中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

【联盟动态】宽禁带联盟顺利参展SEMICON China 2020: 2020年6月27-29日，疫情以来的首个中国半导体行业展会-SEMICON China/FPD China 2020在上海如期举行。此次展会为2020年电子半导体行业首展，是覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料供应商等全产业链携手合作，全球 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-1 10:31

MEMS传感器在汽车上的创新应用和市场解析: 近两年来，车联网、自动驾驶、无人驾驶，汽车智能化等成为了汽车行业的热点话题，未来汽车一定是朝着安全性，可靠性及舒适性的方向发展。而这一切背后的发展都离不开传感器的作用，MEMS技术传感器正逐渐演变成为汽车 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-30 10:16

在SEMICON China 2020上探讨功率及化合物半导体技术及发展前景: 6月28-29日，“功率及化合物半导体国际论坛2020”于SEMICON China 2020同期在上海浦东嘉里酒店成功举办。此次论坛重点讨论的主题包括：宽频带隙功率电子学、光电子学、通信中的复合半导体和新兴功率器件技术。SEMI中 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-30 10:14

臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室: 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-23 09:38

深圳大手笔扶持新兴产业，单个项目资助最高1500万元: 记者昨日从深圳最新发布的2021年新兴产业扶持计划看到，高端装备制造、生物医药、新材料、人工智能、物联网等领域的企业和项目可获得真金白银的扶持，单个项目配套资金最高1500万元。根据扶持计划，支持领域包括产业 ...; 分类: 公告通知 2020-6-22 10:49

GaN充电器只是开始，氮化镓的落地之路: 近期在小米10的发布会上，雷军发布了的一款 GaN（氮化镓）充电器，让氮化镓这种新材料大放异彩。氮化镓相关概念股瞬间大涨，截止到2月17日A股相关上市公司中，三安光电、士兰微、华微电子和海特高新均实现了大涨，21 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-22 08:58

成本桎梏亟待解决，碳化硅6英寸衬底有望价格砍半: 目前碳化硅在充电桩市场中渗透率不高，主要原因归根到底还是在于成本。业内资深专家袁工向《华强电子》记者表示：“在功率器件领域，电压等级不同器件价格有所差异。在同电压等级下，碳化硅功率器件的价格大概是传统 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-22 08:57

碳化硅的里程碑专利: 专利（patent），专有的权利，以“公开”换取“独占”。对企业而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。专利的三性要有：实用性（能用）、新颖性（没有公开） ...; 分类: 联盟动态 2020-6-19 09:35

mMIMO赋能5G，GaN-on-SiC赋能mMIMO: 5G 通信的标准化进程仍在快速推进，同时第三代合作伙伴计划 (3GPP) 计划在 2020 年完成第 16 版。ResearchAndMarkets.com 最近发布的一份报告指出，3.4-3.8 GHz 是第一批 5G 启用的主要频段，并估计到 2023 年，70% ...; 分类: 联盟动态 2020-6-19 09:30

碳化硅半导体材料的研究现状及发展前景: 前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的II ...; 分类: 联盟动态 2020-6-19 09:24

SiC功率器件及其应用: 相对于传统的Si材料，SiC材料具有高禁带宽度、高热导率、高电子迁移速率等材料优势，使得SiC器件具有高击穿电压、高开关频率、高工作温度以及高功率密度等性能优势。SiC产品应用领域包括光伏、电网、电源、新能源汽 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-18 09:04

【产业动态】三安光电拟160亿元在长沙投建碳化硅等化合物第三代半导体产业园: 三安光电6月16日晚间公告，公司拟160亿元在长沙投资半导体产业化项目。近年来，三安光电在化合物半导体领域持续发力，长沙项目也是三安光电在泉州三安之后又一个聚焦化合物半导体的项目。三安光电称，公司决定在长沙 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-18 09:02

普兴公司6英寸碳化硅外延高速率生长工艺开发成功: 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度宽（3.26 eV）、击穿电场强度大（2.8 MV/cm）、饱和电子迁移速度快（2.2*107cm/s）及热导率高（3.3~4.9 W/（cm*K））等优势，可制备高压、高温、高频器件 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-18 09:01

北京应急响应调至二级，升级这15项防控措施: 6月16日晚，北京市举行新型冠状病毒肺炎疫情防控工作第121场新闻发布会。北京市政府副秘书长陈蓓在会上宣布：即时起，北京市突发公共卫生事件应急响应级别由三级调至二级，并相应调整防控策略。初步判断，聚集性疫情 ...; 分类: 公告通知 2020-6-17 15:07

碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC助力降低5G基站成本: 今年早些时候，思科 (Cisco) 发布了其更新版的视觉网络指数，预测在 2017 年至 2022 年期间，移动数据流量将增长七倍，达到每月 77.5 艾字节 (EB)。这相当于通过移动网络移动了存储在 190 亿张 DVD 上的数据。而且是 ...; 分类: 联盟动态 2020-6-16 11:55

1 ... 207 208 209 210211212 213 214 ... 244 / 244 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部