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产能提升300%,GaN又有新技术
产能提升300%,GaN又有新技术
5月5日,《自然》期刊发表一项氮化镓单晶的激光减薄新技术,其作者包括诺贝尔得主天野浩。据介绍,该技术可以将氮化镓衬底产能提升3倍,同时可以省去衬底抛光工艺,因此有助于帮助降低氮化镓单晶器件制造成本,该技 ...
分类:    2022-5-12 17:21
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
摘要大直径高质量 SiC 衬底对提高 SiC 和 GaN 器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究 ...
分类:    2022-5-12 17:20
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
罗姆集团旗下的 SiCrystal成立25周年
全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世 ...
分类:    2022-5-12 17:17
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
功率半导体缺货持续,碳化硅缺口如何?
1此轮功率半导体缺货潮持续,可能延续至2023年功率半导体缺货仍在持续,近日有业内人士表示,目前IGBT又出现交货紧张情况,“从交货周期看,已全线拉长到50周以上,个别料号周期更长。”同时,富昌电子等分销商官网 ...
分类:    2022-5-12 17:16
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
行业 | AlN单晶衬底,这个英寸非终点
氮化铝(AlN)是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外LED最佳衬 ...
分类:    2022-5-11 11:58
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
山西省启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设
5月7日,在山西省科技工作会议上,确定2022年为“创新生态建设提质年”,将重点实施八大提质行动。其中包括,聚焦高水平科技供给,实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取“煤炭清洁高效利用”等科技创新—2030重大 ...
分类:    2022-5-11 11:57
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分):DC-DC级的设计考虑因素和仿真
作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” 系列的这篇新文章中,我们聚焦DC-DC双有源相移全桥(DAB-PS)零电压开关(ZVS)转换器,其简介和部分描述参见第二部分。 ...
分类:    2022-5-11 11:56
SiC MOSFET单管并联均流特性及1200V产品参数分散性对并联均流影响
SiC MOSFET单管并联均流特性及1200V产品参数分散性对并联均流影响
在新型电力电子器件领域,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件与传统的硅基器件相比,拥有更高的临界击穿场强、更好的热传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片面面积,这些优良特性使得基 ...
分类:    2022-5-11 11:55
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆
实现“双碳”目标,科技创新是关键引擎。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗,在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。氧化镓产品的研制已经成为国际 ...
分类:    2022-5-10 17:44
SiC 电力电子学产业化技术的创新发展
SiC 电力电子学产业化技术的创新发展
0 引言以 Si 金 属 - 氧 化 物 - 半导体场效应晶体 管( MOSFET) 、Si 绝缘栅双极晶体管 ( IGBT) 和二极管为代表的 Si 电力电子学,以其优良的材料质量、易于加工、可低成本大规模生产和可靠性高等特点,目前仍是电 ...
分类:    2022-5-10 17:44
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机
电动汽车(EV)直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机,直接为电池提供快速直流充电。如下图所示,直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成:图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在 ...
分类:    2022-5-10 17:43
第三代半导体正在走向“巅峰”
第三代半导体正在走向“巅峰”
第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等物理特性,因此其天然适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用,被视为电力电子领域的颠覆性技术。 ...
分类:    2022-5-10 17:42
【征集】2022科创中国·科技创新创业大赛评审专家
【征集】2022科创中国·科技创新创业大赛评审专家
2022征集评审专家科创中国·科技创新创业大赛投资专家 /技术专家 / 科创中国 /创新创业2022科创中国·科技创新创业大赛:https://kczg.zgclmlhh.org.cn/r/index为保证即将进行的评审工作高质量地有序开展,现面向各 ...
分类:    2022-5-10 17:21
徐州致能半导体氮化镓项目即将投产
徐州致能半导体氮化镓项目即将投产
根据徐州日报的消息,致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计将于今年11月正式投产。据了解,徐州致能半导体有限公司是广东致能科技有限公司的子公司,于2020年11月正式落地徐州,而这也是徐州高新区电子信 ...
分类:    2022-5-7 16:03
SiC到底为什么那么“神”?
SiC到底为什么那么“神”?
相比硅基功率半导体,SiC(碳化硅)功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”,究竟是怎么造出来 ...
分类:    2022-5-7 16:01

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