中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

竞逐800V时代，有“硅改碳化硅”红利吗？: 早在2021年上海车展上，诸多车企的动向说明800V的技术应用已然提前了！01集中发布的800V产品近日，业内又有800V产品的动态传来，7月8日，第十三届TMC活动期间，纬湃科技带来了其兼容800V电压平台的第四代三合一电驱 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-15 11:21

关于碳化硅，不可不知的10件事: 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用， ...; 分类: 联盟动态 2021-7-13 15:22

英唐智控宣布筹建6英寸碳化硅产线，全产业链布局再进一步: 来源：化合物半导体市场 Amber英唐智控发布公告宣布，筹建6英寸碳化硅（SiC）产线，加速第三代半导体产能规划。这是英唐智控打造第三代半导体全产业链的重要一步。值得注意的是，去年，英唐智控完成了对英唐微的收购 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-13 15:19

年产200万只SiC！深圳这个第三代半导体项目正在加速建设: 近日，据报道，青铜剑第三代半导体产业基地项目目前已完成基坑建设，施工方开始建设主体，预计2023年4月建成投产。青铜剑第三代半导体产业基地项目，总投资3.5亿元，于今年1月宣布开工。是深圳市2020年重大项目，位 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-13 15:16

【联盟动态】第二届集成电路产业与资本创新论坛第三代半导体专场成功举行: 6月29日，第二届集成电路产业与资本创新论坛暨南京创新周百场系列活动在南京举行。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）主办第三代半导体分会场，邀请复旦大学雷光寅研究员、国家电网公司 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-5 11:59

夏建白院士：超宽禁带半导体高效p型掺杂: 超宽禁带半导体高效P型掺杂超宽带半导体（UWBG）具有直接带隙可调、击穿电压高、化学稳定性好和热稳定性好等优点。然而大多数UWBG半导体都存在严重的掺杂不对称问题，即它们可以很容易地掺杂p型或n型，但不能同时实 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-5 11:58

科学认识中国“第三代”半导体产业: |第三代半导体的产业真相！前几天，一则外媒的报道引起了国内A股市场、媒体圈和芯片圈的热议。报道称，中国制定了“第三代半导体”发展推进计划，并为该计划准备了约1万亿美元的资金。随后，国内媒体对第三代半导体 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-5 11:57

中国第三代半导体全名单: 据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-5 11:56

揭秘！第三代半导体全球晶圆代工格局: 前言：当我们谈论到硅半导体垂直分工的商业模式时，无疑是非常成功的，台积电凭借纯晶圆代工业务已成为全球第三大半导体厂商。而对于第三代半导体SiC/GaN，目前仍以IDM模式占据主导地位（特别是SiC），但随着材料技 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-1 10:00

反超Cree！这家SiC公司是如何做到的？: 2005年，II-VI的碳化硅衬底开发还很缓慢，但是到了2020年，II-VI的半绝缘型SiC衬底营收就超越了Cree。Yole报告显示，2020年II-VI的市占率从2019年的27%增至35%，而Cree则从42%降至33%。今天，“三代半风向”就跟大家 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-1 10:00

宽禁带半导体开启新能源汽车新篇章: 编者按：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以极大满足新能源汽车电动化、网联化、智能化发展趋势的要求，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源 ...; 分类: 联盟动态 2021-7-1 09:59

军标企业也做第三代半导体？: 近期，国内2家军标企业也在介入第三代半导体领域——·辽宁军标企业引进团队，开展1200V 20A碳化硅肖特基二极管项目。·四川军标企业正在对外招标，建设氮化镓联合实验室项目，建筑面积约2250平方米。辽晶电子：将开 ...; 分类: 联盟动态 2021-6-30 17:48

GaN新技术：单晶生长仅需1小时，位错低于1%: 来源：第三代半导体风向6月15日，日本举办了一场“新技术说明会”，其中介绍了一种“高质量GaN晶体生长方法”。据介绍，该技术有几个关键好处：✔解决溶液生长法所存在的“夹杂物”问题，可将GaN晶体位错缺陷 ...; 分类: 联盟动态 2021-6-30 17:48

斯达半导联和华虹半导体量产高功率车规级IGBT: 6月24日，华虹半导体有限公司与斯达半导举办“华虹半导体车规级IGBT暨12英寸IGBT规模量产仪式”，并签订战略合作协议。双方共同宣布，携手打造的高功率车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，已通过终端车企产品验 ...; 分类: 联盟动态 2021-6-25 11:11

第三代半导体技术“国字号”重器将落地深圳，国家布局背后的深意: 深圳、苏州，相隔千里。然而，我国布局的半导体技术“国字号”重器——国家第三代半导体技术创新中心，就偏偏选择了这两座城市。01科技部已正式批复，支持！国之重器，自立之根本。“国家第三代半导体技术创新中心” ...; 分类: 联盟动态 2021-6-25 11:11

1 ... 181 182 183 184185186 187 188 ... 253 / 253 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部