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GaN 技术：挑战和未来展望: 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si)。长期以来，在电力电子领域占主导地位的硅几乎 ...; 2023-5-29 09:14

河南省：以重点突破带动超硬材料产业高质量发展: 　　5月25日，河南省委书记楼阳生主持召开超硬材料产业高质量发展座谈会，与相关企业、科研院所的专家学者一起，共同研究推动河南省超硬材料产业高质量发展。省工业和信息化厅汇报了河南省超硬材料产业磨具、珠宝、 ...; 2023-5-29 08:46

蓝宝石在化学机械抛光过程中的材料去除机理: 蓝宝石材料经过长晶、掏棒、切割、研磨、抛光等加工工艺后达到所需的表面效果，抛光是蓝宝石加工的最后一道工序，决定着抛光后的表面效果。目前化学机械抛光Chemical Mechanical Polishing (CMP)是主要的抛光方式之 ...; 2023-5-26 09:06

【联盟动态】科技小饭局——抛光技术在化合物半导体制造的应用技术交流活动成功举办！: 在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中，磨抛是至关重要的部分，通过对磨抛工艺的合理化选择，我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。5月24日，由宽禁带半导体技术创新联盟和小饭桌创服 ...; 2023-5-26 08:51

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT: 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电 ...; 2023-5-25 09:50

牵头欧洲联合研究计划，英飞凌再发力GaN功率半导体！: 作为国际功率半导体龙头厂商之一，英飞凌的动态备受市场关注，在相关行业扮演着重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。今年3月，英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大 ...; 2023-5-25 09:29

做一粒好种子：SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...: 在半导体研究中我们经常看下面这个公式：理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，EC是所需耐压的临界 ...; 2023-5-25 09:26

瑞萨入局SiC市场: 瑞萨电子计划在其高崎工厂安装一条用于 SiC 器件的生产线，并于 2025 年开始运营。如今，随着新能源汽车高速发展，此前采用较多的硅（Si）基材料基本已逼近其物理极限，如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器 ...; 2023-5-24 09:25

动态｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展: 译改自原文：Al0.64Ga0.36N Channel MOSHFET on Single Crystal Bulk AlN Substrate原文作者：Abdullah Mamun*, Kamal Hussain, Richard Floyd, MD Didarul Alam, MVS Chandrashekhar, Grigory Simin, and Asif Khan ...; 2023-5-24 09:19

2亿美元！X-FAB再扩产，宣布在美碳化硅产能投资规划: 近日，据外媒报道，德国晶圆代工厂X-Fab日前宣布，计划扩大其在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元， ...; 2023-5-23 09:43

晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介: 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 ...; 2023-5-23 09:38

新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产: 2023年5月18日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的 ...; 2023-5-22 09:32

CVD Equipment发布碳化硅PVT系统: 新系统专为生长直径 150 mm 的 SiC 晶碇而设计CVD Equipment公司推出了PVT150，这是一种用于SiC晶碇生长的物理蒸汽传输（PVT）系统。PVT150型号据称是一种紧凑的平台设计，专门用于生长直径为150毫米的晶碇，可升级 ...; 2023-5-22 09:28

如何实现SiC MOSFET的短路检测及保护？: SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程中SiC MOSFET的高短路电流会产 ...; 2023-5-22 09:17

英飞凌碳化硅晶圆处理黑科技——冷切割: 近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热，让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验，逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点，正在SiC使用量增大 ...; 2023-5-19 09:24

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