中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 › 关于我们›成员风采

成员风采

博宏源完成首轮战略融资与华海清科战略联合共创平面化设备新格局: 近日，国内领先的高端半导体设备领域上市企业华海清科股份有限公司（股票代码：688120）正式宣布完成对博宏源设备股份有限公司的战略投资。此次投资标志着双方在半导体高精密制造设备领域达成深度协同，通过产业资源 ...; 2025-8-19 09:27

SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案: SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能，正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而，相比传统硅基IGBT，大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战：短路耐受时间（TSC）相对偏短（ ...; 2025-8-18 09:09

突破100万片，天科合达SiC交付量创新高: 2025年上半年，随着下游库存消化逐渐见底，以及碳化硅在新能源汽车、光储充等众多领域的渗透加快，碳化硅产业链各核心环节均呈现显著回升态势。根据调研，今年上半年，尽管碳化硅产业依旧内卷，但仍有多家碳化硅企业 ...; 2025-8-6 09:13

深圳平湖实验室GaN课题组5项研究成果亮相第15届国际氮化物半导体会议ICNS-15: 本月，第15届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors，ICNS）在瑞典马尔默召开。ICNS-15是氮化物半导体领域国际学术会议，展示了基于III类氮化物半导体的材料和器件的具有高度影 ...; 2025-7-31 09:16

华林嘉业丨突破技术壁垒！CGB成功交付12寸全自动槽式清洗设备: 在半导体设备国产化的关键之年，北京华林嘉业科技有限公司（CGB）再传捷报——公司自主研发的12寸全自动槽式清洗设备今日正式交付国内半导体设备五强企业！这一里程碑式的突破，不仅彰显了CGB在半导体湿法设备领域的 ...; 2025-7-30 09:18

山东力冠升级PVT设备，引领8-12英寸碳化硅晶圆高效量产: 为突破大尺寸碳化硅（SiC）晶圆在生长效率、均匀性控制及成本方面的关键瓶颈，山东力冠微电子装备有限公司近日正式发布其12英寸PVT电阻设备及8英寸多坩埚设备。为8-12英寸SiC晶圆的规模化、稳定化、低成本制备树立了 ...; 2025-7-30 09:10

高质量发展•广州粤升8英寸SiC外延设备完成研发并出货: 在半导体产业追求自主可控与高质量发展的浪潮中，广州粤升半导体设备有限公司传来振奋人心的消息——公司自主研发的 8 英寸碳化硅（SiC）外延设备成功完成研发并顺利交付标杆客户。这一成果不仅是企业自身技术实力发 ...; 2025-7-30 09:09

天域半导体再次递交港股上市申请: 中国碳化硅（SiC）功率半导体制造商广东天域半导体股份有限公司（以下简称“天域半导体”）已于7月22日再次向香港联合交易所提交上市申请。据悉，此前6月13日，天域半导体已获港股上市备案通知书，允许发行不超过46, ...; 2025-7-24 11:26

纳设智能：专注先进材料装备技术突破: 在光明科学城的深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）实验室里仪器低鸣与屏幕闪烁交织创始人陈炳安专注地调试着一台碳化硅外延设备设备屏幕上不断跳动的参数与窗外的科学城地标相互映衬这一场景不仅是 ...; 2025-7-8 10:00

西安理工大学＆西安电子科技大学---集成金刚石散热层的Ga₂O₃器件的精确散 ...: 由西安理工大学与西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Materials Today Communications发布了一篇名为Precise thermal dissipation of Ga2O3 devices integrated with diamond heat spreading layer（集成金刚石散 ...; 2025-7-7 10:20

北方华创两款化合物外延设备通过龙头客户验收: 7月1日，#北方华创披露，其自主研发的两款MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备——Satur N800和Satur V700顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。MOCVD设备是一种以金属有机化合物为原料，通过气相外 ...; 2025-7-3 10:47

思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式隆重举行: 6月27日，以“智启新程，奠基未来”为主题的思锐智能半导体先进装备研发制造中心（以下简称中心）落成投产仪式在青岛隆重举行。中国半导体产业领军人物张汝京，欧洲科学院院士、北京超弦存储器研究院执行院长赵超， ...; 2025-7-1 09:26

突破性成果：自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功！: 深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC M ...; 2025-6-30 09:54

SiC AR眼镜迈入量产节点，天科合达提供6大助力: 近期，慕德微纳发布了第二代碳化硅 AR 眼镜光学模组，并透露将在2025年第三季度可实现AR刻蚀光波导的量产，将进一步推动碳化硅光波导的应用进程。值得关注的是，慕德微纳此前已与碳化硅头部企业天科合达达成深度合作 ...; 2025-6-27 09:57

ROHM SiC MOSFET被采用于丰田面向中国市场的新款纯电动车实现量产: 罗姆第四代SiC MOSFET功率模块应用于丰田bZ5牵引逆变器，提升效率、降低功耗，助力电动车市场快速增长。关键词：SiC MOSFET, 电动汽车, 牵引逆变器bZ5产品展示，图片来源：网络丰田bZ5搭载ROHM第四代SiC芯片，正式在 ...; 2025-6-26 10:25

12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 27 / 27 页下一页

相关分类

• 成员风采
• 成员介绍

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部