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硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管: 目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）和中国的Enkris半导体公司所制造 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-30 09:09

37页PPT，全面解读5G产业链及未来趋势！: 来源：国信证券经济研究所对于接下来的一年，5G无疑是全球关注的焦点。5G开始商用化，除了进一步促进移动互联网的发展，更重要的是会促进移动互联网和物联网的整合，进而全面落地大数据、云计算和人工智能等相关技术 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-29 09:29

MACOM推出具有安装灵活性，10W宽带，多级GaN-on-Si功率放大器模块: 高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块，扩展了硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率放大器产品组合。该模块可以优 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-29 09:25

为何要用 GaN 技术来实现 5G 通信？这些特性是关键！: 来源：Qorvo半导体在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正日益盛行已成为行业共识。GaN器件分为射频器件和电力电子器件，射频器件产品包括PA、 LNA、开关器、 MMIC等，面向基站卫星、雷达等市场；电力电子器件产品 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-28 09:09

三菱为移动基站开发超宽带数字控制GaN功率放大器: 总部位于东京的三菱电机公司开发出首款超宽带数字控制的氮化镓（GaN）功率放大器，该款放大器将会兼容一系列专注于第五代（5G）移动通信系统的6GHz以下频段。新型超宽带数字控制GaN功率放大器采用先进的负载调制电路 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-28 09:02

“天罡”面世！华为发布业界首款5G基站核心芯片: 来源：腾讯科技作者：卜祥华为常务董事、运营商BG总裁丁耘表示，目前超25000个5G基站发货。视频：华为发布业界首款5G基站芯片：天罡芯片，时长约55秒2019年1月24日，华为在北京举办5G发布会暨2019世界移动大会预沟通 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-25 09:55

Power Electronics 2020+项目将在GaN上生长晶格匹配的ScAlN: 随着对电力电子系统日益紧凑和高效的需求不断增长，同时由于硅电子器件在应用中已不能够完全满足当前的工业需求，因此弗莱堡大学、德国佛莱堡永续中心以及弗劳恩霍夫应用研究促进协会准备联手探索更适合未来电力电子 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-25 09:53

氧化镓在高压和大功率电子产品上面的应用前景: 近日，佛罗里达大学、美国海军研究实验室（NRL）与韩国大学对氧化镓（Ga2O3）在电子器件应用的现状和潜在发展完成一篇全面的综述。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势（如图1所示），但同时 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-24 08:57

纯干货 | 《团体标准管理规定》新旧对照表: 来源：叶竹洪博客1月17日，国家标准化管理委员会民政部印发《团体标准管理规定》，废止了原《团体标准管理规定（试行）》。新旧《规定》对比如下：《团体标准管理规定（试行）》《团体标准管理规定》第一章总则第 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-23 09:32

【联盟动态】APCSCRM 2018会议特刊（Journal of Crystal Growth）已在线发表！: 2018年亚太碳化硅及相关材料（GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等）国际会议在2018年7月10日-11日于北京成功召开。本届会议共吸引了十余个国家和地区的400余人参加，共作报告近80场次。同时在会议筹备期间，我们 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-23 09:31

SIC技术：基于材料的最新芯片浅谈与蓝宝石衬底LED的比较: 来源：蓝宝石应用大多数现代LED由氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底组成。该架构运行良好，并使LED制造商能够提供效率超过150流明/瓦的产品。然而，该架构确实存在一些缺点，这些缺点促使芯片制造商寻求其他选择。一种 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-22 09:04

SiC商用提速！科锐与意法半导体签署2.5亿美元供货协议: 来源：全球半导体观察近日Cree科锐宣布，其与意法半导体签署了一份多年供货协议，为意法半导体生产和供应其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆。按照协议规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，Cree将向意法半导 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-15 09:13

专家视点 | 陶绪堂：氧化镓单晶生长技术: 来源：半导体学报陶绪堂：氧化镓单晶生长技术在最新出版的《半导体学报》2019年第1期上，山东大学晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂教授着重介绍了氧化镓晶体生长技术，指出导模法（EFG）由于可实现大的晶体尺寸、低 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-15 09:09

祝贺！刘永坦、钱七虎获2018年度国家最高科学技术奖: 来源：人民日报1月8日上午，2018年度国家科学技术奖励大会隆重召开。哈尔滨工业大学刘永坦院士、中国人民解放军陆军工程大学钱七虎院士获2018年度国家最高科学技术奖。　　此外，国家自然科学奖38项：一等奖1项，二 ...; 分类: 联盟动态 2019-1-9 10:34

想做车用SiC元件？这点一定不能错过！: 来源：「CTIMES」在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTS ...; 分类: 联盟动态 2019-1-9 10:29

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