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机器人，氮化镓的下一个风口？: 氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点，以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力，这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-23 09:58

国产8英寸SiC芯片如何突围？5位大咖这样说...: 近日，我们邀请到了方正微电子副总裁彭建华、瞻芯电子副总经理曹峻、平湖实验室SiC首席科学家陈刚、centrotherm中国区总经理赵亮、思锐智能副总经理陈祥龙围绕“产业协同加速8英寸SiC时代到来”的主题进行圆桌讨论， ...; 分类: 新闻通知 2024-12-23 09:31

聊聊单晶生长的布里奇曼法（Bridgman）: 珀西·布里奇曼（Percy Williams Bridgman，1882 年 4 月 21 日-1961 年 8 月 20 日），美国物理学家，其在晶体学论文里阐述了两种结晶模式：其一为容器在熔区内移动；其二是以固定的温度梯度逐步降温。而这两种模式 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-20 10:12

环球晶圆碳化硅外延在美国扩产: 当地时间12月17日，美国商务部宣布向环球晶圆美国子公司GlobalWafers America（GWA）及MEMC LLC（MEMC）最高可达4.06亿美元（约人民币29.63亿元）的直接补助。环球晶圆表示，补助将用于支持公司位于德州谢尔曼市（Te ...; 分类: 新闻通知 2024-12-20 10:09

项目动态 | 长飞先进武汉基地首批设备搬入: 12月18日，长飞先进武汉基地建设再次迎来新进展——项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛成功举办，长飞先进总裁陈重国及公司主要领导、嘉宾共同出席见证。对于半导体行业而言，厂房建设一般主要分为四个阶段：设备选型 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-20 10:07

论文推介丨KCl溶液结晶辅助表征4H-SiC衬底中的微划痕: 4H-SiC具有宽带隙（3.26 eV，是硅的3倍）、高击穿场强（2.8×106 V/cm，是硅的10倍）、高饱和电子漂移速度（2.2×107 cm/s，是硅的10倍）、高热导率（4.9 W·cm-1·K-1，是硅的3倍）和高稳定性等优良特性，已广泛应 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-20 10:06

FLOSFIA 宣布 Ga₂O₃ 半导体器件的近期计划和技术成果: 日本株式会社 FLOSFIA 致力于作为全球备受瞩目的功率半导体——氧化镓（α-Ga2O3）半导体器件的开发。到目前为止，公司已经取得了一系列开创性成果，包括世界首次以“GaO®”品牌实现商用级肖特基势垒二极管（SB ...; 分类: 新闻通知 2024-12-19 09:07

安森美与电装（DENSO）加强合作关系: 安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）和一级汽车供应商（tier-one）株式会社电装（DENSO CORPORATION，以下简称“电装”）宣布加强在自动驾驶（AD）和先进驾驶辅助系统（ADAS）技术方面的长期合作关系。10余 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-19 09:05

投资近100亿！格力碳化硅芯片工厂建成投产: 12月18日消息，格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了。据董明珠介绍，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。source：格力电器据报道，格力芯片工厂是 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-19 09:02

宽禁带科技论|南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展: 近日，南京大学宽禁带半导体研究团队联合江苏能华微电子科技发展有限公司和哈尔滨工业大学，在半导体器件领域权威会议：第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上以“800-V Irradiation-Hardened Device Technology on ...; 分类: 新闻通知 2024-12-19 08:57

宾夕法尼亚州立大学因硅基氮化镓项目获得300万美元赠款: 宾夕法尼亚州立大学将获得美国国防部高级研究计划局（DARPA）300 万美元的资助，这是国防、航空航天和技术公司诺斯罗普-格鲁曼（Northrop Grumman）获得的更大一笔资助的一部分。该联合项目旨在开发一种将氮化镓（Ga ...; 分类: 新闻通知 2024-12-18 09:33

探秘合成大尺寸单晶金刚石的路线与难题: 金刚石因其优异的机械、电学、热学和光学性能，展现出广阔的发展前景。然而，目前工业上通过高温高压法批量生产的单晶金刚石尺寸通常小于10毫米，这极大限制了其在许多领域的应用。因此，实现大尺寸金刚石的合成已成 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-18 09:32

7.6亿，爱思强新研发中心揭牌: 12月13日，德国沉积设备商爱思强宣布，其位于德国黑措根拉特（Herzogenrath）创新研发中心正式揭牌。source：爱思强项目总投资1亿欧元（约合人民币7.6亿元），于2023年11月正式奠基建设。创新研发中心专为氮化镓和其 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-17 13:34

观察 | 三菱电机探索在日本建立电源芯片联盟: 三菱电机牵头，日本功率芯片产业或迎来新变局近日，根据彭博社的消息，日本三菱电机（Mitsubishi Electric Corp.）CEO Kei Uruma透露，公司正与国内同行探讨合作制造功率芯片的可能性，以强化日本在全球功率芯片市场 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-17 13:33

上海微系统所在IEDM2024上发布晶圆级金刚石基氧化镓阵列化单晶薄膜及高性能射频器件制 ...: 上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。该研究成果于12月9号在第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）以口头报告形式 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-17 13:32

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