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联盟动态

GE科学家团队展示可承受超过 800°C的 SiC MOSFET
GE科学家团队展示可承受超过 800°C的 SiC MOSFET
6月1日,据GE官网消息,来自GE Research的一个科学家团队创造了一项新记录,他们展示了可以承受超过 800 摄氏度温度的 SiC MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这比以前已知的这种技术的演示至少高出200摄氏度 ...
2023-6-5 09:22
半导体图案化工艺流程之:刻蚀简析
半导体图案化工艺流程之:刻蚀简析
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中,刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步,用于去除光刻胶(Photo Resist,PR)未覆盖的底部区域,仅留下所需的图案。这一工艺流 ...
2023-6-2 10:35
前沿技术 | 可转移的单晶AlN纳米膜、共掺杂AlN薄膜
前沿技术 | 可转移的单晶AlN纳米膜、共掺杂AlN薄膜
1可转移单晶AlN纳米膜的合成与性能研究单晶无机半导体纳米膜(NMs)在过去十年中引起了极大的关注,这为复杂的器件集成带来了巨大的优势。研究人员已经用各种半导体纳米膜证明了在异质电子和柔性电子中的应用。单晶 ...
2023-6-2 10:21
SiC与GaN,谁拥有更广阔的星辰大海?
SiC与GaN,谁拥有更广阔的星辰大海?
当下,低碳化和数字化齐头并进的发展,带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中,第三代半导体则发挥着重要作用。同属第三代半导体,碳化硅和氮化镓近年来不断发光发热,成为半导体 ...
2023-6-2 10:18
19亿美元订单+2.5亿美元投资!纬湃科技长期锁定安森美碳化硅产能
19亿美元订单+2.5亿美元投资!纬湃科技长期锁定安森美碳化硅产能
5月31日,纬湃科技官网宣布,公司与安森美达成了一项价值19亿美元(约17.5亿欧元)的碳化硅(SiC)产品的10年长期供应协议,以满足纬湃科技在电气化技术方面的强势增长。此外,纬湃科技还将向安森美提供2.5亿美元(2 ...
2023-6-2 10:14
英飞凌碳化硅:目标、中国衬底和十八般兵器(二)
英飞凌碳化硅:目标、中国衬底和十八般兵器(二)
英飞凌碳化硅战略的进一步讨论在英飞凌2023财年第2季度财报电话会议上, CEO Jochen Hanebeck称来自中国的碳化硅衬底的使用将主要遵循China for China(来自中国,供给中国)的策略。结合之后GIP事业群总裁Peter Waw ...
2023-6-1 10:50
SiC新技术:成本降70%,工时降低90%
SiC新技术:成本降70%,工时降低90%
衬底是碳化硅半导体产业的瓶颈环节,除了长晶慢(7天)、晶体厚度低(30mm左右)、直径小(≤8吋)、成本高等问题外,碳化硅晶体加工也存在2大挑战:材料损耗、耗时。碳化硅晶体加工包括:晶锭滚圆、切割、研磨、抛 ...
2023-6-1 09:33
SiC上车!阿尔斯通新一代碳化硅永磁电机牵引系统实现载客运营!
SiC上车!阿尔斯通新一代碳化硅永磁电机牵引系统实现载客运营!
SiC属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。轨道交通牵引系统功率容量超过兆瓦级,需要功率半导体器件具备更大容量的电 ...
2023-6-1 09:29
三菱将SiC产能提高五倍,大举发力功率器件
三菱将SiC产能提高五倍,大举发力功率器件
三菱电机总裁兼首席执行官 Hiroshi Uruma 表示:“从 2023 年 4 月起,半导体和设备业务总部将由总裁直接控制。公司将通过稳定的供应来支持每个 BA(业务领域)的增长。与此同时,公司对功率器件的战略投资将推动半 ...
2023-5-31 11:07
蓉矽黑科技正式亮相:切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性
蓉矽黑科技正式亮相:切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性
5月26日,蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行。蓉矽半导体董事长戴茂州,副总裁、研发中心总经理高巍博士,副总裁、运营中心总经理廖运健,联讯仪器董事长胡海洋,销售总监张纪出席仪式。何为“WLTBI”系统 ...
2023-5-31 10:47
英飞凌碳化硅:目标、中国衬底和十八般兵器(一)
英飞凌碳化硅:目标、中国衬底和十八般兵器(一)
前言结合英飞凌GIP(绿色工业能源)事业群总经理Peter Wawer博士和碳化硅负责人Peter Friedrichs博士在本月PCIM上的发言,笔者梳理这家公司在碳化硅产品、技术和供应链上的布局。目标与前景根据近期的一份研报,2022 ...
2023-5-30 10:26
碳化硅晶片的超精密抛光工艺
碳化硅晶片的超精密抛光工艺
摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,最终 得到了表面粗 ...
2023-5-30 10:18
三菱电机与Coherent达成合作,SiC产能之争加速!
三菱电机与Coherent达成合作,SiC产能之争加速!
5月26日,三菱电机官网宣布已与Coherent(前 II-VI )达成合作,双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。在未来Coherent将为三菱电机在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底,以满足新能源汽车对SiC ...
2023-5-30 10:16
SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中?
SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中?
导读碳化硅(SiC)是一项至关重要的技术,因为高功率、高速的应用考验着传统硅的极限。下一代系统不仅继续突破性能和能力的界限,还颠覆和取代燃烧化石燃料的系统(如运输、发电、暖通空调),并使其转向清洁、高效 ...
2023-5-29 09:17
GaN 技术:挑战和未来展望
GaN 技术:挑战和未来展望
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体,其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能,在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来,在电力电子领域占主导地位的硅几乎 ...
2023-5-29 09:14

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