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【立项决议】宽禁带联盟2023年度第二次团标评审会顺利召开: 2023年5月23日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2023年度第二次团体标准评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对《SiC器件功率循环试验方法》等6项团体标准立项申请进 ...; 分类: 公告通知 2023-5-25 09:54

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT: 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:50

牵头欧洲联合研究计划，英飞凌再发力GaN功率半导体！: 作为国际功率半导体龙头厂商之一，英飞凌的动态备受市场关注，在相关行业扮演着重要的角色，尤其是SiC、GaN等第三代半导体市场。今年3月，英飞凌宣布拟收购GaN芯片龙头GaN Systems一事便在第三代半导体领域引起巨大 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:29

做一粒好种子：SiC 肖特基二极管 / SiC 平面栅MOSFET、JBSFETS / SiC 沟槽栅MOSFET结 ...: 在半导体研究中我们经常看下面这个公式：理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，EC是所需耐压的临界 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-25 09:26

瑞萨入局SiC市场: 瑞萨电子计划在其高崎工厂安装一条用于 SiC 器件的生产线，并于 2025 年开始运营。如今，随着新能源汽车高速发展，此前采用较多的硅（Si）基材料基本已逼近其物理极限，如工作温度、电压阻断能力、正向导通压降、器 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-24 09:25

动态｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET功率最新进展: 译改自原文：Al0.64Ga0.36N Channel MOSHFET on Single Crystal Bulk AlN Substrate原文作者：Abdullah Mamun*, Kamal Hussain, Richard Floyd, MD Didarul Alam, MVS Chandrashekhar, Grigory Simin, and Asif Khan ...; 分类: 联盟动态 2023-5-24 09:19

联盟活动 | 5月24日 19:00 抛光技术在化合物半导体制造的应用: ⏰【5月24日 19:00】在化合物半导体碳化硅衬底及器件的加工制造流程中，磨抛是至关重要的部分，通过对磨抛工艺的合理化选择，我们可以将碳化硅晶圆加工到理想的厚度、面型及表面质量。本次活动我们邀请到「特思 ...; 分类: 公告通知 2023-5-24 09:13

2亿美元！X-FAB再扩产，宣布在美碳化硅产能投资规划: 近日，据外媒报道，德国晶圆代工厂X-Fab日前宣布，计划扩大其在美国德克萨斯州拉伯克市（Lubbock）的代工厂业务。报道称，该公司已在拉伯克运营20多年，将在未来5年内进行重大投资，其中第一阶段的投资额为2亿美元， ...; 分类: 联盟动态 2023-5-23 09:43

晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介: 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-23 09:38

6月2日 | 鲁欧智造首届用户年会邀您参会！: -诚挚邀请-INVITATION2023年6月2日鲁欧智造首届用户年会邀请函尊敬的嘉宾：您好，电子散热技术走向数字化时代，而高精度的热测试数据是热设计数字化的基础。2023年6月2日，宽禁带联盟联合鲁欧智造将在上海举行首届用 ...; 分类: 公告通知 2023-5-23 09:25

新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产: 2023年5月18日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）宣布，基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。该工艺平台采用业界领先的 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-22 09:32

CVD Equipment发布碳化硅PVT系统: 新系统专为生长直径 150 mm 的 SiC 晶碇而设计CVD Equipment公司推出了PVT150，这是一种用于SiC晶碇生长的物理蒸汽传输（PVT）系统。PVT150型号据称是一种紧凑的平台设计，专门用于生长直径为150毫米的晶碇，可升级 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-22 09:28

如何实现SiC MOSFET的短路检测及保护？: SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程中SiC MOSFET的高短路电流会产 ...; 分类: 联盟动态 2023-5-22 09:17

碳化硅材料切割的下一局：激光切割: 迭代晶锭切割技术是目前衬底环节提高产能的主要途径。通过长晶环节提高良率仍需要较长时间的经验累积，攻克晶锭切割环节切割速度慢和切片良率低这两大关键问题后可以实现快速降本。目前，碳化硅材料的切割方案中，以 ...; 分类: 新闻通知 2023-5-22 09:03

重磅议程来袭 | 半导体先进技术创新发展和机遇大会: 当今世界，最具影响力的战略先导性技术，非半导体科技莫属。半导体科技亦是国家综合科技实力的重要标志，在信息技术、通讯技术、人工智能、电动汽车、新能源等领域发展尤为关键，支撑着国家的核心竞争力，足以及影响 ...; 分类: 公告通知 2023-5-19 11:03

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