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Yole预计：到2028年全球氮化镓射频器件市场价值将达到27亿美元: Yole group近期发布了关于射频氮化镓器件市场的调查研究。报告显示，2022年射频氮化镓器件市场价值13亿美元，预计到2028年将达到27亿美元，2022年至2028年复合年增长率为12%；SEDI（住友电工）、Qorvo和Wolfspeed： ...; 分类: 新闻通知 2023-7-18 10:30

制造可商业化的金刚石衬底: 得益于用于制造2英寸衬底的异质外延生长工艺的开发，金刚石将服务于更多的高端应用。金刚石单晶是终极半导体材料。它结合了出色的结晶度、极高的击穿电压、出色的电学性能和极高的导热系数(见表1)。表1. 各种半导体 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-18 10:26

“园区行”走进顺义园暨“宽禁带半导体技术创新与发展趋势”公益主题沙龙活动顺利举办: 7月14日，由北京市科委、中关村管委会、北京市科学技术协会、中关村顺义园管委会指导，中关村产业技术联盟联合会携手中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟共同主办，埃米空间新材料产业信息服务平台承办的“园区行” ...; 分类: 联盟动态 2023-7-18 10:19

重庆，功率半导体新贵: 众所周知，功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中的电压和频率、直流交流转换等。近年来，在终端市场的持续推动下，功率半导体作为实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-13 10:50

Axcelis | 向SiC芯片制造商出货Purion Power系列离子注入机: 近日，Axcelis 宣布向全球领先的碳化硅 (SiC) 功率器件芯片制造商批量出货 Purion Power Series™ 离子注入机系统。这些出货全部在第二季度交付，其中包括为美国一家领先的 SiC 功率器件制造商提供的 Purion H2 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-13 10:47

异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展: 摘要相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-13 10:36

比亚迪入股嘉芯半导体！: 近日，长三角一体化示范区（浙江嘉善）嘉芯半导体设备科技有限公司发生工商变更，新增股东比亚迪股份有限公司、深圳市创启开盈创业投资合伙企业（有限合伙）；公司注册资本从3.71亿元增加到4.12亿元。2021年，以宁波 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-12 13:29

超8亿元！GaN行业新增4个项目: 近日，氮化镓行业新增了4个项目，涉及单晶衬底、器件等环节。台湾投6.5亿建GaN产线7月6日，据台媒消息，中国台湾经济部近日宣布，将斥资28亿新台币（约6.48亿人民币）投资一家晶圆代工厂，在新竹科学园区增设氮化镓 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-12 13:27

科技新篇章 | 共同聚焦：2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展: 2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于2023年8月9日——8月11日在北京铁道大厦隆重开幕，论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，邀请行业权威专家和龙 ...; 分类: 公告通知 2023-7-12 12:06

「SiC月刊」碳化硅产业6月刊上新: 来源：芯TIP来源：芯TIP; 分类: 新闻通知 2023-7-11 09:21

」派恩杰1700V/1Ω SiC MOSFET收获新能源知名车企订单: 近日，据派恩杰半导体官微消息，派恩杰半导体的 1700V/1Ω SiC MOSFET 产品顺利通过了国内知名新能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目测试，并已成功应用，这标志着派恩杰半导体成为了首家进入主驱逆变器系统的国产 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-11 09:20

纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管: 近日，据纳芯微电子官微消息，纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，完美满足中高压系 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-11 09:19

氮化镓推动无线充电应用: 像GaN这样的化合物半导体有望为无线充电带来更美好的未来。无线充电在技术行业中变得越来越普遍，提供了一种更方便的设备充电方式，而无需使用电缆或插头。随着技术的进步，由于氮化镓（GaN）功率器件的使用，无线充 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-11 09:09

微电子所在氮化镓表面态物理起源与抑制方面取得新进展: 近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所合作在氮化镓（GaN）表面态物理起源与抑制研究方面取得了重要进展，揭示了GaN表面天然氧化物中的无定型Ga2O是界面态的主要来源，创新研 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-10 09:59

武汉工程大学化学气相沉积法制备碳化硅单晶工艺项目科技成果转化: 近日，新能源新材料产学融合创新论坛暨成果转化签约仪式在武汉工程大学举行。武汉工程大学签署3项战略合作协议，与6家企业签约科技成果转化，项目涉及新能源、新材料创新领域，转化金额达4000余万元。其中就包含赵培 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-10 09:51

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