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全球功率巨头的碳化硅衬底产能争夺战: 01衬底，发展碳化硅产业的关键第三代半导体是以SiC及氮化镓（GaN）为主要材料，有别于第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为主要材料，及第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、铝砷化镓（AlGaAs）为主要材料 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-30 13:18

中镓半导体：低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产: 近期，中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范围，并且目前新产品已经开始量产销售。中镓半导体提供硅掺杂的2英寸高电导率氮化镓自支撑衬底，可用于制备半导体 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-30 13:17

全球首款！日本Novel成功开发出安培级1200V氧化镓SBD器件: 作为日本NEDO“战略节能技术创新计划”中的重要成员，Novel Crystal Technology公司致力于氧化镓（β-Ga2O3）功率器件商业化开发，该公司近日宣布已成功开发出沟槽型安培级1200 V耐压“氧化镓肖特基势垒二极管 (SBD) ...; 分类: 联盟动态 2021-12-30 13:17

国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力下线: 12月26日，由中车时代电气C-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s，在中车电驱第10万台产品下线暨第二届中车电驱自主创新技术高峰论坛上正式发布。该产品是国内首款基于自主碳化硅（SiC）大功率电驱产品，系统效率 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-30 13:17

台积电的第三代半导体布局: 来源：半导体行业观察第三代半导体逐渐迎来爆发期，这就给相关代工带来了需求。虽然台积电方面认为，第三代半导体是个小市场。但这不影响台积电对碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等化合物半导体市场潜力的兴趣。尤其看 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-28 13:34

第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器：从原理到器件: ━━━━半导体材料体系的迭代更新一直紧密关联着高新技术的发展。第一代半导体材料主要为硅（Si）与锗（Ge），第二代半导体材料主要为砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP），第三代半导体材料主要为碳化硅（SiC）与氮化镓 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-28 13:33

GaN基功率器件的好搭档：金刚石散热衬底: 近十年来，氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业，这种材料属于宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能，非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-28 13:32

【政策】厦门市SiC外延重要材料降税: 据厦门日报报道，日前，国务院关税税则委员会发布关于2022年关税调整方案的通知，自2022年1月1日起，我国将对954项商品实施低于最惠国税率的进口暂定税率。厦门日报记者昨日从市财政局获悉，此次厦门市提出的三项进 ...; 分类: 公告通知 2021-12-27 15:59

SiC扎根汽车领域: 来源：汽车芯发现由于具备的多种属性，碳化硅（SiC）成为了电动车（EV）领域中重要的半导体技术，碳化硅器件的性能胜过传统硅（Si）器件。它的优势包括提高了电压额定值、功率转换效率出众和能处理更高温度。车载充 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-27 15:36

单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展: 图文摘要单晶金刚石凭借优异的力、热、光、电等性质，在探测器、功率器件、量子计算等领域具有广泛的应用前景，但大尺寸低缺陷高纯度晶体的合成是制约其应用的主要瓶颈。作为两种最常用的CVD手段，异质外延工艺相比 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-27 15:35

Alpitronic 为电动汽车充电器选择英飞凌 SiC 模块: 50 kW 直流电动汽车充电器是该功率范围内首款具有两个充电端口的壁挂式直流充电器继成功推出其超级充电器产品系列的 HYC150 和 HYC300 之后，Alpitronic最近又推出了 50 kW 直流电动汽车充电器 HYC50。它是该功率范 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-27 15:31

新能源汽车推动碳化硅黄金十年: 来源：国盛证券汽车电子成 SiC 功率市场未来十年主要驱动力1、功率器件下游应用分布广泛，需求景气度抬升化合物半导体主要应用于（1）光电子，如 LED、激光器等；（ 2）射频通信，如 PA、LNA。开关、滤波器等；（3） ...; 分类: 联盟动态 2021-12-27 15:31

厦门大学校长张荣教授：氮化物半导体光电子器件的几个科学问题: 近日，厦门大学校长、张荣教授在出席“第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛”上分享了关于《Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题》大会报告。▲厦门大学校长、张荣教授分享《Ⅲ族氮化 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-24 15:20

中科院半导体所研制出波长小于360 nm的GaN基紫外激光器: A 357.9 nm GaN/AlGaN multiple quantum well ultraviolet laser diodeJing Yang, Degang Zhao, Zongshun Liu, Feng Liang, Ping Chen, Lihong Duan, Hai Wang, Yongsheng ShiJ. Semicond., 2022, 43(1): 010501. do ...; 分类: 联盟动态 2021-12-24 15:20

碳化硅应用十年沉浮录: 每个工程师都想要一个完美的开关，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两种状态下都实现尽可能低的损耗。要实现这样的开关特性，需要有无限的击穿电压，关闭时不允许有任何电流流动，开通时无需维持上面的电压 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-24 15:19

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