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成员风采

【成员风采】瀚天天成，碳化硅超结关键制造工艺取得历史性突破
近日，瀚天天成电子科技(厦门)有限公司联合电子科技大学、中国科学院相关院所、重庆伟特森电子科技有限公司，突破了碳化硅超结深槽外延关键制造工艺，助力国产高性能超结碳化硅器件研发。功率半导体器件是各类电力电 ...
2021-3-4 09:21
【成员风采】微电子所在氮化镓界面编辑方面取得新进展
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所刘长松研究员团队、微电子所先导中心工艺平台合作在GaN界面编辑领域取得了新进展，揭示了低压化学气相沉积（LPCVD）SiNx/GaN界面 ...
2021-3-1 17:46
【成员风采】10亿！中科钢研半导体项目预计年内投产
近日，山东莱西中科钢研碳化硅集成电路产业园项目传来新进展。据握得莱西报道，该项目总投资10亿元，占地83亩，建筑面积5.5万平方米，主要产品为4英寸、6英寸碳化硅晶体衬底片，预计年内投产。图片来源：魅力莱西该 ...
2021-2-23 09:21
【成员风采】天科合达砥砺前行谱新篇，助力第三代半导体发展大步向前—— 大兴区区长 ...
2021年2月9日下午，大兴区委副书记、区长王有国，副区长杨蓓蓓，区政府党组成员、政府办主任李达，区经济和信息化局局长高振华，生物医药基地管委会田德祥书记等领导莅临北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“ ...
2021-2-18 10:10
中科钢研集成电路产业园碳化硅项目新进展
近日，总投资10亿的中科钢研集成电路产业园项目有了新进展，据报道称，项目一期工程已完工，二期生产车间和机修车间钢结构正在吊装，预计6月份主体竣工。项目落地于莱西经济开发区，这里将会建成中科钢研的国家级先 ...
2021-2-8 09:37
【成员风采】十年磨一剑，士兰IPM打破国际大厂垄断
2010年10月，为响应国家“西部大开发”的号召，并支持“汶川地震”灾后重建工作，士兰微电子在成都市金堂县淮口镇（现为淮州新城）“成都-阿坝工业集中发展区”（简称“成阿园区”）投资设立了成都士兰半导体制造有 ...
2021-2-8 09:14
【成员风采】纳维科技总部大楼奠基，建成后可年产氮化镓衬底及外延片5万片
1月24日，据苏州工业园区消息，苏州纳维科技有限公司在园区举行总部大楼奠基仪式。项目位于苏州纳米城，占地面积超1.4万平方米，总建筑面积超3.4万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。苏州工业园 ...
2021-1-27 11:56
【成员风采】同光晶体完成C轮融资 加快实现产能提升
近日，国内领先的第三代半导体碳化硅单晶衬底企业——河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）宣布完成C轮融资。此轮融资由CPE领投，新资金的注入将帮助同光晶体更快更好的完成新一轮产能扩张计划。本轮融资后，同 ...
2021-1-25 10:37
【成员风采】中科院+上交所，这场路演都有啥“硬科技”
新一代半导体材料，竟然有“种子”、会“生长”？一项源自中国科学院物理研究所的创新，走出实验室，走上生产线。　　1月20日，2020年度中科院科技成果路演活动在线举行。这场路演由中科院、上海证券交易所指导，汇 ...
2021-1-22 11:04
【成员风采】山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目启动试生产
1月15日，由国宏中宇科技发展有限公司控股，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产11万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开发区建成并启动试生产。记者进入生产车间，映入眼帘的是排列整齐的晶体生长与衬底片 ...
2021-1-18 14:54
【成员风采】泰科天润陈彤：力争浏阳项目春节前投产，满产后年产值预计13亿至14亿元
2021年1月3日上午10时，陈彤从车间察看设备后，回到位于四楼的办公室，还没来得及放下手中的安全帽，一位员工凑上前来，跟他探讨起了设备调试问题。记者看到，所谓的办公室只不过是在靠墙一角，摆放着几张“十”字形 ...
2021-1-8 09:45
【成员风采】泰科天润碳化硅6寸晶圆生产线隆重接受长沙市观摩团检阅
2020年12月29日上午，长沙市举行重大产业项目观摩建设观摩活动，长沙市委副书记、市长、湖南湘江新区党工委书记郑建新率长沙市委、市人大、市政府、市政协在职副市级以上领导同志；湖南湘江新区、其它市直单位等主要 ...
2021-1-4 09:38
【成员风采】中科钢研与启迪数字、启迪之星签署战略合作协议
12月28日，中科钢研节能科技有限公司与北京启迪数字科技集团有限公司、启迪之星（北京）科技企业孵化器有限公司在中国钢研科技集团有限公司会议室隆重举行签约仪式。中科钢研董事长张岩，董事董伟、王延明，中科钢研 ...
2020-12-30 09:22
【成员动态】国宏中宇牵头起草的团体标准《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试 ...
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》起草工作启动会于2020年11月11日上午在国宏中晶集团总部会议室顺利召开。《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方 ...
2020-11-26 09:03
【成员风采】苏州纳米所孙钱团队研制出一种新型氮化镓半导体激光器
III族氮化物半导体是继第一代Si、Ge元素半导体和第二代GaAs、InP化合物半导体之后的第三代半导体，通常又被称为宽禁带半导体。其为直接带隙材料，禁带宽度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之间连续可调，发光波长覆盖了 ...
2020-11-23 09:28
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