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山东力冠8英寸氧化镓HVPE设备正式面向市场
山东力冠8英寸氧化镓HVPE设备正式面向市场
山东力冠自主研发的8英寸HVPE设备,已通过公司内部HVPE实验室的测试与工艺验证,现已正式面向市场销售。山东力冠拥有专业的博士工艺技术团队,专注于8英寸HVPE设备研发与优化,确保设备从研发到交付均稳定可靠、性能 ...
2026-1-22 09:34
战略携手:天域半导体与青禾晶元共塑碳化硅新格局
战略携手:天域半导体与青禾晶元共塑碳化硅新格局
天域半导体与青禾晶元达成战略合作协议,双方共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代2026年1月16日,天域半导体(02658.HK)及青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司(以下简称“青禾晶元”)签订战略合作协议。双 ...
2026-1-20 09:31
低至9.78万!8款SiC新车相继发布
低至9.78万!8款SiC新车相继发布
近期,丰田、沃尔沃、鸿蒙智行、东风日产、大众、零跑、阿维塔、东风风行等多家车企陆续推出新一代碳化硅车型。据“行家说三代半”观察,碳化硅车型价格持续下探,例如零跑Lafa5起售价已降至9.78万元。丰田:第六代T ...
2026-1-16 11:05
广州粤升顺利入选广东省认定机构2025年认定报备的第二批高新技术企业备案名单
广州粤升顺利入选广东省认定机构2025年认定报备的第二批高新技术企业备案名单
近日,广州粤升半导体设备有限公司(简称广州粤升)顺利入选广东省认定机构2025年认定报备的第二批高新技术企业备案名单!这是对广州粤升在自主知识产权布局、研发管理体系、科技成果转化能力等方面的高度认可,更是 ...
2026-1-16 11:01
深圳平湖实验室胡钦博士在国际期刊《Materials Science in Semiconductor Processing ...
深圳平湖实验室胡钦博士在国际期刊《Materials Science in Semiconductor Processing ...
深圳平湖实验室分析检测中心的胡钦博士在国际期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》上发表题为“Effects of post-treatment progress on the morphology and surface state of 4H-SiC trenches”的 ...
2026-1-16 10:51
思锐智能双机成功交付,以开门红之势启国产替代新征程
思锐智能双机成功交付,以开门红之势启国产替代新征程
2026年新岁启封,青岛思锐智能科技股份有限公司(下称“思锐智能”)迎来开门红。公司自主研发的高能离子注入机SRII-8M和大束流离子注入机SRII-60相继交付国内两家集成电路头部客户。自成立以来,思锐智能始终深耕离 ...
2026-1-9 09:42
双喜临门!西湖仪器成功认定浙江省企业研究院并两年蝉联区级创新新锐企业
双喜临门!西湖仪器成功认定浙江省企业研究院并两年蝉联区级创新新锐企业
热烈祝贺联盟理事单位——西湖仪器近日捷报频传,创新实力与品牌影响力再获权威认可!公司成功获评“浙江省企业研究院”,标志着其研发体系与创新能力迈入省级领先行列;同时,公司亦连续两年荣膺“西湖区前沿创新新 ...
2026-1-7 09:07
最新成果!深圳平湖实验室研究团队首次揭示了氮化镓异质结构中AlN夹层厚度依赖的极化 ...
最新成果!深圳平湖实验室研究团队首次揭示了氮化镓异质结构中AlN夹层厚度依赖的极化 ...
深圳平湖实验室分析检测中心的田佳民博士在国际期刊《Nanoscale》上发表题为“Thickness-Dependent Polarization Modulation at AlN Interlayers in GaN Heterostructures Revealed by Atomic-Scale 4D-STEM”的文章 ...
2026-1-7 09:03
士兰微:8吋SiC芯片项目一期通线,年产能42万片
士兰微:8吋SiC芯片项目一期通线,年产能42万片
1月4日,士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼成功举办。多位企业核心管理层、技术专家及产业链伙伴出席现场,共同见证士兰微电子产线布局的重要里 ...
2026-1-6 09:11
晶驰机电全自动腐蚀炉成功出口
晶驰机电全自动腐蚀炉成功出口
近日,晶驰机电全新研发的6-12寸兼容的全自动腐蚀炉成功走向海外市场,获得国际客户的高度认可。该设备专为碳化硅(SiC)晶片腐蚀工艺设计,集自动化、高效率、高安全性于一体,标志着晶驰机电在半导体装备领域迈出 ...
2026-1-5 10:01
瀚天天成:面向车规MOS应用的8英寸碳化硅外延技术研发及产业化
瀚天天成:面向车规MOS应用的8英寸碳化硅外延技术研发及产业化
本成果成功开发了一种针对 8 英寸 4H-SiC 晶圆的车规级高质量外延生长技术。通过系统优化生长温度、主H2流量及其比例分布、C/Si 比等关键参数,有效抑制了热场与流场分布不均的问题;同时,通过分析缺陷形成机理,优 ...
2026-1-4 09:57
镓仁半导体:成功实现VB法8英寸氧化镓单晶生长
镓仁半导体:成功实现VB法8英寸氧化镓单晶生长
2025年12月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长,8英寸等径长度可达20mm。这一成果的落地,不仅为2025年的工作划上圆满句号,更印证了公司在氧化镓领 ...
2026-1-4 09:46
深圳平湖实验室实现SiC 栅氧表征与微观电性精准表征技术双突破!
深圳平湖实验室实现SiC 栅氧表征与微观电性精准表征技术双突破!
近日,深圳平湖实验室在宽禁带半导体核心表征技术上取得两项重要突破,分别聚焦于 “SiC栅氧界面” 与 “微观尺度电性” 两大关键领域,攻克了长期存在的行业技术瓶颈,形成了具备自主知识产权的先进分析能力。这两 ...
2025-12-31 13:42
水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性高效精密加工
水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性高效精密加工
近日,在大尺寸碳化硅衬底领域传来一项重大突破。晟光硅研成功应用水导激光加工技术,对12英寸超大尺寸碳化硅晶锭实现了高质量、高效率的精密加工。此阶段的加工实践不仅验证了水导激光技术对于超宽禁带半导体材料的 ...
2025-12-29 09:29
深圳平湖实验室100V GaN功率器件综合性能达行业先进水平
深圳平湖实验室100V GaN功率器件综合性能达行业先进水平
近日,深圳平湖实验室在100V氮化镓(GaN)功率器件领域取得关键进展,成功研制出高性能100V GaN E-HEMT(增强型高电子迁移率晶体管)器件与封装工程样品,关键性能达到行业先进水平,可为数据中心二次电源、人形机器 ...
2025-12-26 10:18

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