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20181119上午,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)第三批团体标准立项评审会于中国科学院物理研究所D211会议室顺利召开。此次评审会旨在对《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方法》等13项团体标准立项进行评审。

第三批团体标准立项评审会专家合影

本次会议分为上下两场,分别由中国科学院物理研究所陈小龙教授和中国电子科技集团第四十研究所首席专家林健研究员主持。中国科学院电工研究所宁圃奇研究员和张瑾高级工程师、中国科学院微电子研究所许恒宇博士、芜湖启迪半导体有限公司技术总监钮应喜、全球能源互联网研究院有限公司研究室主任李金元教授级高工、清华大学高级工程师刘志弘博士、北京镓族科技有限公司技术主管李培刚、北京天科合达半导体股份有限公司常务副总彭同华博士和副总经理刘春俊博士、中国电子技术标准化研究院工程师闫美存、河北普兴电子科技股份有限公司工程师吴会旺和张国良、米格实验室总经理闫方亮博士、北京天科合达半导体股份有限公司质管部经理佘宗静、中国电子科技集团公司第二研究所工程师侯晓蕊、北京世纪金光半导体有限公司工程师黎磊,康乾和李景瑞、中国电子科技集团公司第四十六研究所工程师高飞、李晖和何恒坤、宽禁带联盟秘书长陆敏博士和副秘书长郑红军等宽禁带联盟标准化委员会委员及此次团体标准申报单位代表参加了本次会议。

宽禁带联盟标准化委员会此次共收到来自北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所等单位的13项团体标准立项申请。经过各立项申请单位代表对欲立项标准的背景、目的意义及主要内容的详细汇报;与会标委会委员针对所要立项标准的必要性、可行性进行充分而热烈的讨论并给予各申报单位中肯的建议后,经与会委员表决,一致同意本次团体标准申报立项8项团体标准成功立项,1项团体标准需补充调研、修改后进行二次评审

1)《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方法》(牵头单位:北京天科合达半导体股份有限公司)

2)《碳化硅单晶片表面质量和微管密度的测试方法》(牵头单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所)

3)《半绝缘SiC电阻率非接触测量方法》(牵头单位:中国电子科技集团公司第二研究所)

4)《低阻碳化硅单晶片非接触电阻率测试方法》(牵头单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所)

5)《功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验》(牵头单位:中国科学院电工研究所)

6)《半导体单晶残余应力检测方法》(牵头单位:北京聚睿众邦科技有限公司)

7)《氧化镓单晶晶片摇摆曲线的测试方法》(牵头单位:北京镓族科技有限公司)

8)《氧化镓外延片载流子浓度测试方法》(牵头单位:北京镓族科技有限公司)

9)《碳化硅金属氧化物场效应晶体管通用技术规范》(牵头单位:北京世纪金光半导体有限公司)需补充调研、修改后进行二次评审

立项标准申报单位代表答辩汇报

标委会委员讨论与评审

各牵头起草单位表示将会尽快召开标准起草工作启动会,并依据标委会委员们所提建议,同所有起草单位一起落实标准草案框架和工作计划,保证在规定时间内完成标准的创制工作目前宽禁带联盟已发布团体标准4项,3项团体标准递交报批稿待发布。团体标准在国家重大战略部署中,是政府提升综合治理能力和水平的重要工具,是企业获得竞争能力和引领发展的重要条件。宽禁带联盟今后将会继续做好团体标准工作,使团体标准服务于宽禁带半导体产业的技术创新需求,以形成产业核心竞争力为目标,以企业为主体围绕产业技术创新链,运用市场机制集聚创新资源,实现产、学、研、用组织在战略层面有效结合,共同突破产业发展的技术瓶颈,为推进宽禁带半导体标准化事业做出应有的贡献。

评审会现场


路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋
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