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碳化硅晶片的超精密抛光工艺: 摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗 ...; 2023-5-30 10:18

三菱电机与Coherent达成合作，SiC产能之争加速！: 5月26日，三菱电机官网宣布已与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。在未来Coherent将为三菱电机在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底，以满足新能源汽车对SiC ...; 2023-5-30 10:16

SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中？: 导读碳化硅（SiC）是一项至关重要的技术，因为高功率、高速的应用考验着传统硅的极限。下一代系统不仅继续突破性能和能力的界限，还颠覆和取代燃烧化石燃料的系统（如运输、发电、暖通空调），并使其转向清洁、高效 ...; 2023-5-29 09:17

GaN 技术：挑战和未来展望: 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来，在电力电子领域占主导地位的硅几乎 ...; 2023-5-29 09:14

河南省：以重点突破带动超硬材料产业高质量发展: 　　5月25日，河南省委书记楼阳生主持召开超硬材料产业高质量发展座谈会，与相关企业、科研院所的专家学者一起，共同研究推动河南省超硬材料产业高质量发展。省工业和信息化厅汇报了河南省超硬材料产业磨具、珠宝、 ...; 2023-5-29 08:46

蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除机理: 蓝宝石材料经过长晶、掏棒、切割、研磨、抛光等加工工艺后达到所需的表面效果，抛光是蓝宝石加工的最后一道工序，决定着抛光后的表面效果。目前化学机械抛光Chemical Mechanical Polishing (CMP)是主要的抛光方式之 ...; 2023-5-26 09:06

【联盟动态】科技小饭局——抛光技术在化合物半导体制造的应用技术交流活动成功举办！: 在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中，磨抛是至关重要的部分，通过对磨抛工艺的合理化选择，我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。5月24日，由宽禁带半导体技术创新联盟和小饭桌创服 ...; 2023-5-26 08:51

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT: 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电 ...; 2023-5-25 09:50

牵头欧洲联合研究计划，英飞凌再发力GaN功率半导体！: 作为国际功率半导体龙头厂商之一，英飞凌的动态备受市场关注，在相关行业扮演着重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。今年3月，英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大 ...; 2023-5-25 09:29

做一粒好种子：SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...: 在半导体研究中我们经常看下面这个公式：理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，EC是所需耐压的临界 ...; 2023-5-25 09:26

瑞萨入局SiC市场: 瑞萨电子计划在其高崎工厂安装一条用于 SiC 器件的生产线，并于 2025 年开始运营。如今，随着新能源汽车高速发展，此前采用较多的硅（Si）基材料基本已逼近其物理极限，如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器 ...; 2023-5-24 09:25

动态｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展: 译改自原文：Al0.64Ga0.36N Channel MOSHFET on Single Crystal Bulk AlN Substrate原文作者：Abdullah Mamun*, Kamal Hussain, Richard Floyd, MD Didarul Alam, MVS Chandrashekhar, Grigory Simin, and Asif Khan ...; 2023-5-24 09:19

2亿美元！X-FAB再扩产，宣布在美碳化硅产能投资规划: 近日，据外媒报道，德国晶圆代工厂X-Fab日前宣布，计划扩大其在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元， ...; 2023-5-23 09:43

晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介: 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 ...; 2023-5-23 09:38

新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产: 2023年5月18日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的 ...; 2023-5-22 09:32

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