中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 › 新闻通知›联盟动态

联盟动态

北科大在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件: 随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点，传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来，金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们 ...; 2022-4-28 15:03

AlN晶体管是下一代半导体材料？: #AlN（氮化铝）比SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）具有更低的损耗和更高的耐压。近日，一家日本公司（NTT）表示，他们使用AlN（氮化铝）成功实现晶体管操作，这使AIN有望成为超越SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的下一代 ...; 2022-4-28 15:02

氧化镓：第四代半导体材料走进风口: 文︱郭紫文图︱网络后摩尔时代，业界开始了对新架构、新工艺、新材料的全面探索，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体脱颖而出，在高压、高温、高频等应用场景中逐渐展露广阔的市场发展潜力。事实上，在材料技术领 ...; 2022-4-28 15:01

Wolfspeed全球首座200mm SiC工厂开业，提升备受期待的器件生产: Wolfspeed 全球首座 200mm SiC 工厂盛大开业，提升备受期待的器件生产位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求碳化硅（SiC）技术和制造的全球引领者 W ...; 2022-4-28 15:01

高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述（下）: 2.2.2 多芯片并联均流大功率 IGBT 器件由多个芯片并联，在实际应用过程中，由于多种因素的影响，并联芯片在开关过程中的电流分配不均衡。对于焊接 IGBT 模块，已有的研究结果表明，影响并联芯片电流分布不一致的主要 ...; 2022-4-27 18:08

高压大功率压接型 IGBT 器件封装技术研究综述（上）: 0 引言高压大功率压接型 IGBT 器件结合了 IGBT 和GTO 两者的优点，具有功率密度大、寄生电感低、双面散热、失效短路等特点，非常适合于柔性直流输电等高压大容量换流装备。压接型 IGBT 器件的封装形式来源于 GTO 的 ...; 2022-4-27 18:07

车用功率半导体制造！联电将与电装合作: 中国台湾晶圆代工厂商联电今（26）日发布公告称，联电日本子公司USJC将与日本电装（DENSO）合作车用功率半导体制造，并将为DENSO建设一条IGBT产线。据悉，DENSO将提供其系统导向的IGBT元件与制程技术，而USJC则提供1 ...; 2022-4-27 18:06

聚焦｜芯聚能碳化硅主驱模块正式量产上车: 芯聚能SiC+smart芯聚能碳化硅主驱模块正式量产上车smart精灵#1量产车型昨晚（2022年4月25日）在北京发布并接受预定，芯聚能碳化硅主驱模块成功登陆smart精灵#1量产车，成为国内第一批由第三方提供的，进入量产乘用车 ...; 2022-4-27 18:05

特斯拉、理想都表态！800V SiC市占率将冲15%？: 800V充电架构可以实现更快的充电、更长续航，保时捷、奥迪、起亚、现代、小鹏等众多车企都已推出相关车型。最近，理想汽车和特斯拉也表示正在研发800V系统。800V和碳化硅是“绝配”，已有碳化硅企业获得超过70亿的相 ...; 2022-4-25 10:22

日本新技术，能把氧化镓成本降低99%: 来源：内容来自半导体新芯闻（ID:MooreNEWS）综合，谢谢。据日经报道，源自东北大学的初创企业CA与东北大学教授吉川彰的研发团队开发出一种技术，能以此前100分之1的成本制造有助于节能的新一代功率半导体的原材料「 ...; 2022-4-25 09:30

中车功率半导体核心元器件项目二期已投产，三期计划下半年开工: 集微网消息，据湖南日报报道，中车时代功率半导体核心元器件项目二期已经投产，正在对三期工程进行前期论证和项目立项评估，计划下半年开工。据悉，株洲中车时代半导体对碳化硅芯片生产线技术能力进行提升，项目建成 ...; 2022-4-25 09:15

车用SiC？没那么简单: 近年来，包括SiC在内的化合物半导体器件在汽车上的应用比例与日俱增。但在专业人士看来，这并不会是一个简单的事情。以车用导线架来看，尽管Si、碳化硅/氮化镓导线架都是用铜材，制程相同，亦要模具制作，但传统TO24 ...; 2022-4-24 15:41

北大许福军、沈波团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂获重要进展: 半导体产业网获悉：近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心沈波、许福军团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂研究中获得重要进展。该研究成果以"Sub-nanometer ultrathin epitaxy o ...; 2022-4-24 15:40

韩国对SiC发起总攻: 要发展SiC，半导体供应链的多个领域必须无缝地结合在一起，以协同达到大规模具有成本竞争力的SiC功率器件制造的顶峰。目前韩国正在进行大量投资，各SiC器件生产商、IDM、纯代工厂、设备制造商，乃至大学、研究院所齐 ...; 2022-4-24 14:49

缺陷降90%！垂直GaN新方向，博世已采用: 据外媒报道，博世在采用一家GaN初创公司的外延技术开发垂直氮化镓器件。据悉，这项技术的关键在于纳米线技术，可以采用硅衬底，可以将缺陷密度降低90%，因此能够以更低的成本打造1200V的GaN功率器件。据悉，他们已经 ...; 2022-4-24 14:44

1 ... 40 41 42 434445 46 47 48 ... 142 / 142 页下一页

相关分类

• 公告通知
• 联盟动态

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部