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HTCVD生长碳化硅的低压工艺: HTCVD生长碳化硅的低压工艺，研究的过程都是通过控制变量法：保持大部分的条件完全一样，只改变一小部分条件。这样完成实验后，通过仪器分析结果。设计实验条件：不变的量N型偏4°的4H-SiC衬底，载流子浓度约5×10^1 ...; 2020-6-12 09:45

上海合晶将涉足SiC: 据中国台湾工商时报透露，上海合晶已经通过上海证监局辅道，准备在国内上市。报道进一步指出，他们将筹资将用来投入8吋单晶硅的硅晶圆扩产，同时，公司还将跨入6吋碳化硅（SiC）硅晶圆研发等。报告中指出，上海合晶 ...; 2020-6-12 09:43

碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路: 电信行业连接着全球数十亿人和数百万家企业。电信行业的增长是以新技术为基础的。这些新技术使互联互通成为可能，为用户提供颇具吸引力的新功能，并证明升级和扩大蜂窝网络基础设施的投资是合理的。伴随着早期 4G LT ...; 2020-6-12 09:39

碳化硅和氮化镓提高系统能效: 碳化硅对于工业应用来说非常重要，对电气化要求也非常高，比如新能源汽车及其它新能源基础设施建设。ST为此推出650V了碳化硅MOSFET，现在正进行1200V的碳化硅MOSFET第二代高压高性能产品的开发，即使在高温条件下， ...; 2020-6-8 09:52

“中国芯”的科创板之路！: 6月初，科创板两天内受理了13家企业的上市申请，其中中芯国际成为募资最高企业，引领红筹回归；截至6月3日晚间，一共有324家企业的科创板上市申请获得受理。科创板已受理和已上市的半导体企业都有哪些？今天VIP小助 ...; 2020-6-8 09:50

中国科大郭光灿院士团队首次实现通讯波段碳化硅色心的室温自旋操控: 中国科大郭光灿院士团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与其合作者在国际上首次实现了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室温相干操纵，并且实现了单个NV色心的可控制备和光探 ...; 2020-6-5 09:38

碳化硅前景看好，环球晶联手中美晶开发8吋长晶技术: 来源：苹果日报视为第三代半导体材料的碳化硅（SiC）前景看好，其技术主要掌握在美国CREE、日本罗姆半导体等大厂手中，台系半导体产业链以产学合作的方式突围，希望可以在第三代半导体材料大饼中占有一席之地。中美 ...; 2020-6-5 09:37

氮化镓研制团队获奖，这个技术可让055、歼20雷达探测距离更远，威力更强: 国产055型驱逐舰，据说它的雷达就采用了GAN技术5月30日，在第二届全国创新争先奖表彰奖励大会上，国内三代半导体（氮化镓）团队获得“全国创新争先奖牌”，表明国内在三代半导体方面取得了技术突破，为国产电子装备 ...; 2020-6-3 09:06

低导通电阻，碳化硅导入电动汽车的最大理由: 美国能源信息管理局《2020年年度能源展望》预计，到2050年，美国的用电量将从2020年的40000多亿千瓦时增长到55000亿千瓦时。不仅在美国，在世界范围内，增长的用电量将部分来自包括电动汽车(EV)在内的交通电气化。现 ...; 2020-6-3 09:02

碳化硅和氮化镓——第三代半导体材料双雄: 第三代半导体全球有40%的能量作为电能被消耗, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗就成为一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生， ...; 2020-6-2 09:47

中国SiC、GaN两大IDM公司董事长齐聚“功率及化合物半导体国际论坛2020”，席位有限， ...: 功率及化合物半导体国际论坛部分境外讲师可能面临调整日期：2020年6月28-29日地点：上海浦东嘉里大酒店，浦东大宴会厅4地址：上海市浦东新区花木路1388号现场提供中英文同声传译SPONSORSTHANKSInvited Keynote Speak ...; 2020-6-1 11:13

金刚石基氮化镓将在下一代功率器件中大展拳脚: 氮化镓（GaN）现在很火。而更火的是，为了进一步提高GaN的性能，不同厂商竞相将GaN与其他材料集成在一起。“无论是在器件级还是系统级，金刚石基氮化镓都可以提供高导热率、高电阻率和小尺寸。因此，对商用基站、军 ...; 2020-6-1 11:05

阳光推出可量产车用全SiC电机控制器: 近日，阳光电源自主研发的车用全SiC电机控制器成功装车试运行，这标志着阳光成为国内首家开发出使用第三代宽禁带功率半导体（单管SiC MOSFET）并联技术的电机控制器企业。据悉，此前国际上批量应用此技术方案的仅特 ...; 2020-5-29 09:18

"第三代半导体产业发展及标准支撑"线上沙龙顺利举办: 为积极响应北京市加快科技创新构建高精尖经济结构系列文件及国家发展集成电路及半导体产业号召，支撑《中关村国家自主创新示范区创新引领高质量发展行动计划（2018-2020年）》推进工作。5月22日，中关村标准化协会主 ...; 2020-5-28 09:34

第三代半导体SIC晶圆的激光内部改质切割技术: 自1960年代起，以硅为标志的第一代半导体材料一直是半导体行业产品中使用最多的材料，由于其在通常条件下具备良好的稳定性，硅衬底一直被广泛使用于集成电路芯片领域；但硅衬底在光电应用领域、高频高功率应用领域中 ...; 2020-5-28 09:24

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