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下级分类:  公告通知|联盟动态
宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制
宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制
凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能,硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而,GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系数差异存在高密度缺陷/位错(较蓝宝石衬底高1~2个数量级) ...
分类:    2025-4-7 09:29
宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开
宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开
2025年4月2日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开,此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一 ...
分类:    2025-4-7 09:27
综述与述评 | 超宽禁带半导体材料发展现状与展望
综述与述评 | 超宽禁带半导体材料发展现状与展望
文章摘要文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求,系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展,提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议,以期为后续 ...
分类:    2025-4-3 09:23
从AOS布局看第三代半导体发展新范式
从AOS布局看第三代半导体发展新范式
2025年,碳化硅(SiC)功率器件已深入渗透到各个高科技产业领域,其卓越性能助力高效能电力电子系统的发展。作为第三代半导体的代表,SiC技术不仅持续赋能新能源汽车的三电系统革新,更在光伏发电、智能电网等新型基 ...
分类:    2025-4-3 09:20
意法半导体:推进8英寸SiC战略,引领行业规模化发展
意法半导体:推进8英寸SiC战略,引领行业规模化发展
我们邀请到了意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁 Francesco MUGGERI,更好地解读产业格局,探索未来的前进方向SiC需求受多重因素影响但市场机遇仍不断扩大行家说三代半:据行家 ...
分类:    2025-4-3 09:17
科技部:重点新材料研发及应用国家科技重大专项,启动申报!
科技部:重点新材料研发及应用国家科技重大专项,启动申报!
今日,科技部发布国家科技重大专项申报通知:重点新材料研发及应用国家科技重大专项,详情如下:重点新材料研发及应用国家科技重大专项(科技创新2030重大项目)关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项( ...
分类:    2025-4-3 09:14
意法半导体重磅官宣与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
意法半导体重磅官宣与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
4月1日,意法半导体重磅宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议,双方将充分发挥各自优势,提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。source:意法半导体中国技术方面,两家厂商的合作致力于为AI数据中心、 ...
分类:    2025-4-3 09:12
科研动态 | 采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的(001)β-Ga2O3外延 ...
科研动态 | 采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的(001)β-Ga2O3外延 ...
近日,宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华教授团队何云龙副教授、陆小力教授等人在Elsevier旗下权威期刊《Journal of Materiomics》发表题为“(001) β-Ga2O3 epitaxial layer grown with in-situ pulsed Al atom a ...
分类:    2025-4-3 09:12
【免费报名】下周三 | 金刚石: 如何突破性能极限, 打开产业新蓝海?
【免费报名】下周三 | 金刚石: 如何突破性能极限, 打开产业新蓝海?
在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下,半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石,凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性,成为突破功率电子、光电器件、 ...
分类:    2025-4-2 09:14
又一车企官宣GaN合作,携手打造新能源汽车核心部件
又一车企官宣GaN合作,携手打造新能源汽车核心部件
随着电动汽车对高效能、轻量化需求的爆发,氮化镓正加速从消费电子迈向汽车产业核心战场。昨天,马自达宣布与罗姆联手开发氮化镓汽车组件;“行家说三代半”追踪发现,以比亚迪、广汽埃安、长安汽车为代表的主机厂也 ...
分类:    2025-4-1 09:41
行业瞩目!天科合达多款新品首发,创新驱动第三代半导体变革
行业瞩目!天科合达多款新品首发,创新驱动第三代半导体变革
2025年3月26日至28日,上海国际半导体展(Semicon China 2025)在上海新国际博览中心盛大召开。本届盛会规模空前,吸引了来自全球1400余家半导体企业参展和5万名专业观众,盛会各类新产品、新技术层出不穷,其中第三 ...
分类:    2025-4-1 09:39
【免费报名】4月9日 金刚石: 如何突破性能极限, 打开产业新蓝海?
【免费报名】4月9日 金刚石: 如何突破性能极限, 打开产业新蓝海?
在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下,半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石,凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性,成为突破功率电子、光电器件、 ...
分类:    2025-4-1 09:20
宽禁带联盟亮相SEMICON China 2025 以服务赋能产业,以链接共创未来
宽禁带联盟亮相SEMICON China 2025 以服务赋能产业,以链接共创未来
全球半导体行业盛会SEMICON China 2025 于3月26日至28日在上海新国际博览中心盛大举办。本届展会规模再创新高,展览面积达10万平方米,吸引了全球1400多家知名企业参展。本届展会以“跨界全球,心芯相联”为主题,涵 ...
分类:    2025-4-1 09:17
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世
2025年3月25日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)继发布全球首颗8英寸氧化镓单晶之后,又一次取得突破性进展,基于自主创新的氧化镓单晶生长技术与大尺寸衬底加工技术,成功制备了全球首款8英寸(200 ...
分类:    2025-3-31 09:50
武汉大学刘胜院士领导的团队---β-Ga₂O₃ 界面上的金属接触和肖特基势垒: ...
武汉大学刘胜院士领导的团队---β-Ga₂O₃ 界面上的金属接触和肖特基势垒: ...
武汉大学刘胜院士、郭宇铮教授和张召富教授团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 Metal contacts and Schottky barriers at β-Ga2O3 interfaces: High-throughput-assisted first-principles ca ...
分类:    2025-3-31 09:47

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