订阅

新闻通知

下级分类:  公告通知|联盟动态
【标准推广】标准化服务业案例巡礼:优品标准认证助力电器质量提升
【标准推广】标准化服务业案例巡礼:优品标准认证助力电器质量提升
优品标准认证助力电器质量提升中国电器科学研究院开展“京东阿里巴巴苏宁新兴商品产业标准联盟”及优品标准认证服务案例简介近年来,人民群众对高端产品的需求与现实电器生产水平产生了矛盾,催生了众多电饭煲、马桶 ...
分类:    2021-11-26 16:40
环旭电子宣布投资氮化镓系统有限公司,加码功率电子战略
11月24日,环旭电子的全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司(GaN Systems Inc.,简称“氮化镓公司”)签订了一份股份认购协议,并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。氮化镓公司是一家领先的功率 ...
分类:    2021-11-26 16:38
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(四)
(二)探索符合新形势新要求的国际合作新路径依托重大科技基础设施、大科学计划集聚国际顶尖创新资源。依托怀柔科学城,推动大科学装置面向全球开放共享,围绕物质科学、空间科学、生命科学等基础研究领域,发起国际联 ...
分类:    2021-11-25 16:55
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(三)
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(三)
六、构建新技术全域应用场景,支撑国际一流的和谐宜居之都建设围绕超大城市精细化治理,坚持“数字智能技术—数字智能经济—数字智能社会—数字智能城市”主线,面向生态环境、公共服务、智慧管理、文化科技等人民美 ...
分类:    2021-11-25 16:52
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(二)
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(二)
(三)发展目标到2025年,北京国际科技创新中心基本形成,建设成为世界主要科学中心和创新高地。“科学中心”建设取得新进展。以国家实验室、国家重点实验室、综合性国家科学中心、新型研发机构、高水平高校院所以及科 ...
分类:    2021-11-25 16:49
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(一)
【政策】北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划(一)
中共北京市委 北京市人民政府关于印发《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》的通知各区委、区政府,市委各部委办,市各国家机关,各国有企业,各人民团体,各高等院校:现将《北京市“十四五”时期国际 ...
分类:    2021-11-25 16:46
基本半导体参与发起的国家5G中高频器件创新中心正式获批
基本半导体参与发起的国家5G中高频器件创新中心正式获批
近日,从国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上传来喜讯:工业和信息化部正式批复同意深圳组建国家5G中高频器件创新中心。基本半导体是国家5G中高频器件创新中心创始股东单位之一。2019年3月,该创新中心依托公 ...
分类:    2021-11-25 16:42
北交所开市,中国注入新“强芯剂”
北交所开市,中国注入新“强芯剂”
▎“北交所将丰富半导体企业登陆资本市场的路径,为半导体产业注入一针强心剂。”云岫资本合伙人兼CTO赵占祥在接受钛媒体App采访时表示。作者:钛媒体编辑丨林志佳来源:钛媒体(ID:taimeiti)2021年11月15日上午, ...
分类:    2021-11-25 16:41
功率半导体深度报告
功率半导体深度报告
来源:东亚前海证券作者:王刚
分类:    2021-11-25 16:41
北京再出政策利好!第三代半导体成重点?
北京再出政策利好!第三代半导体成重点?
近日,《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》印发。《规划》提出,聚焦动态随机存取存储器(DRAM)关键技术需求,开展先进DRAM及新型存储器技术等研发。构建集成电路专利池,开展知识产权合作与运营。支持 ...
分类:    2021-11-25 16:40
SemiQ 发布 1200V 80mΩ SiC MOSFET
SemiQ 发布 1200V 80mΩ SiC MOSFET
新型 MOSFET 补充了该公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器SemiQ 宣布推出其第二代 SiC 功率开关,即 1200V 80mΩ SiC MOSFET,扩大其 SiC 功率器件产品组合。该 MOSFET 补充了公司现有的 650V、1200V 和 170 ...
分类:    2021-11-25 16:39
起底国内SiC衬底企业技术图谱:“产学研”基因凸显
起底国内SiC衬底企业技术图谱:“产学研”基因凸显
1、全球SiC发展历程Si和SiC作为半导体材料几乎同时被提出,但由于SiC生长技术的复杂和缺陷、多型现象的存在,其发展曾一度被搁浅。SiC的发展历经了多个重要阶段:碳化硅晶体的合成技术至今已经有近200年的历史。气相 ...
分类:    2021-11-24 11:28
车规级碳化硅技术及产业进展
车规级碳化硅技术及产业进展
分类:    2021-11-24 11:24
三年磨一剑!英飞凌首款“冷裂”碳化硅要来了?
三年磨一剑!英飞凌首款“冷裂”碳化硅要来了?
日前,英飞凌表示,其用于生产碳化硅晶片的“冷裂”技术已获得生产资格。英飞凌称,该技术将为公司在碳化硅功率半导体的生产中提供竞争优势。收购初创公司三年,首款“冷裂”碳化硅准备生产据悉,英飞凌于 2018 年 1 ...
分类:    2021-11-24 11:23
新能源汽车SiC电机驱动控制器研究进展
新能源汽车SiC电机驱动控制器研究进展
来源:电力电子产业
分类:    2021-11-24 11:19

相关分类

返回顶部