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Transphorm为何会被瑞萨电子选中？: 1月11日，瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约24.27亿人民币）。sour ...; 分类: 新闻通知 2024-1-15 10:11

中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破: 碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-15 09:42

频签上游合作，英飞凌的扩产“底气”: 近日，据英飞凌官网消息，英飞凌已与碳化硅(SiC)供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。根据协议，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS ...; 分类: 新闻通知 2024-1-12 09:32

宽禁带科技论|浙江大学在物理气相传输法生长碳化硅单晶初期贯穿型位错形核机制研究方 ...: 半导体碳化硅（4H-SiC）具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高和热导率高等优异特性，在高频、高功率电子器件领域有重要应用前景。基于4H-SiC单晶制备的功率芯片将广泛应用于电动汽车、智能电网、轨道交通等领 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-12 09:25

一周晶体前沿——宽禁带半导体: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-11 09:47

宽禁带联盟第六批团体标准送审稿评审会顺利召开: 2024年1月10日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第六批团体标准送审稿评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》、《碳化硅外延层深能级 ...; 分类: 联盟动态 2024-1-11 09:31

微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究: 摘要：金刚石在应用于高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件方面具有显著优势，被业界誉为“终极半导体”。本研究使用微射流激光技术对单晶金刚石晶体进行切片加工，并采用亚纳米级白光干测仪进行材料形貌分析，当 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-10 11:15

比亚迪、蔚来改变SiC路线！它将成主流？: 最近小米汽车SU7正式亮相，细心注意的人会发现，他们主驱电控的SiC功率模块并没有采用常规的HPD三相全桥模块，而是采用了SiC半桥模块。据调研，除了小米外，比亚迪、蔚来、北汽、长安、赛力斯、长城等车企也在转向Si ...; 分类: 新闻通知 2024-1-10 09:29

攻克氮化镓功率器件近30年难题：北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大 ...: 近期，北京大学团队研发增强型 p 型栅氮化镓（GaN）晶体管，并首次在高达 4500V 工作电压下实现低动态电阻工作能力。研究人员在 GaN 功率器件的表面引入新型有源钝化结构，在蓝宝石衬底成功制备具有该结构的新型器件 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-10 09:24

理想汽车与安森美续签长期订单！SiC加速上车: 1月9日，安森美正式宣布与理想汽车续签长期供货协议。source：安森美据悉，理想汽车已在其增程式电动车型（EREV）中采用安森美成熟的800万像素图像传感器，而在此次协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-10 09:18

SiC · 十二月大事记｜SiC月刊: 分类: 新闻通知 2024-1-9 09:48

开个好年！SiC领域新增4起合作: 2024年开年，多家企业宣布就SiC达成合作，力争“开个好年”：●芯塔电子中科海奥：达成战略合作，推动SiC技术在光储的应用；●清软微视：国产SiC 检测设备成功中标高校研究院，已签订采购合同；●乾晶半导体中宜创芯 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-9 09:33

重要里程碑→碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯: 1月4日，据科技日报报道，天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，在保证石墨烯优良特性的前提下，打开了石墨烯带隙，成为开启石墨烯芯片制造领域 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-9 09:11

西安交通大学实现2英寸异质外延单晶金刚石衬底量产: 金刚石半导体具有超宽禁带（5.45eV），高击穿场强（10MV/cm）、高载流子饱和漂移速度、高热导率（22W/cmK）等材料特性，以及优异的器件品质因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-8 10:05

天科合达：碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述: 全文速览目前常见的SiC外延技术有化学气相沉积(CVD)、液相外延生长(LPE)、分子束外延生长(MBE)等，当前，CVD是主流技术，具备较高生长速率、能够实现可控掺杂调控等优点。CVD外延生长通常使用硅烷和碳氢化合物作为反 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-8 09:22

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