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SiC MOSFET 在 6.6kW 高频率高功率密度功率转换器中的应用: 摘要本文介绍了碳化硅（SiC）器件在高频率 LLC 谐振 DC/DC 转换器中的应用。此类转换器可用于母线转换器、电动汽车充电机、服务器电源和储能系统。在开关频率较高的情况下，LLC 变压器的漏电感可用作谐振电感，在 50 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-15 14:29

清华大学集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破: 近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。晶体管作为芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-15 14:28

国产车规级碳化硅器件的上车之路: AEC-Q系列认证是进入汽车领域的必经之路AEC(Automotive Electronics Council)—汽车电子委员会，创立于1994年。是由美国三大汽车公司（Chrysler / Ford / GM）为了一套通用的零件资质及质量系统标准而联合发起的，AE ...; 分类: 联盟动态 2022-3-15 14:26

半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻: 分类: 联盟动态 2022-3-15 14:25

【APCSCRM 2022征稿通知】APCSCRM 2022投稿说明: 为鼓励宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装、器件模块应用和标准化等领域理论和技术的学习与交流，会议将开展论文交流活动，欢迎国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用和标准化领域的专 ...; 分类: 公告通知 2022-3-14 15:34

两会热议车规级芯片，碳化硅功率半导体前景可期: 两会期间，集成电路产业再次成为焦点话题，其中车规级芯片发展备受各方热议。汽车是国民经济支柱型产业，集成电路则是支撑经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，近年随着新能源汽车与智能汽车市场迅速发展，汽 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-14 12:40

籽晶台形状对PVT法同质外延生长氮化铝单晶初始生长的影响: 目前，制备AlN单晶最为成功的办法是物理气相传输（PVT）法，但基于该方法生长AlN常受寄生生长影响，难以制备高质量、大尺寸氮化铝单晶。考虑PVT法生长AlN晶体的“黑箱”特性，其反应过程的温度场及传质场均不可见， ...; 分类: 联盟动态 2022-3-14 12:39

电动汽车 IGBT 芯片技术综述和展望: 电动汽车的安全性和可靠性。芯片结构是决定 IGBT 芯片性能的关键因素。因此，芯片本体的优化设计是提高电动汽车牵引逆变器功率密度、运行效率和工况适应性的基础。围绕电动汽车 IGBT 芯片电流密度提升和功率损耗降低 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-14 12:38

第三代功率半导体进入快车道: 第三代半导体将是未来半导体技术的关键。集邦咨询（TrendForce）的调查显示，在 2018 年至 2020 年因贸易战和 Covid-19 大流行而推迟之后，由于汽车、工业和电信应用的需求回升，第三代半导体领域可能会进入快速回升 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-14 12:38

宽禁带材料金刚石热度大增: 在寻找更好的宽带隙 (WBG) 材料的过程中，研究人员正在寻求利用金刚石来制造用于高功率和高频电子设备的场效应晶体管 (FET)。硅 (si) 通常作为一种用于高功率和高频电子制造的材料，并在其中占据主导地位。尽管广泛 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-14 12:37

化合物半导体制造格局生变: 来源：半导体行业观察畅秋本周，安森美签署了一份协议，剥离其在美国缅因州南波特兰的工厂，出售给DiodesIncorporated。Diodes计划扩大其8英寸晶圆厂产能，以支持其模拟芯片的生产。今年2月初，安森美还完成了将位 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-10 08:59

市场观察｜海外新能源汽车逆变器SiC应用新进度: Equipmake 推出下一代碳化硅逆变器3月7日，据electrive 报道称，英国电力驱动领域的公司 Equipmake 推出了下一代碳化硅逆变器，据称可以为电动汽车的性能带来飞跃性变化。▲ 图源：EquipmakeEquipmake 称，新型 HPI- ...; 分类: 联盟动态 2022-3-10 08:59

索尼与本田合作开发电动汽车与移动技术，2025年销售首款电动汽车: 3 月 4 日，索尼集团和本田汽车有限公司联合宣布，两家公司达成了战略联盟协议，共同开创未来移动技术与服务的新时代。在发布会上两家公司还宣布，将共同成立一家合资企业。这家新公司计划在 2022 年成立，目标是通 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-10 08:58

第三代半导体材料及器件中的热科学和工程问题: 摘要：简单回顾了半导体材料的发展历史，并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例，介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略。以β相氧化镓为例，简单讨论了新兴的超宽禁带半导体的发展和热管理挑战。然后重点 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-10 08:58

IGBT在前，SiC在后，新能源汽车如何选择？: 受惠于电动车、5G基础设施等领域需求提升，SiC(碳化硅)功率元件正稳步渗透到全球市场。据专业机构统计，2018年全球已有超过20家的汽车厂商在OBC中使用了SiC肖特基二极管或SiC MOSFET，未来SiC功率半导体在OBC市场中 ...; 分类: 联盟动态 2022-3-8 11:33

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