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联盟动态

碳化硅晶片的超精密抛光工艺
碳化硅晶片的超精密抛光工艺
摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,最终 得到了表面粗 ...
2023-5-30 10:18
三菱电机与Coherent达成合作,SiC产能之争加速!
三菱电机与Coherent达成合作,SiC产能之争加速!
5月26日,三菱电机官网宣布已与Coherent(前 II-VI )达成合作,双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。在未来Coherent将为三菱电机在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底,以满足新能源汽车对SiC ...
2023-5-30 10:16
SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中?
SiC/GaN | 为什么宽带隙半导体越来越多地部署在各种应用当中?
导读碳化硅(SiC)是一项至关重要的技术,因为高功率、高速的应用考验着传统硅的极限。下一代系统不仅继续突破性能和能力的界限,还颠覆和取代燃烧化石燃料的系统(如运输、发电、暖通空调),并使其转向清洁、高效 ...
2023-5-29 09:17
GaN 技术:挑战和未来展望
GaN 技术:挑战和未来展望
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体,其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能,在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来,在电力电子领域占主导地位的硅几乎 ...
2023-5-29 09:14
河南省: 以重点突破带动超硬材料产业高质量发展
河南省: 以重点突破带动超硬材料产业高质量发展
  5月25日,河南省委书记楼阳生主持召开超硬材料产业高质量发展座谈会,与相关企业、科研院所的专家学者一起,共同研究推动河南省超硬材料产业高质量发展。省工业和信息化厅汇报了河南省超硬材料产业磨具、珠宝、 ...
2023-5-29 08:46
蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除机理
蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除机理
蓝宝石材料经过长晶、掏棒、切割、研磨、抛光等加工工艺后达到所需的表面效果,抛光是蓝宝石加工的最后一道工序,决定着抛光后的表面效果。目前化学机械抛光Chemical Mechanical Polishing (CMP)是主要的抛光方式之 ...
2023-5-26 09:06
【联盟动态】科技小饭局——抛光技术在化合物半导体制造的应用技术交流活动成功举办!
【联盟动态】科技小饭局——抛光技术在化合物半导体制造的应用技术交流活动成功举办!
在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中,磨抛是至关重要的部分,通过对磨抛工艺的合理化选择,我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。5月24日,由宽禁带半导体技术创新联盟和小饭桌创服 ...
2023-5-26 08:51
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉,电源和电 ...
2023-5-25 09:50
牵头欧洲联合研究计划,英飞凌再发力GaN功率半导体!
牵头欧洲联合研究计划,英飞凌再发力GaN功率半导体!
作为国际功率半导体龙头厂商之一,英飞凌的动态备受市场关注,在相关行业扮演着重要的角色,尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。今年3月,英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大 ...
2023-5-25 09:29
做一粒好种子:SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...
做一粒好种子:SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...
在半导体研究中我们经常看下面这个公式:理想比导通电阻的一个关系式,其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度,q是电子电荷,ND是漂移区的掺杂浓度,μn是电子迁移率,εn是半导体介电常数,EC是所需耐压的临界 ...
2023-5-25 09:26
瑞萨入局SiC市场
瑞萨入局SiC市场
瑞萨电子计划在其高崎工厂安装一条用于 SiC 器件的生产线,并于 2025 年开始运营。如今,随着新能源汽车高速发展,此前采用较多的硅(Si)基材料基本已逼近其物理极限,如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器 ...
2023-5-24 09:25
动态 |基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
动态 |基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展
译改自原文:Al0.64Ga0.36N Channel MOSHFET on Single Crystal Bulk AlN Substrate原文作者:Abdullah Mamun*, Kamal Hussain, Richard Floyd, MD Didarul Alam, MVS Chandrashekhar, Grigory Simin, and Asif Khan ...
2023-5-24 09:19
2亿美元!X-FAB再扩产,宣布在美碳化硅产能投资规划
2亿美元!X-FAB再扩产,宣布在美碳化硅产能投资规划
近日,据外媒报道,德国晶圆代工厂X-Fab日前宣布,计划扩大其在美国德克萨斯州拉伯克市(Lubbock)的代工厂业务。报道称,该公司已在拉伯克运营20多年,将在未来5年内进行重大投资,其中第一阶段的投资额为2亿美元, ...
2023-5-23 09:43
晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介
晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介
经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(Back Grinding)开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序,其目的不仅是为了减少晶圆厚度,还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 ...
2023-5-23 09:38
新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
2023年5月18日,上海新微半导体有限公司(简称“新微半导体”或“公司”)宣布,基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)6吋/150mm晶圆的40V增强型(p-GaN)功率器件工艺平台开发完成,正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的 ...
2023-5-22 09:32

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