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碳化硅和IGBT在汽车的应用平衡?碳化硅的成本目前为什么降不下来?SiC市场各企业间的 ...
1、碳化硅和IGBT在汽车的应用平衡?新能源汽车电驱系统对功率器件的要求,包括高功率、高功率密度、高效率、高转速、低噪音、低成本。对于IGBT来说,高功率主要是对器件的要求要采用高压大电流的器件,750V一直到120 ...
分类:    2021-10-27 12:38
晶盛机电拟57亿定增加码碳化硅、半导体设备项目
10月26日,晶盛机电发布定增预案,拟向不超过35名(含)特定对象发行募集资金总额不超过57亿元(含本数),在扣除发行费用后拟全部用于以下项目:31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目,5.64亿元用于12英寸集成 ...
分类:    2021-10-27 12:37
采埃孚陈臻:800伏碳化硅电驱动桥供应链本地化
持续追求更高效的电驱传动系统“为电动出行科技赋能,摆脱传统传动系统供应商的刻板印象。”与采埃孚电驱传动技术事业部亚太区总裁陈臻深度对话后,NE时代赫然发现,转型一直是采埃孚的战略方向,所有的收购、入股、 ...
分类:    2021-10-26 15:30
估算2021年SiC的用量和2022年的增长
我想在周末估算下SiC在车辆上的使用,通过这个数据能让我们粗略评估出未来的使用量。可能估算比较简单,主要是从这个数据里面做一些推演。我认为智能电动汽车硬件的三个基本要素为电芯、功率芯片和高算力芯片,这是 ...
分类:    2021-10-26 15:29
对话 | 蔚来谈新一代碳化硅功率模块的研发进展
10月19日,蔚来发布第二代电驱动总成,新的180kW永磁同步电机和300kW异步感应电机,将在明年交付的轿车ET7上率先搭载,可支持ET7实现3.9秒内0-100km/h的加速。此外,蔚来也公布了新一代碳化硅功率模块的研发进展,这 ...
分类:    2021-10-26 15:29
2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到423亿美元
全球氮化镓行业处于起步阶段氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的 ...
分类:    2021-10-26 15:28
第四代半导体技术原理与优势,为何值得期待?
随着以SiC与GaN为主的第三代半导体应用逐渐落地,被视为第四代之超宽禁带氧化镓(Ga2O3)和钻石等新一代材料,成为下一波瞩目焦点,特别是Ga2O3 在超高功率元件应用有着不容小觑的潜力,而其优势与产业前景又究竟为 ...
分类:    2021-10-22 10:58
SiC MOSFET 在电动汽车领域的应用
在电动汽车领域,整车续航对客户的体验至关重要。电动汽车制造商一方面通过布置更大容量的电池来实现更高的续航; 另一方面,从提升电驱动系统的效率和降低整车的阻力来提升续航能力。随着 SiC MOSFET 技术的发展,越 ...
分类:    2021-10-22 10:57
汪之涵:“双碳”战略中半导体赛道上的时代竞速者
读创/深圳商报首席记者 王海荣在国家提出的“碳达峰、碳中和”战略推动下,新能源和电气化成为重要的技术创新方向。高铁、新能源汽车、光伏和风力发电等领域都在不断刷新着人们对现代电力电子技术的认知。在每一个电 ...
分类:    2021-10-22 10:57
刚刚!罗姆又有碳化硅大动作
10月21日,罗姆半导体发布公告称,与正海集团有限公司签署合资协议,双方将成立一家主营碳化硅功率模块的新公司。据介绍,新公司名为“上海海姆希科半导体有限公司",计划于2021年12月在中国国内成立,正海集团旗 ...
分类:    2021-10-22 10:56
第三代半导体器件制备关键环节:外延(下)
四、主要外延厂家(一)GaN外延厂家GaN外延片相关企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTT-AT。中国厂商有苏州晶湛、苏州能华、英诺赛科、聚能晶源和世纪金光等企业,其中苏州晶湛2014年就已研发出8英寸硅基 ...
分类:    2021-10-21 11:02
第三代半导体器件制备关键环节:外延(上)
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,由于其宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、大击穿场强等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。其中, SiC功率器件具有能量密度高、 ...
分类:    2021-10-21 11:01
729元!苹果上架首款GaN充电器,GaN快充时代已来
今日,据The Verge报道,苹果公司向其证实,新上架的140W USB-C电源适配器是苹果首款氮化镓(GaN)充电器,售价729元。Source:苹果官网苹果表示,其140W电源适配器支持USB-C Power Delivery 3.1标准,这意味着该充 ...
分类:    2021-10-21 11:00
碳化硅晶圆划片技术
来源:半导体封装工程师之家碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料,SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势,是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的,应用前景十分广阔 ...
分类:    2021-10-21 11:00
【倒计时8天】第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”论坛邀您共同发掘新赛道
第三代半导体助力“碳达峰、碳中和”论坛2021年10月29日中国 . 南京01论坛背景为应对全球气候变化带来的挑战,2020年9月,在第七十五届联合国大会一般性辩论上我国提出中国力争2030年前达到碳排放峰值,2060年前实现 ...
分类:    2021-10-21 11:00

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