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下级分类:  公告通知|联盟动态
4H碳化硅单晶中的位错
4H碳化硅单晶中的位错
摘要4H 碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力 电子、射频/ 微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。 经过多年的发展,6 英寸(1 英寸 = 2. 54 cm)4H ...
分类:    2023-2-8 09:21
HVPE-GaN生长
HVPE-GaN生长
导 读本期主题:HVPE-GaN growthOn the bumpy road to bulk GaN and high quality wafers报告作者:unipress来源:芯TIP
分类:    2023-2-8 09:15
签下六年保供协议,派恩杰确定SiC营收新目标
签下六年保供协议,派恩杰确定SiC营收新目标
2022年碳化硅(SiC)行业全产业链经历了全面的爆发,一边是电动汽车快速发展带来了旺盛的SiC功率器件需求——SiC可为电动汽车提供更快的充电速度和更长的行驶里程;一边则是因为SiC衬底晶圆缺货导致的SiC芯片供应不 ...
分类:    2023-2-8 09:13
国内视点|昕感科技连续完成两轮融资;晶盛机电发布6英寸双片式碳化硅外延设备;̴ ...
国内视点|昕感科技连续完成两轮融资;晶盛机电发布6英寸双片式碳化硅外延设备;̴ ...
导 读01昕感科技获数亿元B系列融资02晶盛机电成功发布6英寸双片式碳化硅外延设备03清纯半导体研发基地正式启用01碳化硅功率半导体企业「昕感科技」获数亿元B系列融资近日,碳化硅(SiC)功率半导体企业昕感科技宣布 ...
分类:    2023-2-7 10:01
碳化硅产业 · 2023年01月刊
碳化硅产业 · 2023年01月刊
- End -来源:芯TIP
分类:    2023-2-7 09:47
Wolfspeed宣布在德国建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂,并与采埃孚建立战略 ...
Wolfspeed宣布在德国建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂,并与采埃孚建立战略  ...
2月2日,美国半导体厂Wolfspeed正式宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂。该工厂将成为全球最大的8英寸半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。Wolfspeed介绍,这座欧洲 ...
分类:    2023-2-6 10:55
降低碳化硅牵引逆变器的功率损耗和散热
降低碳化硅牵引逆变器的功率损耗和散热
随着电动汽车(EV)制造商之间在开发成本更低、行驶里程更长的车型方面的竞争日益激烈,电力系统工程师面临着减少功率损耗和提高牵引逆变器系统效率的压力,这可以提高行驶里程并提供竞争优势。效率与较低的功率损耗 ...
分类:    2023-2-6 10:41
碳化硅MOS已在多家光伏企业应用
碳化硅MOS已在多家光伏企业应用
经过几年的关注,光伏产业已经是广为人知的“风口”,为什么又把逆变器“带火”了?这就不得不提及逆变器对于光伏系统的重要性了。逆变器是一种将直流电(电池、蓄电瓶)转化为交流电的装置,在汽车、轨道交通、通信 ...
分类:    2023-2-6 10:40
Veeco收购Epiluvac AB|加速进入高增长碳化硅外延设备市场
Veeco收购Epiluvac AB|加速进入高增长碳化硅外延设备市场
导 读据 Yole Group 预测,从 2023 年到 2027 年,SiC 器件市场的复合年增长率 (CAGR) 将增长约 30%。因此,根据 Yole Group 和内部 Veeco 的估计,预计 SiC 外延设备市场同期复合年增长率将达到约15%。2月1日消息, ...
分类:    2023-2-3 09:25
高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
0 摘 要碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 作为宽禁带半导体单极型功率 器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。回顾 了高压 SiC MOSFET 器件 ...
分类:    2023-2-3 09:08
氮化物半导体材料中的缺陷及其与电子设备的相关性
氮化物半导体材料中的缺陷及其与电子设备的相关性
本期主题:Defects in Nitride Semiconductors Materials and their relevance to electrical devices报告作者:Elke Meissner来源:芯TIP
分类:    2023-2-2 09:19
SiC vs GaN:宽禁带半导体的不同世界
SiC vs GaN:宽禁带半导体的不同世界
GaN和SiC都是新技术,而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场,同时,在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体现已量产,并迅速扩大其市场份额。据市 ...
分类:    2023-2-2 09:00
加快第三代半导体产业发展,深圳龙岗再出手
加快第三代半导体产业发展,深圳龙岗再出手
1月29日,深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地,宗地号为G05701-0090,土地总面积为86714.75平方米,建筑面积为105000平方米。本宗地的挂牌起始价2920万元,土地使用年限为30年,将于2月27日正式出让。本宗地 ...
分类:    2023-2-1 09:25
半导体国产化向5.0推进
半导体国产化向5.0推进
依托国内的市场优势,实现半导体产业链的不断升级。近日,在预测2023年十大趋势中,浙商科技分析师陈杭表示国产化半导体即将5.0推进,建立中国半导体生态系统。通过梳理国内半导体行业国产替代的发展脉络,可以分为 ...
分类:    2023-2-1 09:25
GaN功率器件基本概述
来源:半导体之芯
分类:    2023-2-1 09:24

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