁场与温度的新型传感器
用SiC制作能够同时测量磁场与温度的新型传感器
研究小组用艾菲物理技术研究所合成的碳化硅芯片制作了的传感器图片来源:安德烈·阿尼西莫夫研究人员最近发现,材料需要经历一个特定的量子力学过程才能激发出一定的磁场强度,例如,材料利用电磁场控制自旋态的能力 ...
2018-9-12 09:16
Benz关于SiC驱动逆变器评估
Benz关于SiC驱动逆变器评估
来源:汽车电子设计几个月前,欧洲的“PCIM Europe 2018”(2018年纽伦堡电力电子系统及元器件展)上面,戴姆勒公司的Alexander Nisch做了讲演,内容我根据发表在IEEE会议里面的合集,我摘录一部分。备注:400/800V ...
2018-9-11 09:30
【联盟动态】宽禁带联盟携多家会员单位参加SEMI Taiwan 2018国际半导体展
【联盟动态】宽禁带联盟携多家会员单位参加SEMI Taiwan 2018国际半导体展
2018年9月7日SEMICON Taiwan国际半导体展在台北南港展览馆圆满落幕!中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“联盟”)携多家半导体相关领域会员单位:北京天科合达半导体股份有限公司、苏州赫瑞特电子专用设 ...
2018-9-11 09:25
新华社:芯片国产化迎“黄金十年” 专家呼吁谨防热钱泡沫
来源:新华社作为全球最大的集成电路消费市场,我国集成电路产业近年来快速发展,迎来业界公认的“黄金发展期”,正获得越来越多资本的关注和追捧,但与此同时也出现一哄而上、热钱跟风等现象。专家表示,当前我国芯 ...
2018-9-10 08:59
氮化镓 | 利用反向击穿对p-GaN活化性能进行评估,以作为“电力电子应用中的敏感探针” ...
氮化镓 | 利用反向击穿对p-GaN活化性能进行评估,以作为“电力电子应用中的敏感探针” ...
美国康奈尔大学,IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地将埋入式p型GaN层活化。在大多数GaN / III-N生长过程中,p型层由于难以活化而留在最后,这通常涉及到通过加热样品以试图驱除样品内部的氢,从而钝化用于 ...
2018-9-10 08:58
国家军民融合创新示范区 关键要示范这些内容!
国家军民融合创新示范区 关键要示范这些内容!
来源:军工资质受理中心国家军民融合创新示范区是推动军民融合深度发展的“试验田”,要以制度创新为重点任务,以破解影响和制约军民融合发展的体制性障碍、结构性矛盾、政策性问题为主攻方向,探索新路径新模式,形 ...
2018-9-7 09:05
UnitedSiC投资中国市场以支持电动汽车行业
UnitedSiC投资中国市场以支持电动汽车行业
来源:中国电力电子产业网  2018年8月28日,美国新泽西州普林斯顿市 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布,已在中国深圳开设新办事处,并任命江志饶(Henry Jiang)为负责华南地区的高级销售经理。江志饶 ...
2018-9-7 08:52
第三代半导体器件制备及评价技术取得突破
来源:内容来自科技部以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和 ...
2018-9-6 09:04
碳化硅|美国能源部支持公司研究快速充电变压器,旨在通过不到10分钟的充电时间为电动 ...
碳化硅|美国能源部支持公司研究快速充电变压器,旨在通过不到10分钟的充电时间为电动 ...
来源:大国重器美国能源部(DOE)资助Delta公司研发用于极速EV充电器(XFC)的固态变压器(SST),该项目为期三年,总经费700万美元,其中DOE提供50%的资金。这种极速EV充电器容量高达400 kW,可以在不到10分钟的充 ...
2018-9-6 08:57
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展。该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。具 ...
2018-9-5 09:07
剖析美国半导体产业高速发展的三大因素
剖析美国半导体产业高速发展的三大因素
来源:内容来自21世纪经济报道市场调研机构Strategy Analytics最新完成的一份调查报告显示,2017年,在全球基带芯片和智能手机应用处理器市场,美国半导体厂商高通分别占据了53%和42%的占有率,继续稳固着该领域的霸 ...
2018-9-4 09:35
氧化镓|美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管,提高器件功率并保持小体积、低 ...
氧化镓|美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管,提高器件功率并保持小体积、低 ...
来源:大国重器美国纽约州立大学布法罗分校研制出击穿电压达到1850V的氧化镓晶体管,有望在改善电动汽车,太阳能和其他形式可再生能源方面发挥关键作用,如可使电动汽车提高能量输出的同时,保持车身的轻量化和流线 ...
2018-9-3 10:37
我国首款商用100G硅光芯片投产
我国首款商用100G硅光芯片投产
来源:微电子制造记者从中国信息通信科技集团获悉:日前,我国自主研发的首款商用“100G硅光收发芯片”正式投产使用。该系列产品支持100—200Gb/s高速光信号传输,具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点,可广泛 ...
2018-9-3 10:31

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