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8英寸SiC 外延炉及同质外延工艺研究: 摘要目前SiC 产业正由 150 mm(6 英寸)向 200 mm(8 英寸)转型，为满足行业对大尺寸、高质量 SiC 同质外延片的迫切需求，采用自主研制的 200 mmSiC 外延生长设备在国产衬底上成功制备出 150 mm、200 mm 4H-SiC 同质外 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-21 09:08

纬湃携手英飞凌，可否加速氮化镓上车？: 最近，纬湃科技和英飞凌在氮化镓领域传来最新进展。纬湃科技将采用英飞凌CoolGaN™晶体管来打造功率密度更高的12V DCDC转换器。据悉，本次纬湃科技基于氮化镓设计的DCDC为其Gen5系列，采用隔离式半桥拓扑结构， ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:25

SiC纳米材料: 碳化硅纳米材料碳化硅纳米材料（SiC nanomaterials）是指由碳化硅（SiC）构成的，在三维空间中至少有一维的尺寸处于纳米级别（通常定义为1-100nm）的材料。碳化硅纳米材料可根据结构被分类为零维、一维、二维和三维 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:19

SiC超结的一种卓越工艺: 多轮超高能注入和外延生长能够让SiC超结器件阻断数千伏电压作者：Reza Ghandi，GE Research减少全球碳足迹，必须大力改善电力基础设施。除了需要增加可再生能源发电比例相关的优先事项以外，还需要提高从发电地到使 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:16

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析: 作者✦Michele Aparo, Power Transistors sub Group, Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy michele.aparo01@st.com✦Vittorio Giuffrida, Power Transistors sub Group , Application ...; 分类: 新闻通知 2024-8-19 09:05

侃技术｜宽禁带电力电子的嵌入式 PCB 封装【1】: 嵌入式PCB封装介绍嵌入式 PCB 封装包括将器件整合到 PCB 的多层结构中。更小的外形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的 3D 封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-19 09:00

Call For Paper！APCSCRM 2024: To promote industrial technology exchange and application development, and build an open, innovative, and cooperative international cooperation environment,the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon C ...; 分类: 公告通知 2024-8-16 09:56

口头报告、优秀海报奖在向你招手~APCSCRM 2024: 为探讨亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业的新趋势与新机遇，促进产业技术交流与应用发展，构建开放创新、合作发展的国际合作环境，第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）将于2024年11月6日至8日在中国 ...; 分类: 公告通知 2024-8-16 09:50

年产4万片，这座氮化镓外延厂开始出货！: 8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。资料显示，SweGaN新工厂位于瑞典林雪平，于2023年3月动工建设，可年产4万 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:50

斯达半导——国产IGBT龙头，持续助力新能源发展: 近日，国家印发了《关于加快经济社会发展全面绿色转型的意见》，意见提出到2030年，节能环保产业规模达到15万亿元左右。其中提到要求加快西北风电光伏、西南水电、海上风电、沿海核电等清洁能源基地建设，积极发展分 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:49

技术漫谈|银烧结之银膜转印材料、工艺与设备: 银烧结之银膜转印材料、工艺与设备1当前银烧结的主流形式都有哪几种？银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一，具有低温烧结互连高温服役的优点。银烧结材料主要以银膏和银膜的形式存在，其中银膏是最先发展起 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:46

80亿！天域半导体碳化硅外延项目即将试产: 8月13日，据东莞发布官微消息，广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。资料显示，该项目总投资80亿，位于松山湖生态园，总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米，建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:40

【首发阵容】报告嘉宾、赞助单位...先睹为快！第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（A ...: 关于会议About APCSCRM 2024亚太碳化硅及相关材料国际会议是亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平国际会议，会议围绕碳化硅等宽禁带半导体材料前沿技术研究、产业链合作发展，为参会企业和观众提供集产品展示 ...; 分类: 公告通知 2024-8-15 13:31

助力碳化硅/氮化镓，江苏南通出台新政策: 8月7日，南通市人民政府印发《关于加快培育发展未来产业的实施意见》（以下简称《实施意见》），提出布局六大未来产业，聚焦7个科创细分赛道，全力打造长三角未来产业创新高地。《实施意见》明确，重点布局未来空天 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:31

Ga₂O₃：改进栅极电介质: 经退火的HfSiOx薄膜具有为β-Ga2O3器件形成高质量电介质的关键属性β-Ga2O3肖特基势垒二极管和各种形式的FET需要高质量电介质才能充分发挥潜力。美国一工程师团队称可以满足这一需求。这些研究人员开发出一种形成HfS ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:25

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