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下级分类:  公告通知|联盟动态
韩国功率半导体商用化中心及重点企业
韩国功率半导体商用化中心及重点企业
近日,韩国STI宣布将在釜山市建设一个年产3万片SiC晶圆的新工厂,以支持韩国车规SiC的本土供应。据介绍,STI将投资3000亿韩元(约16.4亿人民币),在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工 ...
分类:    2023-9-18 09:11
碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展 9月20日 19:00 不见不散!
碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展 9月20日 19:00 不见不散!
⏰9月20日【下周三19:00】碳化硅衬底抛光材料的技术与产业进展我们邀请到「浙江博来纳润电子材料有限公司董事长、上海工程技术大学副研究员,研究生导师 张泽芳博士」作客科技小饭局,分享碳化硅衬底抛光材料的 ...
分类:    2023-9-15 09:16
SiC乘着光伏的东风狂飙!
SiC乘着光伏的东风狂飙!
在新能源产业井喷的大背景下,SiC也跟着炙手可热,SiC上车已经不是趋势而是事实,而在光伏领域,SiC也在加快前进步伐。光伏发电并网的过程中,为了实现发电系统的稳定、高效运行,对逆变器的要求会变得更严格,传统 ...
分类:    2023-9-15 09:13
硅基GaN,有望扮演主角
硅基GaN,有望扮演主角
GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓(GaN-on-Si)目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位,但它的出现将影响供应链,并可能塑造未来的电信技 ...
分类:    2023-9-15 09:11
专家:宽禁带半导体氢能、航天应用潜力巨大
专家:宽禁带半导体氢能、航天应用潜力巨大
据外媒报道,咨询公司FrostSullivan日前举行的宽禁带半导体研讨会上,美国产业界专家对拓展新一代半导体材料应用领域提出了新的见解。Navitas Semiconductor投资者关系副总裁Stephen Oliver提出“改造”氮化镓和碳化 ...
分类:    2023-9-14 09:27
签约/开工/量产!5个GaN项目“在路上”
签约/开工/量产!5个GaN项目“在路上”
几天前,镓宏半导体宣布建设氮化镓功率芯片IDM项目,近日,国内又有5个GaN项目有新进展,详情往下看。国博电子:GaN项目开工据“国基南方”官微消息,9月10日上午,国博电子射频集成产业化(二期)项目在江宁开发区 ...
分类:    2023-9-14 09:23
意法半导体为博格华纳提供SiC,助力沃尔沃汽车!
意法半导体为博格华纳提供SiC,助力沃尔沃汽车!
9月7日,意法半导体官微宣布,将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET ...
分类:    2023-9-14 09:07
采用碳化硅设计高效可再生能源系统
采用碳化硅设计高效可再生能源系统
采用碳化硅设计高效可再生能源系统太阳能逆变器和储能系统应用以及其他可再生能源系统正在促使能源网络实现现代化,以提高其韧性,满足全球能源需求并减少总体碳排放量。这些系统必须在恶劣环境中尽可能高效,并且体 ...
分类:    2023-9-13 09:45
深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜
深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜
近年来,氧化镓(Ga2O3)半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带,高于第三代半导体碳化硅(SiC)的3.2 eV和氮化镓(GaN)的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子从价带跃迁到导带需要 ...
分类:    2023-9-13 09:44
2项新技术:SiC MOS无需外延;衬底成本降30%
2项新技术:SiC MOS无需外延;衬底成本降30%
SiC器件成本较高,所以产业界一直在进行技术创新,以降低成本。最近,小编留意到2项SiC设备新技术:KERI:开发了新的离子注入技术,制造SiC MOSFET等芯片无需外延片,并将其转移给SEMILAB。日本企业:推出SiC晶锭切 ...
分类:    2023-9-13 09:42
中车时代:车规级功率半导体技术挑战与整体解决方案
中车时代:车规级功率半导体技术挑战与整体解决方案
前言国产功率半导体已在众多领域应用,特别是低端产品,如二极管、三极管、晶闸管、低压 MOSFET(非车规)等,已初现“规模化效应、国产化率相对较高”等特点。在中高端领域,如 SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等,特别是 ...
分类:    2023-9-13 09:28
首台联合研发国产化MOCVD成功投用,实现高质量GaN外延生长!
首台联合研发国产化MOCVD成功投用,实现高质量GaN外延生长!
9月6日,在材料生长与装备平台的超净实验室里,国家第三代半导体技术创新中心(苏州)科研人员经过三个多小时实验,采用与国内半导体设备厂家联合研发的首台国产MOCVD设备,首炉试生长成功产出了高质量GaN外延片。生 ...
分类:    2023-9-13 09:09
9.4-9.8氮化镓(GaN)行业新闻
9.4-9.8氮化镓(GaN)行业新闻
01垂直型GaN-on-GaN优势作为第三代半导体的翘楚,大量厂商力图在GaN上实现技术突破以抢占市场先机,为了让功率 GaN 达到更高的击穿电压(1200V),部分技术创新已经登上舞台,例如垂直 GaN-on-GaN,以及通过使用电隔 ...
分类:    2023-9-11 10:31
押注线控与电驱 采埃孚800伏驱动系统采用SiC技术
押注线控与电驱 采埃孚800伏驱动系统采用SiC技术
全球性技术公司采埃孚集团携全面的线控技术产品和超紧凑、轻量化800伏电驱动系统,以及更为紧凑和高效的无磁零稀土电机亮相2023德国国际汽车及智慧出行博览会(IAA Mobility 2023),充分展示采埃孚集团在加速业务转 ...
分类:    2023-9-11 10:28
PCIM Asia访谈 | 东芝功率半导体的 “变术”
PCIM Asia访谈 | 东芝功率半导体的 “变术”
东芝日前参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia 2023),重点展出了面向电力能源方面的先进技术和产品,其中包括:双栅极RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全碳化硅模块、单管碳化硅、智 ...
分类:    2023-9-11 10:20

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