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双喜临门！西湖仪器成功认定浙江省企业研究院并两年蝉联区级创新新锐企业: 热烈祝贺联盟理事单位——西湖仪器近日捷报频传，创新实力与品牌影响力再获权威认可！公司成功获评“浙江省企业研究院”，标志着其研发体系与创新能力迈入省级领先行列；同时，公司亦连续两年荣膺“西湖区前沿创新新 ...; 2026-1-7 09:07

最新成果！深圳平湖实验室研究团队首次揭示了氮化镓异质结构中AlN夹层厚度依赖的极化 ...: 深圳平湖实验室分析检测中心的田佳民博士在国际期刊《Nanoscale》上发表题为“Thickness-Dependent Polarization Modulation at AlN Interlayers in GaN Heterostructures Revealed by Atomic-Scale 4D-STEM”的文章 ...; 2026-1-7 09:03

士兰微：8吋SiC芯片项目一期通线，年产能42万片: 1月4日，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼成功举办。多位企业核心管理层、技术专家及产业链伙伴出席现场，共同见证士兰微电子产线布局的重要里 ...; 2026-1-6 09:11

晶驰机电全自动腐蚀炉成功出口: 近日，晶驰机电全新研发的6-12寸兼容的全自动腐蚀炉成功走向海外市场，获得国际客户的高度认可。该设备专为碳化硅（SiC）晶片腐蚀工艺设计，集自动化、高效率、高安全性于一体，标志着晶驰机电在半导体装备领域迈出 ...; 2026-1-5 10:01

瀚天天成：面向车规MOS应用的8英寸碳化硅外延技术研发及产业化: 本成果成功开发了一种针对 8 英寸 4H-SiC 晶圆的车规级高质量外延生长技术。通过系统优化生长温度、主H2流量及其比例分布、C/Si 比等关键参数，有效抑制了热场与流场分布不均的问题；同时，通过分析缺陷形成机理，优 ...; 2026-1-4 09:57

镓仁半导体：成功实现VB法8英寸氧化镓单晶生长: 2025年12月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长，8英寸等径长度可达20mm。这一成果的落地，不仅为2025年的工作划上圆满句号，更印证了公司在氧化镓领 ...; 2026-1-4 09:46

深圳平湖实验室实现SiC 栅氧表征与微观电性精准表征技术双突破！: 近日，深圳平湖实验室在宽禁带半导体核心表征技术上取得两项重要突破，分别聚焦于 “SiC栅氧界面” 与 “微观尺度电性” 两大关键领域，攻克了长期存在的行业技术瓶颈，形成了具备自主知识产权的先进分析能力。这两 ...; 2025-12-31 13:42

水导激光技术成功实现12英寸碳化硅晶锭一次性高效精密加工: 近日，在大尺寸碳化硅衬底领域传来一项重大突破。晟光硅研成功应用水导激光加工技术，对12英寸超大尺寸碳化硅晶锭实现了高质量、高效率的精密加工。此阶段的加工实践不仅验证了水导激光技术对于超宽禁带半导体材料的 ...; 2025-12-29 09:29

深圳平湖实验室100V GaN功率器件综合性能达行业先进水平: 近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器 ...; 2025-12-26 10:18

重磅突破！瀚天天成12吋SiC外延全球首发: SiC技术重磅突破！瀚天天成全球首发12英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产 ...; 2025-12-25 09:48

天域半导体新基地通线，年产能冲80万片！: 12月19日，国内碳化硅外延领域的领军企业——广东天域半导体股份有限公司（下称“天域半导体”）在其东莞松山湖生态园新生产基地举行通线仪式。通线仪式上，天域半导体董事长李锡光介绍，通线的碳化硅外延新产线投产 ...; 2025-12-23 09:27

深圳平湖实验室高压650V GaN功率器件综合性能达国际先进水平: 近日，深圳平湖实验室在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OB ...; 2025-12-22 10:02

天域半导体敲钟上市，“SiC外延第一股”诞生: 12月5日，随着开市锣声响起，天域半导体正式在港交所挂牌上市。此次成功登陆港股，不仅标志着天域半导体的上市进程已正式收官，也意味着中国碳化硅外延环节迎来首家上市公司——“SiC外延第一股”由此诞生。港股上市 ...; 2025-12-9 09:37

从技术突破到产业落地：唐为华教授详解苏州镓和氧化镓体系化布局与未来规划: 在第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）上，氧化镓成为业内关注的核心方向之一。苏州镓和半导体有限公司董事长唐为华教授以"氧化镓日盲紫外光电器件及应用"为题带来精彩报告。同时在会议期间围绕 ...; 2025-12-8 10:21

深圳平湖实验室在低压（15V-40V）GaN 功率器件领域取得突破性进展，器件综合性能达国 ...: 近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电 ...; 2025-12-8 10:14

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