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行业 | AlN单晶衬底，这个英寸非终点: 氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外LED最佳衬 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-11 11:58

山西省启动国家第三代半导体技术创新中心（山西）建设: 5月7日，在山西省科技工作会议上，确定2022年为“创新生态建设提质年”，将重点实施八大提质行动。其中包括，聚焦高水平科技供给，实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取“煤炭清洁高效利用”等科技创新—2030重大 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-11 11:57

25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分)：DC-DC级的设计考虑因素和仿真: 作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” 系列的这篇新文章中，我们聚焦DC-DC双有源相移全桥(DAB-PS)零电压开关(ZVS)转换器，其简介和部分描述参见第二部分。 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-11 11:56

SiC MOSFET单管并联均流特性及1200V产品参数分散性对并联均流影响: 在新型电力电子器件领域，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件与传统的硅基器件相比，拥有更高的临界击穿场强、更好的热传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片面面积，这些优良特性使得基 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-11 11:55

国际首创！浙大杭州科创中心首次采用新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆: 实现“双碳”目标，科技创新是关键引擎。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗，在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。氧化镓产品的研制已经成为国际 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-10 17:44

SiC 电力电子学产业化技术的创新发展: 0 引言以 Si 金属－氧化物－半导体场效应晶体管( MOSFET) 、Si 绝缘栅双极晶体管 ( IGBT) 和二极管为代表的 Si 电力电子学，以其优良的材料质量、易于加工、可低成本大规模生产和可靠性高等特点，目前仍是电 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-10 17:44

设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机: 电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快速直流充电。如下图所示，直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成：图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-10 17:43

第三代半导体正在走向“巅峰”: 第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性，因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用，被视为电力电子领域的颠覆性技术。 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-10 17:42

【征集】2022科创中国·科技创新创业大赛评审专家: 2022征集评审专家科创中国·科技创新创业大赛投资专家 /技术专家 / 科创中国 /创新创业2022科创中国·科技创新创业大赛：https://kczg.zgclmlhh.org.cn/r/index为保证即将进行的评审工作高质量地有序开展，现面向各 ...; 分类: 公告通知 2022-5-10 17:21

徐州致能半导体氮化镓项目即将投产: 根据徐州日报的消息，致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计将于今年11月正式投产。据了解，徐州致能半导体有限公司是广东致能科技有限公司的子公司，于2020年11月正式落地徐州，而这也是徐州高新区电子信 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-7 16:03

SiC到底为什么那么“神”？: 相比硅基功率半导体，SiC（碳化硅）功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”，究竟是怎么造出来 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-7 16:01

【第二轮通知】第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2022）: PART ONE会议简介碳化硅等宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）近年来已成为全球高新技术领域竞争的战略制高点和国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、国际竞争和社会民生等领域 ...; 分类: 公告通知 2022-5-6 18:12

【联盟动态】2022年4月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿: 【新品发布】1.瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管，电压范围覆45V/65V/100V/150V，产品组合丰富，多种封装 TO220/TO220F/ DPAK 可供客户选用。G3 肖特基二极管，采用新一 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:10

SiC离子注入和高温退火工艺及监控: 在传统的Si功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来讲，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓是等向性的，并且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。而离子注入工艺复杂设 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:09

SiC产业的新趋势：垂直整合是其中之一: 韩国SK集团通过收购，正是成为又一个控制了SiC全链条的公司。而根据咨询分析公司Yole的报道，这已经成为了SiC产业的一个重要趋势。Yole 的化合物半导体团队宣布，到 2027 年，SiC 器件市场将达到 63 亿美元。随着过 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:07

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