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SiC离子注入和高温退火工艺及监控: 在传统的Si功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来讲，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓是等向性的，并且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。而离子注入工艺复杂设 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:09

SiC产业的新趋势：垂直整合是其中之一: 韩国SK集团通过收购，正是成为又一个控制了SiC全链条的公司。而根据咨询分析公司Yole的报道，这已经成为了SiC产业的一个重要趋势。Yole 的化合物半导体团队宣布，到 2027 年，SiC 器件市场将达到 63 亿美元。随着过 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:07

Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底，拓展碳化硅产品组合: Soitec 首款 200mm SmartSiC™优化衬底基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造，助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效中国北京，2022 年 5 月 6 日 ——设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soite ...; 分类: 联盟动态 2022-5-6 18:05

Wolfspeed积极推动SiC技术在家电领域的应用: 随着 2020 年家用空调新能效标准的实施，提高产品能效成为空调产品升级的重要方向，可以制作高温、高频、大功率、高压器件的第三代半导体碳化硅技术受到空调行业的高度关注。机遇之下，作为碳化硅衬底和碳化硅功率器 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-5 11:05

碳化硅迈入加速成长期，2027年市价值达63亿美元: 根据市场研究战略顾问公司Yole Développement预测，碳化硅元件将从2021年10.9亿美元成长到2027年63亿美元，年复合成长率达到34%。特斯拉在2020年和2021年有多款新发布的电动车都在变压器上采用碳化硅元件。根据Yole ...; 分类: 联盟动态 2022-5-5 11:02

狼的速度：豪赌8英寸碳化硅晶圆厂，筹码有几何？: 4月25日，Wolfspeed正式启用其位于美国纽约州马西的最先进的莫霍克谷碳化硅制造厂。拆分出LED业务之后，某一种意义上押注碳化硅是一个豪赌。作者｜隐德来希校对｜思坦芯观点──聚焦国内外产业大事件，汇聚中外名人 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-5 11:01

碳化硅晶锭切割的里程碑-金刚线多线切割机: 2021年9月，我司芯茂(嘉兴)半导体科技有限公司与日本安永株式会社、吉永商事株式会社达成战略合作，为进一步应对国内碳化硅市场的急速发展，满足业内客户的扩产需求，安永公司在我司芯茂科技（浙江嘉善）放置中国首 ...; 分类: 联盟动态 2022-5-5 10:58

SiC离子注入和高温退火工艺及监控: 在传统的Si功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来讲，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓是等向性的，并且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。而离子注入工艺复杂设 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-29 18:21

碳化硅迈入加速成长期，2027年市价值达63亿美元: 根据市场研究战略顾问公司Yole Développement预测，碳化硅元件将从2021年10.9亿美元成长到2027年63亿美元，年复合成长率达到34%。特斯拉在2020年和2021年有多款新发布的电动车都在变压器上采用碳化硅元件。根据Yole ...; 分类: 联盟动态 2022-4-29 18:20

强强联手！罗姆与台达电子合作开发600V GaN元件: 4月27日，罗姆宣布与台达电子就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术，联合开发适合更多电源系统的600V耐 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-29 18:20

【立项决议】宽禁带联盟第六批团体标准成功立项: 2022年4月27日，根据中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）团体标准制定工作程序要求，联盟秘书处组织召开了宽禁带联盟2022年度第二次团体标准评审会。本次评审会采取线上评审的形式，分别 ...; 分类: 公告通知 2022-4-29 18:19

北科大在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件: 随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点，传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来，金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-28 15:03

AlN晶体管是下一代半导体材料？: #AlN（氮化铝）比SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）具有更低的损耗和更高的耐压。近日，一家日本公司（NTT）表示，他们使用AlN（氮化铝）成功实现晶体管操作，这使AIN有望成为超越SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的下一代 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-28 15:02

氧化镓：第四代半导体材料走进风口: 文︱郭紫文图︱网络后摩尔时代，业界开始了对新架构、新工艺、新材料的全面探索，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体脱颖而出，在高压、高温、高频等应用场景中逐渐展露广阔的市场发展潜力。事实上，在材料技术领 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-28 15:01

Wolfspeed全球首座200mm SiC工厂开业，提升备受期待的器件生产: Wolfspeed 全球首座 200mm SiC 工厂盛大开业，提升备受期待的器件生产位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求碳化硅（SiC）技术和制造的全球引领者 W ...; 分类: 联盟动态 2022-4-28 15:01

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