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SiC空压机成本降低430元，只需1个小技巧: 近日，清华大学电气工程系发布了题为《适用于超高速PMSM电机的新型三电平SSNPC拓扑》的文献，文献指出这种SSNPC拓扑有望将基于全SiC的空压机逆变器成本降低10%-15%。据推算，相比传统SNPC拓扑，SSNPC新拓扑最高可降 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-8 09:21

中科院微电子所取得厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成技术新突破: 近日，中科院微电子所的高频高压中心传来喜讯，刘新宇研究员团队携手天津中科晶禾公司等单位，在厚膜氮化镓（GaN）与多晶金刚石直接键合技术领域取得了显著进展。该研究不仅攻克了多晶金刚石表面形貌的难题，更在室 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-7 09:16

低功耗碳化硅 MOSFET 的发展: 一、前言随着电动汽车的发展，汽车功率器件芯片也正在寻求能够有效处理更高工作电压和温度的组件。此时碳化硅 MOSFET 成为牵引逆变器等电动汽车构建模块的首选技术。基于碳化硅的逆变器可使高达 800V 的电气系统显 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-7 09:13

观点 | 2032年全球碳化硅市场规模预测将达到91.8亿美元: Emergen Research预测报告显示全球碳化硅市场正呈现快速增长态势热度攀升碳化硅市场热度高涨，主要归功于碳化硅产品在新能源车等领域的高效解决方案的不断普及、投资资金呈倍数增长、以及基础设施工艺的不断进步。▲ ...; 分类: 新闻通知 2024-4-7 09:05

重投天科产能供需对接会顺利召开: 近日，在市发展改革委指导部署及重投集团协调支持下，深圳市半导体与集成电路产业联盟成功举办重投天科第三代半导体材料项目（以下简称“重投天科”）产能供需对接会。市发展改革委及重投集团主要负责同志，比亚迪半 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-7 08:59

服务器电源向10kW进发，三代半或是唯一出路: 人工智能算力的激增，不只是为计算硬件带来了部署上的压力，也为数据中心的供电带来了不可小觑的挑战。依照目前的算力提升速度而言，如果不对数据中心的供电结构做出优化，尤其是在PSU电源上，那么先进封装和高带宽 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-3 09:24

5家SiC相关企业拟上市: 近日，杭州市委金融委员会办公室等单位公布了杭州市重点拟上市企业名单（2024年2月），我们发现，该名单中中包括5家SiC相关企业。是哪几家企业？它们做了哪些上市规划？请往下看。晶能微电子：布局多个SiC项目目前， ...; 分类: 新闻通知 2024-4-3 09:22

中关村“火花”活动之新一代半导体交流研讨沙龙顺利举办: 3月28日，2024中关村论坛系列活动——中关村“火花”活动之新一代半导体交流研讨沙龙在京举办。活动由市科委、中关村管委会主办，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京科技成果转化服务中心、北京创客帮科技孵 ...; 分类: 联盟动态 2024-4-3 09:16

6月北京 | 与您相约2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛: 过去的2023年，是国内外宽禁带半导体产业迅猛发展的一年。市场需求方面，国内龙头企业纷纷获得海外芯片巨头的认可，签下长期供货协议；技术提升方面，碳化硅、氮化镓等材料不断取得技术创新与突破，工艺不断精进，8 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-3 09:12

三安半导体与这家公司达成战略合作: 3月28日，湖南三安与维谛技术宣布达成战略合作伙伴关系，双方将共同推动数据中心、通信网络等领域的创新与发展。至此，湖南三安合作伙伴阵营再一次得到扩充。source：湖南三安01湖南三安持续深化车用、光伏领域布局 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-2 11:07

氮化铝：在功率半导体行业中崭露头角的超宽带隙（UWBG）技术: 对能源转换系统效率的不懈追求加速了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料的采用，这些材料满足了数十亿的市场需求，包括电动汽车（EV）、充电系统、可再生能源等以环境为重点的应用。这两种技术的主要区别特征之一 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-2 10:48

厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长: 近日，厦门大学康俊勇教授团队康闻宇特任副研究员和尹君副教授在人工智能辅助的SiC单晶无损表征方面取得重要进展，相关研究成果以“Non-destructive and deep learning-enhanced characterization of 4H-SiC materia ...; 分类: 新闻通知 2024-4-2 10:13

SiC外延，产能+设备“竞速”: 承上启下的SiC外延。一方面，SiC外延的质量受晶体和衬底加工的影响；另一方面，SiC外延的良率、品质直接关乎下游器件的性能与成本。SiC外延层的制备方法主要有：升华或物理气相传输法（PVT）；化学气相沉积法（CVD） ...; 分类: 新闻通知 2024-4-1 09:41

【培训通知】SiC 功率器件研究，清华大学Prof.王燕主讲: 芯动力人才计划®第127期国际名家讲堂SiC 功率器件研究讲堂摘要SiC是第三代宽禁带半导体材料的代表，在击穿场强、电子饱和漂移速度，热导率等物理特性上更有优势，因此SiC 器件和功率模块较Si具有更优异的电气特 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-1 09:34

全球GaN最新应用进展！: 自2018年10月25日，MU发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状， ...; 分类: 新闻通知 2024-4-1 09:32

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