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新品发布--用于12至48V GaN升压转换器的EPC演示板: 500W DC-DC 板演示了Renesas 80V 两相同步升压控制器和最新一代 EPC eGaN FETEPC 宣布推出 EPC9166，这是一款 500W DC-DC 演示板，可将 12V 输入转换为 48V 输出。该演示板展示了Renesas ISL81807 80 V 两相同步升压 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:56

SiC/GaN，海外巨头疯狂扩产: 近日，功率半导体龙头厂商英飞凌宣布，将投资超20亿欧元在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-24 09:52

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望: 0 引言近 20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度， ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:53

半导体2022年策略报告: 来源：半导体在线; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:52

干货分享 | 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析: 上周五，我们转载这篇文章（点这里）通过一篇文章回顾典型功率器件的基本概念，又引出碳化硅MOSFET的基本驱动电压要求，碳化硅MOSFET在驱动设计上和传统硅MOSFET及IGBT有很多不同之处，这篇文章我们重点讨论一下碳化 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:52

科研｜基于SiC逆变器的电动汽车永磁同步电机控制系统研究: 近年来，随着人们对环境问题的日益重视，电动汽车将逐渐取代燃油机汽车，成为人们最普遍的交通出行工具。电机驱动器作为电动汽车三大核心之一，其逐渐向着高能效、高功率密度、高可靠性的方向发展，逆变器中传统的硅 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:51

中镓半导体低位错密度氮化镓自支撑衬底产品量产: 图1. 位错密度mapping近期，中镓半导体成功地将2英寸氮化镓自支撑衬底产品的位错密度降低到了4×10⁵cm⁻2到7×10⁵cm⁻2范围，并且目前新产品已经开始量产销售。中镓半导体有限公司成立于2009 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-23 11:51

深度报告｜碳化硅产业“得材料者得天下”（下）: 　　本文来源于：方正证券研究微信公众号，分析师：吕卓阳、陈杭; 分类: 联盟动态 2022-2-22 10:46

深度报告｜碳化硅产业“得材料者得天下”（上）: 近日，方正证券发布研究报告称，随着国家越来越重视芯片、高端装备等领域的国产化，SiC行业发展迅速，各厂商加速布局。2021年一季度国内新增SiC项目合计投资金额已经超过2020年全年的水平，达到了2012-2019年合计值 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-22 10:42

2030年全球氧化镓功率器件的市场规模将达到33亿元: 一、氧化镓的特性和性能近年来，氧化镓 (Ga2O3) 作为继碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 之后的第三代功率器件材料越来越受到关注。氧化镓是最初研究用于LED基板等的材料。带隙（价带中的电子与导带中的电子之间的能量差 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-22 10:41

北大/清华牵头，集成电路高精尖创新中心成立: 近日，集成电路高精尖创新中心在北京揭牌成立。据北京日报报道称，该中心是继未来区块链与隐私计算高精尖创新中心之后，北京市教委批准成立的第二个新一期北京高校高精尖创新中心，将聚焦相关前沿技术研究，突破一批 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-22 10:41

10亿！这家碳化硅企业又又又扩产: 近日，SK Siltron第三次对碳化硅业务进行扩产，总投资近10亿元，今年下半年将量产。此外，韩国iA集团等3家企业也在建设碳化硅线，计划在今年或2023年投产。SK Siltron：再投10亿扩建工厂，下半年量产据日媒《亚洲经 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-22 10:40

英飞凌投资20亿欧元，扩产第三代半导体: 微电子制造2月18日消息，英飞凌于当地时间周四表示，将投资 20 亿欧元 (约合 22.7 亿美元)，以提高其在半导体领域的制造能力。据报道，英飞凌指出，将在其位于马来西亚库林的工厂建造第三个模组，以增加产能。预计该 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-21 14:53

新能源汽车技术｜电动汽车用碳化硅控制器开发与测试: 论文摘要针对纯电动汽车对电机控制器的高功率密度需求设计了一款碳化硅控制器。阐述了该碳化硅控制器的总体电气原理设计方案，并对其结构、硬件、软件设计方案进行了详细的分析，提出了基于碳化硅MOSFET模块的碳化硅 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-21 14:53

高性能高可靠性SiC MOSFET的关键设计与优化: 以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认可。基于大量的设计优化和可靠性验证工作，瑞能半导体于2021年推出SiC MOSFET产 ...; 分类: 联盟动态 2022-2-21 14:52

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