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西电郝跃院士团队：取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破: 近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted Mesa Edge Terminat ...; 分类: 新闻通知 2025-9-26 09:33

深圳平湖实验室最新进展：β铑合金氧化镓p型导电的可行性研究: 由深圳平湖实验室的研究团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 Feasibility of p-type conduction in beta rhodium alloyed gallium oxide（β铑合金氧化镓中p型导电的可行性）的文章。查显弧博士 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-26 09:31

SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效: 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-25 10:36

罗姆：第5代SiC MOS今年投产，将采用8吋产线: 近年来，业界厂商加速向8英寸SiC技术转型。最近，“行家说三代半”注意到，行业巨头罗姆半导体也明确表示，其第五代SiC MOSFET产品将采用8英寸衬底制造，并计划在今年推进该技术实现商业化：9月19日，据日本媒体日经 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-25 09:32

南京邮电大学唐为华等：锡掺杂诱导氧化镓深紫外光电探测器界面势垒高度裁剪: 半导体的魅力之一在于器件性能可通过可调控的元素掺杂来进行优化。相较于重掺杂，轻掺杂效率更高且足以实现精细的材料特性调控与能带结构剪裁。近日，南京邮电大学唐为华教授、内蒙古大学刘增教授和南京理工大学张章 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-25 09:30

《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》等三项团标正式发布: 2025年9月24日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》、《金刚石单晶中石墨相的相对含量测定拉曼光谱法》、《碳化硅器件功率循环试验方法》三项团体标准。上 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-25 09:25

厦门大学宽禁带半导体研究组提出忆阻器极性调控新方案: 厦大物理宽禁带半导体研究团队提出等离子体介导的忆阻器极性调控方案，成功实现了ReS2忆阻器极性的可控切换，并基于此构建了类生物的异极性忆阻器级联架构，兼具生物神经系统的动态学习更新与持久记忆巩固功能。这一 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-24 14:02

新进展：碳化硅纳米线阵列微腔多模皮秒光发射 | Adv. Photon. Nexus: Xueli Sun, Qin Ling, Ruonan Miao, Huaxin Wu, Jiyang Fan. Purcell-enhanced picosecond emission in semiconducting 4H/6H-SiC monocrystalline nanowire forest microcavity. Advanced Photonics Nexus, 2025, 4 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-24 13:48

国内9家SiC企业开发出嵌入式模块: 近日，广汽旗下埃安星源增程平台技术采用嵌入式SiC模块受到行业关注，实际上，嵌入式技术路线不仅逐渐受到在车企和Tier 1厂商的重视和青睐，并且量产节点也在不断提前。嵌入式SiC模块究竟有哪些优势？未来前景如何？ ...; 分类: 新闻通知 2025-9-24 11:27

吉林大学团队发表金刚石 n 型掺杂最新成果: 磷(P)掺杂是金刚石中最可靠的n型掺杂剂，但P掺杂剂溶解度低限制了它的应用。为了解决这一缺点，采用第一性原理计算系统地研究了P掺杂在原始、氢化和氧化金刚石(100)、(110)、(111)和(113)表面的形成能。结果表明，金 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:47

浙江大学联合浙大科创中心杨德仁院士的研究团队：铸造法 β-Ga₂O₃ (100) ...: 由浙江大学联合浙大科创中心杨德仁院士的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为 Electronic properties of defects on the (100) castingβ-Ga2O3: Phenomena and mechanisms（铸造法β-Ga2O3 (1 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:41

市场开始对碳化硅“刮目相看”: 碳化硅突然就又火了。几个月前刚刚申请破产的Wolfspeed，在重组计划被美国法院批准之后，于9月11日宣布200mm碳化硅材料产品正式开启商用。此前该产品仅向少数客户试供，如今面向市场全面放开。公司还同步推出可立即 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:37

2025企创融通汇“芯机遇促发展解锁应用新市场”主题供需对接会成功举办: 9月19日，由中国科协企业创新服务中心主办，中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟承办，北京天科合达半导体股份有限公司协办的2025企创融通汇"芯机遇促发展解锁应用新市场"主题供需对 ...; 分类: 联盟动态 2025-9-23 09:36

Rohm的双沟槽SiC MOSFET短路机理分析: 基于1200V SiC MOSFET双沟槽结构，研究分析器件的短路性能，并对器件的结构和性能进行分析。对器件在不同直流母线电压和栅极驱动电压下的最大短路耐受时间和短路能量，通过仿真和失效分析解释了双沟槽SiC MOS的失效 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 17:04

瞻芯电子C轮融资获超10亿元投资: 近日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案商——上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）宣布完成全部C轮融资，融资总金额超过10亿元人民币，近日完成工商变更手续。继年初C轮首批资金交割后，多家 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:45

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