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碳化硅行业研究：把握能源升级+技术迭代的成长机遇: 下一代功率器件关键技术：碳化硅近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业 ...; 2023-3-7 09:29

新能源汽车需求引爆核心元件—MOSFET: MOSFET属于场效应管中的“金属-氧化物-半导体型”，简称金氧半场效晶体管，英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，一般称MOS管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。实际 ...; 2023-3-7 09:22

政策利好 | 刘鹤调研集成电路企业并主持召开座谈会: 3月2日，国务院副总理刘鹤在北京调研集成电路企业发展并主持召开座谈会。刘鹤指出，习近平总书记高度重视集成电路产业发展，多次作出重要指示批示，我们一定要认真学习领会、深入贯彻落实。集成电路是现代化产业体系 ...; 2023-3-6 09:32

英飞凌收购GaN system: Infineon 和 GaN Systems3月3日宣布，两家公司已签署最终协议其中英飞凌将以 8.3 亿美元的价格收购 GaN Systems。GaN Systems 是开发基于 GaN 的功率转换解决方案的全球技术领导者。公司总部位于加拿大渥太华，拥有2 ...; 2023-3-6 09:31

特斯拉要减少75%的SiC用量？不用慌！: 2018年，特斯拉让碳化硅成为了“明星”技术，但昨天，特斯拉却宣布“减少75%碳化硅用量”，引发了世人对碳化硅产业前景的恐慌。但“行家说三代半”通过与众多碳化硅行家交流发现，特斯拉并没有放弃碳化硅，依旧坚定 ...; 2023-3-6 09:29

漫画｜“天外来客”碳化硅，究竟有何魔力可以引领“芯”浪潮: 来源：美丽株所; 2023-3-3 09:58

GaN功率器件应用可靠性增长研究: 摘要GaN 功率器件是雷达 T/ R 组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下 GaN 功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源 ...; 2023-3-3 09:54

工信部：加快新体系电池、汽车芯片、车用操作系统等技术攻关和产业化应用: 3月1日，国务院新闻办公室举行“权威部门话开局”系列主题新闻发布会。会上，工业和信息化部部长金壮龙介绍“加快推进新型工业化做强做优做大实体经济”有关情况，并与工业和信息化部副部长辛国斌，工业和信息化部 ...; 2023-3-3 09:52

一汽红旗也加入？一天发布3款SiC车型: 2023年新能源汽车行业很是热闹，继新款极氪001、比亚迪“仰望”发布后，红旗、奥迪、现代等5个汽车品牌也纷纷推出新的SiC车型或推进新车上市进程，详情请往下看。一汽红旗：2款SiC车型将于今年上市1月8日，一汽红旗 ...; 2023-3-2 09:30

5G 网络中的氮化镓半导体: 随着 5G 技术的发展，人们正在争夺更快、更可靠的通信网络，对支持这种尖端网络的先进材料的需求量很大。亚硝酸镓半导体通过将 5G 技术的效率和可靠性提升到一个新水平，正在彻底改变通信行业。什么是氮化镓半导体？ ...; 2023-3-2 09:28

观点 | SiC功率器件应用领域以电动车为主，2030年上看8成: 据DIGITIMES Research观察称，碳化硅（SiC）功率器件应用领域以电动汽车为大宗，2030年上看8成，主因电动汽车 (指纯电动汽车及插电式混合动力车) 渗透率届时将超过5成；电动汽车各部件导入将相应增加。因电动汽车对S ...; 2023-3-2 09:25

联盟动态 | 科技小饭局碳化硅功率器件在新能源汽车中应用圆满举办: 以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导 ...; 2023-3-2 09:16

中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管: 近日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancem ...; 2023-3-1 09:47

大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真: 摘要碳化硅（SiC）电子器件的性能和成本受衬底质量影响，通过物理气相传输（PVT）法生长大直径高品质 SiC 单晶体意义重大。PVT 法主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热 PVT 法生长 150 mm SiC 单晶体 ...; 2023-3-1 09:39

加速AlN的HVPE生长: 振荡寄生反应使HVPE能够加速高质量AlN的生长日本和波兰的研究人员之间的一项合作声称在开发高结构质量的AlN衬底方面取得了重大突破，该基板在紫外线下具有优异的透明度。该团队使用了一种新的Taiyo Nippon Sanso HVP ...; 2023-2-28 09:37

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